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256k DRAM研制背景 自从1970年1k位器件开始被研制出来后,MOS DRAM的集成密度大约以每3年增长4倍的速度不断发展。实现这样高的速度原因,是由于器件的高可靠性化和批量生产使成本降低,而且需要量大这两大因素促成的。特别是在16k位器件时代中,世界上 相似文献
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1.前言集中了高级电子技术,并誉为可靠性典范的日航巨型喷气机的坠落事件,向人们揭示了遇难时通信联络的重要性。有人甚至认为,若能很容易地判断飞机坠落的位置和乘客的下落,那么幸存者或许就不止是4名。 相似文献
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戊子仲春,踏上祖国宝岛台湾,造访了台北的士林官邸. 士林官邸为福山山系环抱,占地18.54公顷.日本人占领时为"士林园艺分所",主要研究柑橘栽培.抗战胜利后,改为园艺管理所. 相似文献
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热膨胀石墨水洗温度与膨胀倍数关系的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
研究了水洗温度对热膨胀石墨膨胀倍数的影响,并对其内部机理进行了探讨。得出了生产工艺中的最佳水洗温度。 相似文献