中间镜式半导体可饱和吸收镜实现Nd:YVO4被动锁模

中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心研究成功新型中间镜类型的1μm波长半导体可饱和吸收镜，在清华大学精密测试技术及仪器实验室成功地实现了Nd：YVO4被动锁模，获得了皮秒脉冲激光，由于缺乏合适的测试条件，脉冲宽度还未测试出来，估计在100ps以内。     

半导体可饱和吸收镜研究的进展

回顾了近年来国际和国内超短脉冲激光技术的发展历程,概述了各种波长半导体可饱和吸收镜(Semiconductor saturableabsorption mirror,SESAM)发展历史,制作技术及其在固体激光器中的应用.对常见的几种制作工艺以及运用方向进行阐述和分析.利用金属有机气相淀积方法研制了三类1.06μm波长的SESAM,在Nd:YAG固体激光器上实现了被动锁模,锁模脉宽为10 ps,频率为150 MHz,输出功率100 mW以上.     

表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb:YAG激光器被动锁模

制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为10W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率200MHz,锁模脉冲平均输出功率为70mW.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4.35ps.     

金丝对精密静压气浮陀螺精度的影响及解决方法

针对远程投放飞行器和运载火箭的惯导系统中气浮陀螺上的金丝,分析其对陀螺精度产生的影响.在金丝特性的基础上,建立数学模型,推导出解决方法,在特定精度的基础上放宽了金丝的使用条件,设计出试验方法并找到了处理金丝的最佳温度点.     

宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究

介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs)的研制方法和应用.制作宽带反射层的关键技术之一是AlGaAs/GaAs和InP/InGaAs/InGaAs的选择腐蚀.分别就几种湿法腐蚀和干法腐蚀进行了详细的分析和比较.     

动作示教再现的挖掘机手柄自动操作机构

根据液压挖掘机调试需求,提出一种基于动作示教再现的挖掘机手柄自动操纵机构的设计方案,介绍液压挖掘机机械手柄的工作原理,阐述示教再现的实现方式与控制系统结构.设计了一种结构简单的、能够满足示教动作自由度要求的机械结构,并针对这种机构的控制,提出一种模糊反馈控制方法.     

GaAs被动调QYb：YAG激光输出动力学初步研究

利用材料可饱和吸收特性的被动调Q技术以其价格便宜和结构简单等优点在中小功率激光中被广泛应用．半导体材料GaAs具有明显的光学非线性，已用作Nd：YAG激光器的被动调Q开关。本文采用GaAs，既作为调Q元件，又作为输出耦合镜，成功地实现了二极管激光器泵浦Yb：YAG微片激光器的被动调Q运转，发现其被动调Q激光输出中     

用800nm表面态方法和低温方法结合吸收区的半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光克尔镜锁模

研制了一种新型的800nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜,其吸收区是低温方法和表面态方法相结合.用该吸收体实现了氩离子激光器泵浦的掺钛蓝宝石激光器被动锁模,脉冲宽度达到40fs,光谱带宽为56nm,后者意味着它可以支持20fs的锁模.脉冲序列的重复率为97.5MHz,泵浦源为4.45W下平均输出功率为300mW.     

用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd∶YAG激光器中的被动调Q

对半绝缘GaAs晶片进行As 注入,注入能量为400keV,剂量为1016cm-2.用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了62ns的单脉冲宽度.这是迄今为止国内最好的报道结果.     

空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较

研究了空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1×109～5×1013cm-2的变化.实验表明,两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势.背场Si太阳电池性能参数Isc、Voc和Pmax衰降变化快,辐照注量为2×1010cm-2时,Pmax就已衰降为原值的75%;而GaAs/Ge电池对应相同的衰降辐照注量达8×1011cm-2,且其Isc、Voc和Pmax衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近3×1012cm-2时才迅速下降.背场Si电池和GaAs/Ge电池性能衰降分别与质子辐照引入的Ev+0.14eV及Ev+0.43eV和Ec-0.41eV深能级有关.