执行力决定企业兴衰

一个有卓越执行力的企业应该包括三个方面：组织结构灵活、强而有力的领导和循序渐进地占有市场     

有机玻璃法测试硝铵炸药的爆压

为更好地理解硝铵炸药状态对爆轰性能的影响，采用有机玻璃法测试硝铵炸药的爆速和爆压。简要介绍了有机玻璃法测炸药爆压的原理和实验装置，采用该法测试了普通硝铵炸药及3种膨化硝铵炸药的爆速、爆压。结果表明，硝铵炸药具有低爆速和低爆压的非理想爆轰特征，膨化硝铵炸药较普通硝铵炸药具有更高的爆速和爆压，颗粒粒度减小有利于提高膨化硝铵炸药的爆压性能。有机玻璃法是同时获得硝铵炸药爆速和爆压数据的简便方法。     

淮北变性土性状特点对其生产性能的影响及农业利用对策

本研究基于黄淮海平原多个变性土剖面分层土壤样品的土壤理化性状分析数据,对其肥力特征、生产性能以及培肥改良措施进行了系统研究。相关结果表明,机械组成中粘粒含量高、质地粘重、土壤结构和孔隙性差是变性土主要物理性状特征,受其影响,土壤表现出耕作性能差、蓄水能力弱、保水性能不强等特点;化学性状主要表现为有机质含量不高、质量差,土壤氮素水平仍较低,耕层土壤速效磷含量分异加大,土壤速效钾含量缓慢降低,土壤CEC含量较高,土壤保肥性能强,但供肥性能较差等特点。这些性状特点对土壤生产性能的影响主要表现在土壤适耕期短,易受旱、涝(渍)灾害的危害,土壤有效养分低、营养失调,钙质结核影响土壤蓄水能力和水分运行以及作物根系生长等方面。指出:(1)增加土壤有机质,改良土壤理化性质;(2)合理施肥,促进土壤养分平衡;(3)改进耕作、灌溉技术,调控土壤水分状况等是培育变性土肥力质量、提高土壤生产性能的关键性措施。     

碳化钨及复合催化剂研究进展

碳化钨及其复合物是一种重要的硬质合金材料,也是一种性能优良的催化材料,许多研究表明碳化钨的表面电子结构与Pt类似,具有类铂的催化活性,作为催化剂在催化氢化、烷烃氢解和重整、催化合成气反应以及氢化脱卤素等反应中表现出良好的催化活性;同时碳化钨及其复合物还具有良好的导电性,不受任何浓度的CO和10-6质量浓度的H2S中毒,具有独特的化学稳定性,作为电催化剂对氢气、水和甲醇氧化均表现出优异的催化氧化性能,因此,碳化钨及其复合物有望替代贵金属催化剂,应用于多相催化和电催化领域.     

低压金属有机化学气相外延生长室热流场的模拟与分析

本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况,分析了生长室内压力和基座转速对于流场和热场影响,指出了低压金属有机化学气相外延的优点所在.     

特殊图案透明欧姆接触微结构提高谐振腔增强型光探测器的响应性能

为解决谐振腔增强型(RCE)光探测器的耦合效率和响应速率的矛盾,提出了采用特殊图案透明欧姆接触的微结构及其制备工艺方案,从而使得在器件入光面积不变的情况下,欧姆接触部分的总面积显著减小,在不影响器件量子效率的前提下达到减小电容、提高响应速率的目的。在台面面积为50μm×50μm的情况下,获得了18 GHz的响应带宽。研制的谐振腔增强型光探测器的响应速率得到了显著的提高。     

西方国家项目经济评价方法的比较研究

对西方国家 4种主要的经济评价方法进行了比较研究 ,由于各种方法的理论依据、评价的目标不尽相同 ,而这些主要表现在各种方法所采用的国家参数以及各类影子价格参数的计算方法上。本文主要从各种方法采用的国家参数及影子价格等进行了比较分析 ,这些对完善我国经济评价方法有现实的借鉴作用。     

DISA监控在老站改造中的应用

以乌鲁木齐电业局110kV八户梁变改变为例，介绍DISA在老站改造中与以往不同之处，其优点是监控系统和保护单元是通过通信总线来进行信息交换。监控装置与微机保护的信息传递在综合自动化站改造中显得越来越重要。     

新场气田分层压裂工艺技术应用评价

新场气田是川西多层系致密砂岩气藏的典型代表,从浅层的350m至深层的5000m均有活跃的天然气显示,其中蓬莱镇组的含气层多达25层,沙溪庙组的含气层也有10层.一般单层砂体产能有限,为提高单井产量和气藏采气速度,同时也为减少作业次数和降低井下作业费用,需要进行分层压裂改造.文章通过对新场气田小层分布特征和地应力特征的分析,提出油管和油套管环空分注分压是适合该气田的分层压裂工艺类型,建立了分层压裂选井选层标准,开展了12口井的现场试验.通过施工参数分析和增产效果评价表明,油管和油套管环空分注分压工艺不仅保证了分层压裂的施工成功率高、应用简便,而且增产效果显著,为新场气田多层系气藏整体压裂开发打下了坚实的技术基础.     

用于光电集成的InP基HBT新结构

对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构是在单HBT(SHBT)的集电区与次集电区间加入特定厚度与掺杂浓度的p-InGaAs层和n-InP层,既适用于集成光探测器,又较好地解决了SHBT反向击穿电压低、传统双HBT(DHBT)电子堆积效应等问题,并具有外延层生长简单、集电区电子漂移速率高等优点.