“三王子”走秀北京APEC

2006年,雷沃挖掘机事业部成立伊始,就秉承＂起步就与世界同步＂的理念,在经历了消化、吸收、转化等一系列艰难的学习过程之后,最终形成具备市场竞争力的挖掘机产品。8年来,福田雷沃重工从小型挖掘机起步,逐渐向上延伸,中、大吨位挖掘机产品相继投放市场,形成了相对完整的产品布局,成为行业内成长较快的品牌之一。     

激活性杂质对光子晶体量子阱滤波器特性的调制

通过数值计算模拟的方法,研究激活性杂质对双重势垒光量子阱滤波器特性的调制。结果表明:无论在外垒层、内垒层还是阱层介质中掺入激活性杂质,光量子阱滤波器各通道均出现光增益放大和带宽变窄现象,而且存在不同光增益极大值和恒定带宽极小值现象。增益倍数和带宽对内垒层掺杂的响应相对外垒层的灵敏,而对多层介质掺杂的响应则比单介质层掺杂的灵敏,但不同的通道对掺杂的响应灵敏度不同。阱层掺入激活杂质时,阱中心通道对各介质层掺杂的响应灵敏度一样,但短波通道对多层介质掺杂响应比单层介质掺杂灵敏,而长波通道则相反;无论是外垒层、内垒层或阱层,对激活掺杂响应均存在相等的极限值。双重势垒光量子阱滤波器对激活性杂质的响应特性为光子晶体设计窄带宽、高品质的光学滤波和高倍数的光学放大器件提供了指导。     

Al-Mg-Si合金GP区的原子键络与强化作用

运用固体经验电子理论，对Al—Mg—Si合金GP区（L10型）价电子结构进行了计算，结果表明：L10型GP区的最强键与次强键比基体最强键强很多，其主键络骨架对合金键络起到增强作用；而其相邻的（111）晶面上的共价键络较强，使得该面滑移时较基体更困难，从而起到提高合金硬度的作用。     

激活杂质对光量子阱束缚态的影响

引入复介电常数并利用传输矩阵法研究了激活杂质对光量子阱束缚态的影响.计算结果表明:当在光量子阱结构的一种介质中掺入激活介质使得介质的介电常数具有一个负虚部时,束缚态出现了较强的增益,实现高效光放大.在光量子阱中的垒介质中掺入激活杂质和在阱介质中掺入激活杂质对束缚态的影响规律相似,但在阱介质中掺入激活杂质对光量子阱的放大更明显,光量子阱起放大作用时,阱介质中介电常数的负虚部较小,束缚态出现透射率的峰值也较大.但在光量子阱中掺入激活杂质时,透射波和反射波中的束缚态宽度都变化不大,且束缚态的频率也不变.这为掺激活杂质的光量子阱结构应用于光放大器提供了理论依据.     

镜像对称结构一维光量子阱的光传输特性

用传输矩阵法研究对称结构一维光量子阱 （AB）m（ABCBA）n（BA）m的光传输特性,结果发现：随n的增加,光量子阱（AB）5（ABCBA）n（BA）5的透射谱出现（2n-1）条共振透射峰,量子化效应明显;量子阱内部出现很强的局域电场：当n=1时,光量子阱（AB）m（ABCBA）1（BA）m内部局域电场强度随着m增加而增强,而当m=5时,光量子阱（AB）5（ABCBA）n（BA）5内部局域电场强度不随n的变化而改变,但局域范围扩大。这些光学传输特性,为光子晶体设计新型光学器件提供指导。     

Al-Mg-Si合金强化作用的键分析

对Al-Mg-Si合金中主要析出相[3(Mg2Si)以及纯硅晶胞的键电子密度计算，表明硅晶胞中置强的Si-Si键nA比β(Mg2Si)相的Mg-Si置强键nA要强2倍，相应的置强键密度-ρ也大2倍，这是影响Mg2Si颗粒的生长以及合金的硬度和强度等力学性能的主要原因。     

Al-Cu合金亚稳相的价电子结构分析

应用固体电子理论(EET)，对A1-Cu合金时效析出的若干亚稳相的价电子结构进行计算。结果表明，在时效初期，θ”相中Cu原子处于第七杂阶，比金属Cu的原子杂阶低，而最靠近Cu原子的A1原子则处于第五杂阶；由θ”相溶解形成相θ’时，Al原子处于第四杂阶，而Cu原子状态发生较大变化，从基体的第九杂阶上升到第十三杂阶，使得Cu原子的共价电子数有较大幅度的提高，因此形成的θ’亚稳相的最强共价键较θ”亚稳相的要强l倍，这就从价电子结构层次上解释了θ”和θ’亚稳相的热稳定性。     

有序Al—Li金属间化合物的电子结构与结合性能

用固体价键电子理论对ＦＣＣ基有序ＡｌＬｉ金属间化合物的电子结构进行了分析，结果表明Ａｌ原子在这些化合物中杂阶状态没有发生变化。对结合能和体弹模量进行计算结果表明，这些ＦＣＣ基金属间化合物的结合能随晶包内共价电子数增加呈线性递减，而体弹模量则线性增加。还对计算结果与实验值以及其它方法的计算结果进行了比较与讨论。     

SQ-86耐洗擦内墙涂料

由青岛市建筑材料研究所研制的 SQ-86耐洗擦内墙涂料,最近通过省级技术鉴定。该涂料的突出特点是:具有优良的耐洗擦和耐水性能,涂膜牢固,遮盖力强,无毒、无味、施工方便。鉴定意见指出:该涂料工艺简单可行,原材料来源丰富,建厂投资低,对环     

Al-Mg-Si合金的原子成键与性能的关系

应用基于价键理论和能带理论建立的固体与分子经验电子理论(EET)和改进的界面TFD理论,将合金宏观性能的研究追溯到原子成键的电子结构层次,并对Al-Mg-Si合金的序列析出相内部原子间的价电子成键及其与基体界面间形成的界面键络特征研究进行总结,比较各析出相的键强、结合能以及析出相与基体的界面能。结果表明:β″相对合金的强化作用最显著,pre-β″相的次之;结合能与最强键键能的变化也能反映熔点的变化,pre-β″相、β″相与U1相的熔点比基体和其他GP区的熔点高;各析出相的键强演变规律与实验强化曲线的变化规律相符。