硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究

本文概述了硅锗(SiGe)技术发展趋势及优势, 阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)技术, 硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件在无线通信领域优良的性能, 低廉的成本, 可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力. 硅互补型金属氧化物半导体(Si CMOS)工艺因其低廉的成本, 较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础, 而硅锗互补型金属氧化物半导体/硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGe CMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺的优点, 又有良好的高频性能, 特别是SiGe HBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段, 而其成本和噪声性能是砷化镓(GaAs)材料无法比拟的. 随着对SiGe HBT, 硅锗场效应晶体管(SiGe FET)的研究, SiGe器件的高频性能, 低噪声性能, 功率和线性性能将得到展现, 为进一步降低收发信机的成本, 提高其集成度打下了基础, 展现了SiGe技术的无线领域广阔的应用前景.     

一种新的阶跃恢复二极管建模方法及其在短脉冲产生电路中的应用

详细分析了阶跃恢复二极管(SRD)阶跃电压的产生过程和机理,提出了一种新的基于一个非线性电容和PN二极管并联的SRD模型。利用此模型对窄脉冲产生电路进行了仿真,分析了影响窄脉冲特性的主要因素,并从硬件上实现了窄脉冲仿真电路。经试验测试,脉冲宽度为230 ps、幅度为3.3 V时与仿真结果较吻合,验证了该模型的正确性。     

超宽带时间间隔调制系统的设计

伪随机时间间隔调制能够使超宽带系统的功率谱进一步平滑,可以增强系统隐蔽性和保密性。介绍了超宽带系统中时间间隔调制的相关原理,提出了实现方法,描述了基于可编程延时芯片MC100EP195的超宽带时间间隔调制电路的具体实现,给出了实验样机的测试结果,并做出了分析。     

905MHz低相噪声表面波振荡器的设计

本文分析了声表面波谐振器的性能 ,论述了声表面波振荡器的工作原理及设计方法 ,最终完成中心频率为 90 5MHz的振荡电路 ,相位噪声低于 - 110dBc/Hz/ 1kHz。文中对影响相位噪声的因素进行了分析讨论     

一种基于SRD和NLTL的皮秒级脉冲产生电路

提出了一种利用SRD产生窄脉冲信号的方法,对其产生窄脉冲的机理进行了分析和仿真,为了使得脉冲宽度变得更窄,电路采用了NLTL结构,拓展了SRD产生窄脉冲的应用,文中分析了NLTL的工作原理。设计了基于SRD和NLTL的皮秒级脉冲产生电路,给出了测试结果,脉冲宽度为110 ps,幅度为3 V。     

L波段低相位噪声压控振荡器

对微波晶体管振荡器的相位噪声进行了分析。为达到压控振荡器的低相位噪声要求,采用了低电平振荡经放大后输出的设计方案。实现的微带压控振荡器工作于L波段. 相对电调带宽大于10％,不加介质谐振器其SSB相位噪声约达到一90dBC/Hz/10kHz;经加放大输出功率达到10mW以上,功率平坦度≤±0.7dB. 在-20～+60℃范围内正常工作,频率温度稳定性为6×10~(-5);本压控振荡器已应用于频率合成器中。     

一种数字侦察接收机的快速测频方法

介绍了一种利用信号自相关处理进行快速测频的方法，可以提高数字接收机的测频速度。文中对该方法测频原理进行了理论分析，并对其作了仿真，证明该方法是简单可行，文中还对该方法的性能进行了分析，表明其运算量少，运算速度快，这对数字接收机测频部分设计有一定的理论和实际意义。     

软件无线电技术发展综述

介绍了软件无线电(SDR)的产生背景、特点,易通话(Speak Easy)和联合战术无线电系统(JTRS),基于高速(中频或射频)采样的数字化接收机的拓扑结构,软件无线电的典型实现方案,以及ADI公司开发的用于软件无线电收发信机的关键元器件及其性能参数.     

Protel99在电路图及PCB图绘制中的应用

文章介绍了如何科用Protel99绘制电路原理图及印刷电路板(PCB)图，给出了元件库的加载、元件的选取以及元件的属性设置，说明了电路图网络表的创建、加载及PCB图的自动布线与手动调整。     

一种改善DDS性能的倍频方法

介绍了一种利用倍频的方法来改善DDS的上限频率和杂散电平。首先对DDS的原理和杂散进行分析,在此基础上提出了DDS倍频模块的原理方案。经过实验调试和测试,得到DDS的输出频率为198～220MHz,输出功率为＋8．0～＋10．5dBm。