一种新型富电子酚醚链化合物的合成

超分子化学的发展日益受到人们的关注,现合成了一种新的具有特殊结构的链状多元酚醚化合物,进一步自组装形成的超分子结构,将对分子振荡器件的研究具有重要意义.     

碱性介质中对硝基苯氧乙醇的稳定性

选用对硝基苯氧乙醇这一芳香醚作为研究对象,研究了它在碱性介质中的醚键裂解情况。试验结果表明,碱的浓度越高、碱性越强、反应温度越高、反应时间越长、亲核试剂的活性越强,对硝基苯氧乙醇越不稳定,醚键断裂的程度越大,同时还发现有溶剂参与的现象。用高效液相色谱仪分析了对硝基苯氧乙醇的转化率。     

硅基光开关及阵列研究进展北大核心

随着网络传输数据的爆炸式增长,传统集成电路芯片面临着难以进一步提升交换速率及继续扩大容量等挑战。相较于传统电子芯片,硅基光子器件具有交换速度快、功耗低、带宽大和与CMOS工艺兼容性好等优点,可满足下一代全光交换网络、数据中心和高性能计算光互连的迫切需求,被视为在后摩尔时代突破芯片容量最具前途的解决方案,受到日益广泛关注。文章介绍了硅基光子芯片中光开关单元及阵列的技术原理和发展现状,重点论述了MZI型、MRR型开关单元,以及常见阵列拓扑结构,介绍了近年来大规模光开关阵列的国内外研究进展,讨论了未来硅基光开关及阵列研究中面临的主要问题和解决方法。     

低功耗有机/无机混合结构热光开关的研制

利用聚合物材料SU-8作为芯层、聚合物材料PMMA作为上包层和无机材料SiO2作为下包层,设计并研制了一种有机/无机混合结构的Mach-Zehnder干涉(MZI)热光(TO)开关。为了保证波导中的单模传输、减小模式辐射损耗和衬底泄露损耗、缩短响应时间并降低器件功耗,对其结构参数做了优化。利用化学气相沉积(CVD)、涂膜和湿法刻蚀等工艺制备了器件样品。在1 550nm工作波长下,器件的开和关状态的驱动功率分别为0和13mW(开关功率为13mW),开和关状态间的消光比为18.3dB。在方波驱动电压信号作用下,测得器件的上升和下降时间分别为126和134μs。与无机材料Si/SiO2和全聚合物材料研制的TO开关相比,本文研制的混合结构器件综合利用了芯层聚合物材料热光系数大、上/下缓冲层厚度均较小以及Si/SiO2导热系数大的优点,因此同时具备了较低的功耗和较快的响应时间,在光通信系统中具有较好的应用前景。     

新型含氮手性配体的合成

以氰尿酰氯和(1R,2R)-1,2-二苯基乙二醇为原料,采用威廉姆森醚化法,合成了几种新颖的含氮手性配体。该类反应具有后处理简单、条件温和、产率高等优点。产物用1HNMR、13CNMR、MS进行了结构表征。     

一级直链溴化物的一锅法羟醛缩合反应

研究了3个一级直链溴化物的一锅法羟醛缩合反应.分别以1-溴己烷、1-溴庚烷、1-溴辛烷为原料,用吡啶氮氧化物氧化,无水碳酸钠作为碱,甲苯作为溶剂,一锅法反应得到羟醛缩合反应产物,产率48.0%～54.9%.产品结构经1HNMR、MS、IR进行表征.     

ZnO/氧化石墨烯复合材料的制备及其可见光催化性能

以均匀沉淀法制备纳米ZnO,并将其负载在氧化石墨烯(GO)上制得了ZnO/GO复合材料。XRD、TEM、UV、PL等证实在GO表面分散着颗粒均匀的ZnO纳米颗粒,GO与ZnO纳米颗粒之间存在电子转移效应,抑制ZnO中光生电子空穴对的复合,提高了ZnO的可见光催化性能;考察了复合材料在模拟太阳光条件下降解亚甲基蓝的光催化性能,当GO添加量为10%时,模拟太阳光照射90 min后,对亚甲基蓝的降解率达到97.2%,经过10次循环使用后降解率没有明显降低,复合材料的可见光催化活性明显优于纯的纳米ZnO,同时ZnO/GO复合材料对部分工业染料也有很好的降解活性。     

SiO2/聚合物Y分支波导型热光开关研究

为提高波分复用(WDM)光通信网中核心器件光开关 的响应速度,设计并制备了SiO₂/聚合物复合型 Y分支结构波导热光开关。器 件选择具有高热导率的SiO₂作为波导的下包层,低成本的聚甲基丙烯酸甲脂-甲基丙烯酸 环氧丙酯共聚物(P(MMA-GMA))作为芯层和上包层,利用束 传播法模拟和优化Y分支波导的设计,通过光刻、刻蚀和蒸发等传统半导体工艺进行器件制 备。实验测得开关插入损耗为12dB, 消光比为18dB,方波驱动的上升和下降响应时间均为200μs。实验结果表明,SiO₂/聚 合物复合波导结构可有效提高热场的扩散速度和折射率调节效率,减小开关的响应时间。     

基于SU-8材料的无源-有源集成式电光开关设计与制备

对基于SU-8紫外负性光刻胶的无源-有源集成 式电光开关进行了系统的研究。 首先用物理掺杂的方法制备出价格 低廉、性能良好的主客掺杂型电光材料DR1/SU-8,反射法测量其电光系数约为11. 5pm/V@1310nm。为减小器件的插入损耗, 设计了有源芯层为DR1/SU-8、无源芯层为SU-8的倒脊形混合集成式波导结构。制作完 CPW行波电极后,对器件进行接 触极化。实验测得开关的上升时间和下降时间分别为5.6μs和5.2μs,插入损耗为13.8dB,与只用DR1/SU-8作为波导芯层的 器件相比,插入损耗减小了约2.8dB。实验结果表明,这种无源-有 源集成式电光波导有效地减小了器件的插入损耗,为制备 低损耗的电光器件和单片多功能集成器件奠定了一定的基础。     

己二酸二辛酯清洁合成工艺

以负载SnO的活性碳纤维催化酯化合成了已二酸二辛酯,考察了反应时间、温度及催化剂用量等因素对合成反应的影响,适宜的工艺条件为:n(己二酸):n(2-乙基己醇)=1:3．3,催化剂1．1%,带水剂甲苯用量6％,反应温度17-175℃,反应时间120 min。在此条件下反应体系的终点酸值和色泽得到合理控制,粗产物不经过中和、水洗和脱色就可得到合格产物,避免了普通酯化工艺造成的废水和废渣污染。