一维SiC纳米材料的研究现状

对SiC纳米棒、纳米线、纳米管、纳米带等一维SiC纳米材料的研究现状进行了综述,并提出了此类材料的研究方向. SiC;纳米棒;纳米线;纳米管;研究现状     

从柠檬酸前驱体合成超细氧化铝及莫来石粉末

以硝酸铝作为铝源、硅溶胶作为硅源、柠檬酸作为稳定剂,通过简单的溶胶-凝胶过程合成超细氧化铝及莫来石粉末.通过X-射线衍射分析(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和红外(IR)光谱以最终产物进行分析与表征.XRD结果显示铝凝胶粉经1 200℃煅烧2 h后样品由α-A2O3晶相的氧化铝构成,而铝硅凝胶粉经1 200℃煅烧2...     

球磨助剂对氧化铝粉末细度及90氧化铝陶瓷烧结温度的影响

本文以十二烷基苯磺酸钠、OP-10和吐温80作为氧化铝粉末中的球磨助剂，探讨了不同球磨助剂及其用量对氧化铝粉末的球磨效率及对90氧化铝陶瓷烧结温度的影响。结果表明，阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠的助磨效果最佳，OP-10次之，吐温作用不大。球磨助剂通过分散、润滑、劈裂等作用强化了球磨效果，可缩短球磨时间，并提高了球磨物料的细度，使氧化铝粉体的烧结活性增强。在相同的工艺条件下，加入球磨助剂可使90氧化铝陶瓷的烧结温度降低60℃以上。     

硅纳米线的掺杂工艺与检测

掺杂硅纳米线有可能成为一种重要的硅纳米电子器件材料。因而,硅纳米线的掺杂工艺与检测很重要。半导体的掺杂工艺主要为扩散法,而硅纳米半导体线的掺杂检测方法主要包括电流-电压法、拉曼光谱、光致发光(PL)光谱、X-射线光电子能谱(XPS)及近边X-射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)等。该文介绍了可引入到硅纳米线研究的现有半导体的掺杂工艺及检测方法,并就硅纳米线的掺杂工艺及检测的最新进展做作了详细的讨论。     

硅纳米管的水热法合成与表征

采用水热法成功合成了新型的硅纳米管一维纳米材料,并采用透射电子显微镜、选区电子衍射分析、能量色散光谱及高分辨透射电子显微镜对合成的硅纳米管进行了表征.研究表明硅纳米管是一种多壁纳米管,为立方金刚石结构,生长顶端呈半圆形的闭合结构,由内部为数纳米的中空结构,中部为晶面间距约0.31nm的晶体硅壁层,最外层为低于2nm的无定形二氧化硅等三部分组成.     

表面活性剂在合成金纳米晶溶胶中的应用

综述了表面活性剂在合成金纳米晶溶胶中应用的最新进展,主要就十二烷基硫酸钠(SDS)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、硫醇类物质及十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)等表面活性剂作了较详细地讨论.     

硅纳米线的表征、性能及应用

硅纳米线是近年来发展起来的一种新型的纳米半导体材料.电镜、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、能量色散X射线分析(EDS)等方法是表征硅纳米线的有效手段,由于硅纳米线具有特殊的光致发光、场发射、电子输运等性能,可以实现在纳米传感器等多种纳米电子器件及合成其它纳米材料的模板方面的应用.本文综述了硅纳米线的表征、性能及应用的最新进展.     

掺杂硅纳米线的光电特性

采用激光烧蚀法制备了磷掺杂硅纳米线和硼掺杂硅纳米链,并运用透射电子显微镜(TEM)、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、X射线光电子能谱(XPS)及场发射(FE)测量等对其进行了研究.结果表明:硅纳米线包覆在二氧化硅层中及其核心由磷掺杂的晶体硅构成,磷不仅存在于硅纳米线的核心内,也存在于二氧化硅与硅核心的相界面上;硼掺杂硅纳米链的外部直径约为15 nm,由直径11nm的晶核和2 nm的无定形氧化物外层构成的晶格所组成,其粒间距为4 nm,硅纳米粒子链的阀值场强为6 V/μm,优于未掺杂的硅纳米线的阀值场强(9 V/μm).X射线光吸收谱可以补充提供常规电流-电压测量得不到的信息,并提示掺杂分布的细节.     

硅纳米线的制备技术

硅纳米线作为一种新型的一维纳米材料，在纳米电子器件、光电器件及集成电路方面具有很好的应用前景。介绍了硅纳米线在制备方面的国内外研究现状与进展，重点讨论了基于金属催化气-液-固（VLS）生长机理、氧化物辅助生长机理的硅纳米线制备及模板法等制备硅纳米线的研究成果、特点及生长机理。与金属催化VLS生长机理相比，氧化物辅助生长硅纳米线不需要金属催化剂，能避免金属污染，保证了硅纳米线的纯度，因而是今后深入研究的方向。     

流动催化法制备碳纳米纤维工艺的研究进展

流动催化法是最有潜力实现碳纳米纤维工业化的生产方法。重点综述了在制备过程中温度、催化剂、载气及促进剂等因素对碳纳米纤维生长影响的研究进展，提出了综合优化各个反应参数的新思路以及该方法的未来发展方向。