室温和350℃下注Mn的GaAs／AIGaAs超晶格的磁学性质

通过室温和350℃注Mn后热退火，在GaAs／AlGaAs超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒．利用原子力显微镜、能量散射X射线谱、X射线衍射和交变梯度磁强计研究了该颗粒膜材料的结构和磁学性质．通过比较这些颗粒的饱和磁化强度、剩余磁化强度、矫顽力和剩磁比，发现350℃注Mn的样品含有MnGa和MnAs两种磁性颗粒，而室温注Mn的样品主要含有MnAs颗粒．     

双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件

报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS集成电路的初步结果     

808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制

通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连续输出功率已达2.3W．     

新一代宽禁带4H-5iC功率半导体外延材料的产业化进展

使用10×100mm暖壁行星式外延生长系统进行了4H-SiC大面积多片外延生长,获得了具有良好掺杂与厚度均匀性的高质量4H-SiC外延晶片.测试结果显示,所制得外延晶片X射线衍射谱最高峰的半高宽为26.74”,具有良好的结晶质量;片内厚度均匀性和片间厚度均匀性分别为0.26％和0.5％,片内掺杂均匀性和片间掺杂均匀性分别为2.6％和3.4％;表面粗糙度为0.2nm;表面缺陷密度小于1cm-2.这表明,该10×100mm暖壁行星式外延生长系统可满足4H-SiC外延晶片的产业化需求,将推动SiC功率器件的发展.     

掺In半绝缘GaAs衬底上外延GaAs的晶格失配研究

本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结果表明,当衬底中In组分x<0.004时,外延层失配应力主要由弹性形变调节,不出现失配位错,并可得到很好的表面形貌;当x≥0.006时,外延层产生失配位错,失配应力主要由失配位错调节,液相外延层表面出现沿[110]和[110]方向的十字网络.当外延层产生范性形变时衬底中的临界In组分x_c在0.004和0.006之间.     

嵌入式系统在激光测量中的应用

在激光测量实际应用中没有经济便携的显示终端给测量工作造成了极大的不便．本文选用运行Palm OS操作系统的PDA作为数据终端，对LMO2受激光测距仪进行控制及数据逋信和处理．并把参数显示在PDA上．文中对Palm串口通信进行了分析和研究．并阐述了在Palm机上显示激光机测量数据的设计与实现。本文对PDA串口通信的开发也具有借鉴意义。     

智能电话远程检测系统设计

本文介绍远程无人值守的机房供电和通讯状态的远程检测原理和实现方法,重点介绍该系统的硬件构成和软件流程,电话接口电路、双音多频(DTMF)信号接收芯片和ISD4003系列单片语音录放电路在系统中的具体应用。     

后张法施工预应力筋的防腐技术

笔者针对后张法施工预应力筋防腐中存在的问题进行了探究与分析,并提出了预应力筋防腐技术的应用策略,希望有助于该技术的完善和推广。     

真空吸滤干燥模具强度与刚度分析

根据纸浆模塑快餐具自动生产设备中热压模塑模具的特点和工作条件 ,采用有限元仿真法 ,利用Supersap5程序对模具进行了强度分析 ,给出相应的工作参数 ,从而确定模具工作时的受力状况 ,确定模具的薄弱点 ,为模具设计及工作参数的选定提供科学可靠的依据     

基于CIM/E的电网模型解析

电力系统中模型数据交换的实现具有重要的实际意义. 为了更好的解决这一问题,提高系统的互操作性,在研究由国际电工技术委员会（IEC）制定的IEC 61970系列标准中的公共信息模型（CIM）、分析XML文件的解析方法和电网物理模型的相关设备类属性描述的基础上,提出了一种使用Java语言对CIM/E文件进行解析的方案. 即将CIM/E电网模型数据解析成内存中的结构化数据,并且将数据存入数据库,以防下次使用时再次解析,提高重用性,这里使用的是MySQL数据库,并且最后用导出的电网模型CIM/E文件进行了验证. 提出的解析方案对实际电力系统中模型数据的解析具有一定的指导和参考意义.