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辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关.本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响.实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少. 相似文献
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罗宏伟 《自动化技术与应用》2015,34(5)
基于FM1702SL智能道闸系统可实现小区、学校和油田等重要场所的门禁管理、智能控制.系统以单片机为主控制器,采用FM1702SL无线射频读写模块进行射频卡识别,采用液晶进行就地显示,通过电机栏杆进行车辆出行控制,通过GPRS进行无线数据传输,为系统安全提供了可靠的历史记录.实验表明,该系统运行稳定、管理方便,有效提高重要场所的安全性和监控能力. 相似文献
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为系统研究多晶Cu材料晶向排布对其受压力学特性的影响,通过采用晶体塑性有限元的方法模拟了不同晶向Cu的纳米压痕试验过程。仿真结果表明,从受力变形特点来看,当载荷为几何对称压入时,对称于压入面的两对滑移系呈现对称滑移,对应于各个方向的滑移系产生的塑性变形也呈现对称分布;当压入模式为非对称压入时,不同滑移面的各个滑移系产生的塑性应变均不对称;从受力响应来看,压入方向越趋向于垂直于密排面{111},压入载荷水平越高,在压入深度从100 nm增加至500 nm过程中,伴随压入方向与密排面夹角从0°增加至54.732°,压入载荷从5.090 mN增加至5.674 mN。上述结论对Cu晶向择优和微互连设计具有重要的指导意义,有利于微互连结构可靠性的提升。 相似文献
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该文以电子产品的故障为出发点,从集成电路-封装、集成电路-芯片、电路板(或线路板)、电子元件、系统和多系统的角度论述了不同任务环境下电子器件的故障机理特点。系统论述了故障模式、影响及危害性分析(FMECA)和故障模式、机理与影响分析(FMMEA)两种故障机理分析方法,同时结合低周疲劳、高周疲劳、裂纹萌生、反应论模型、芯片失效等失效机理对故障物理元模型进行分类讨论,对电子产品可靠性评价与物理模型应用进行了系统的探讨,为电子产品可靠性评价及失效物理评估模型的选取提供了依据。 相似文献
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集成电路抗ESD设计中的TLP测试技术 总被引:7,自引:0,他引:7
介绍了一种研究器件和电路结构在ESD期间新的特性测试方法——TLP法,该方法不仅可替代HBM测试,还能帮助电路设计师详细地分析器件和结构在ESD过程中的运行机制,有目的地进行器件ESD保护电路的设计,提高器件的抗ESD水平。 相似文献
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研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α. 相似文献
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应对气候变化,进行了咸阳试验区地下水位随降水等主要气候因素变化的关系研究。研究表明,地下水位埋深较小、开采量较小时,气候因素变化与地下水位变化的关系密切;地下水位埋深较大、开采量较大时,二者关联性较差。人类长期不断增加地下水开采,是导致试验区地下水位持续下降的主要原因。研究结论可为制定应对气候变化的具体措施提供科学依据。 相似文献