基于颜色融合的交互式图像二次着色方法*

针对灰度图像彩色化技术应用于彩色图像二次着色时往往忽略掉原始图像所带的色彩信息的问题,提出了一种基于最短距离颜色融合的交互式彩色图像二次着色方法,通过有效利用原始图像中的色彩信息降低用户交互复杂度。计算过程中采用分层采样与随机采样相结合的策略,确保种子像素合理分布,在颜色融合过程中增加动态权值调整,减少笔画位置对着色结果的影响。实验结果说明该方法与现有颜色扩展着色方法相比较,其结果不再过度依赖于初始用户标记的位置,不需要用户进行复杂的彩色线条标记就能够得到不错的着色效果。     

基于时空一致性优化的视频去雾算法*

为了提高有雾视频的可用性,针对视频增强的需求,基于图像去雾的物理模型,利用视频相邻帧间的信息冗余性,提出了基于光流法的视频去雾方法;对视频中亮度变化以及光流法误差引起的去雾对象边界不平滑的问题,通过引入时间域和空间域能量函数,对待处理视频进行时空一致性约束。实验证明：对于定点拍摄的视频数据,使用时空一致性优化的视频去雾算法能够增加帧间稳定性,获得较为理想的去雾结果。     

具有抑菌功能的苗木扦插基质试验研究

试验采用菜园土、酒糟、碳化烟草废弃物、石灰粉、硫磺粉、甲壳胺按不同比例配制成苗木扦插基质,主要用于木本植物扦插育苗。通过苗木扦插试验,该基质具有效抑制病原苗的兹生和杀除害虫,养分全面充足,持续性质稳定,长效保水增肥的作用。配制方法简单,操作容易,减少基质消毒剂和后期施肥以及农药使用,降低了育苗成本,对环境不造成污染,更加环保,解决了扦插育苗过程中,插穗因感染基质病源菌而造成的腐烂,影响生根成活的问题。     

多重分数傅里叶变换全息防伪术

基于分数傅里叶变换全息图 (FRTH)的记录和再现的特殊性 ,提出一种记录多重全息图的新方法 ,可发展一种多重FRTH防伪术。即利用简单的分数傅里叶变换系统 ,并改变其分数阶 ,就可以很方便地在一块感光板上分别记录多个物体 (或同一物体的不同部分 )在不同位置上的不同阶的FRTH。制作了多重分数傅里叶变换全息图 ,讨论了其防伪特性 ,并获得了满意的再现结果     

同盟共赢 利盟召开18个城市渠道大会

以专注打印跻身美国<财富>500强的著名打印解决方案供应商利盟国际有限公司,在中国宣布从2007年3月开始,在北京、沈阳、上海、成都、广州等全国18个城市拉开了规模盛大的中国区渠道大会巡展,活动将一直持续到5月初.     

2000～2001年国内塑料助剂技术进展

根据2000～2001年国内塑料助剂的文献资料 ,总结了增塑剂、抗氧剂、热稳定剂、光稳定剂、阻燃剂、发泡剂、抗静电剂、偶联剂、加工改性及抗冲改性剂、润滑剂、填充剂、相容剂等塑料加工助剂在合成工艺、新品开发、性能探讨、应用研究等方面的技术进展     

高压浮置MOS栅驱动集成电路

引言 如图1所示,将功率MOSFET或者IGBT用于全增强型的高压侧开关,其栅的驱动要求,即各端子的最低电压可归纳如下: 1、栅压应比漏电压高出10～15V。高压侧开关管的栅电位通常比系统中的最高电位──固定电平要高。 2、栅电位一般是对地而言的,必须逻辑可控。因此,控制信号应抬高到高压侧功率器件的源电位,在大多数应用中,此源电位在两固定电平间摆动。 3、栅驱动电路所消耗的功率对整体效率不能有明显的影响。 由于以上的限制,目前已采用好几种工艺可用来完成功能,原理见表Ⅰ,每一种基本电路均可用多种结构来实现。 国际整流器公司的IR2110栅驱动器集成了驱动高压侧与低压侧功率MOSFET或IGBT所需的大部分功能,兼有小体积与高性能的封装。附加少许元件。IR2110便能提供很高的开关速度(见表Ⅱ)以及低耗     

Fe-Si-Al合金的正电子湮没研究

Fe-Si-Al合金具有优异的磁性能,已知它是一种在冷却过程中含有有序-无序转变的材料,当Fe_3Si_(1-x)Al_x的原子化学配比变化时出现两种有序结构:B_2型和DO_3型,如x<0.5,则转变顺序为α-DO_3型,它的临界转变温度为1050℃,有序度与热处理温度关系甚大。为了观察该合金空位对有序过程的影响,材料经高温固溶处理后在临界转变温度下于不同温度淬火,然后测湮没辐射多普勒展宽谱。     

LiF晶体中色心的吸收光谱与正电子湮没辐射多普勒展宽研究

我们用吸收光谱与正电子湮没方法研究了辐照LiF中的色心。样品是纯的LiF单晶。用~(60)Co的γ射线在室温下照射样品。当剂量的变化范围为1×10~5rad—1.3×10~8rad时,LiF晶体中出现了F、F_2、F_2~ 、F_3、F_4、R_1和R′等色心,由于受光谱仪波长范围的限制,F_2~-未观察到。当照射剂量小于1×10~6rad时,我们得出F-心浓度、S-参数的相对变化是剂量平方根的线性函数。然而,当剂量大于1×10~6rad,由于F-聚集心的出现,S-参数正比于照射剂量的对数。