企业管理信息化问题与对策研究

信息技术与企业现代管理思想的结合，形成了企业管理信息化的浪潮。本文介绍了企业管理信息化的意义及内容，分析了在企业管理信息化建设中存在的主要问题，并提出了几点解决方案。     

换流变压器非电量保护误动原因分析及解决措施

超高压直流输电系统换流变压器非电量保护类型众多,运行中多次出现非电量保护误动的情况,引起多次超高压直流输电系统非计划停运。介绍了超高压直流输电系统在运换流变压器非电量保护配置情况,指出了非电量保护误动的原因,提出加强非电量保护继电器的维护、合理地设置非电量保护的动作后果和修改非电量保护的动作逻辑,避免非电量保护误动,提高超高压直流输电系统的运行可靠性。     

Na_2S药剂添加方法的研究和工艺改进

主要针对磷酸脱砷药剂Na2S添加方法进行研究和工艺改进,利用Na2S水解过程可逆的原理,通过在Na2S药剂加入前添加抑制剂石灰乳来抑制H2S气体的生成,从而达到改善工作环境,杜绝人员中毒的目的;同时能够减少Na2S药剂添加量,降低生产成本,在实际运用过程中取得了较好的环保效果和经济效益。     

罗家寨高含硫气藏水合物形成条件的实验方法研究

确定水合物的形成条件从本质上说就是确定气水相平衡的平衡点,而水合物相平衡测定是水合物研究的基本手段,为水合物的应用提供基本的物性数据。目前测定方法主要有观察法和图解法两种。文章针对罗家寨气藏的具体特点,在以往实验经验的基础上,建立了一套研究高含硫气藏水合物形成条件的实验方法和实验流程。具体实验采用观察法和图解法两种方式相结合的实验新方法,首先根据图解法确定具体的实验研究过程,然后利用所获得的实验数据作图,根据图形的变化趋势确定水合物的最初生成区域,最后通过观察法最终确定水合物的生成点,实验结果证明该方法是可靠的有效的,不仅缩短了实验时间,简化了实验过程,而且大大提高了实验结果的精确度。     

低温制备应变硅沟道MOSFET栅介质研究

分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L＝20 μm/2 μm)跨导可达45 mS/mm(300 K), 阈值电压为1.2 V;在700 °C下采用干湿氧结合,制得电学性能良好的栅介质薄膜,并应用于应变硅沟道PMOSFET(W/L＝52 μm/4.5 μm)器件研制,其跨导达到20mS/mm(300 K),阈值电压为0.4 V.     

基于组合测量的电容器标定及其软件实现

本文介绍了基于组合测量的电容器标定方法及其在Matlab和Visual Basic混合编程环境下开发的软件系统,实例证实了该软件用户界面友好,计算正确,运行速度快,克服了手工计算时间长,易出错的缺陷.     

采用低温Si技术的Si/SiGe异质结p-MOSFET

针对S i/S iG e p-M O SFET的虚拟S iG e衬底厚度较大(大于1μm)的问题,采用低温S i技术在S i缓冲层和虚拟S iG e衬底之间M BE生长低温-S i层。S iG e层应力通过低温-S i层释放,达到应变弛豫。XRD和AFM测试表明,S i0.8G e0.2层厚度可减薄至300 nm,其弛豫度大于85%,表面平均粗糙度仅为1.02 nm。试制出应变S i/S iG e p-M O SFET器件,最大空穴迁移率达到112 cm2/V s,其性能略优于目前多采用1μm厚虚拟S iG e衬底的器件。     

教育孩子如是说——师幼互动中教师的语言策略

语言、表情、动作等是教师教育过程中需要运用的身体表现元素,在这些众多的元素中,语言作为最为直接、最为形象的教育手段对具体形象思维、是非道     

运用货币政策的适度性与经济周期研究

我国在宏观调控中着过于依赖货币政策的倾向。然而，由于受到货政策结构调整功能的缺陷和经济结构失衡问题的影响，造成货币政策扩张与紧缩交替运用的多变性。货币政策运用的多变性进一步加剧了经济波动。在宏观调控中对货币政策的过度依赖是我国经济周期形成的重要原因。因此，为避免经济周期的持续发生，我国应加大财政政策的运用力度，保持货币政策的稳定性，同时相应改善货币政策工具。     

浅析军校图书馆特色数字资源建设

本文分析了在新军事变革背景下，军校图书馆大力推进特色数字资源建设具有十分重要的意义，并进一步论述了特色数字资源建设中要注意的相关问题，最后指出要通过提高馆藏利用率来将特色数字资源建设落到实处。