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采用熔盐法分两步合成了片状SrTiO3晶体.研究了合成温度、熔盐种类对Sr3Ti2O7前驱体以及片状SrTiO3晶体形貌和尺寸的影响.在第1步过程中,低温下,首先生成亚微米级立方SrTiO3颗粒,随着温度的升高,SrTiO3颗粒逐渐生长成片状Sr3Ti2O7晶体.在第2步过程中,随着温度的提高,片状Sr3Ti2O7前驱体逐渐转变为片状SrTiO3晶体.熔盐的选择对片状SrTiO3晶体的最终形貌、尺寸有着显著的影响.以KC l作为熔盐,在1 200℃下合成的片状SrTiO3晶体边长为10~15μm,而使用NaC l所得SrTiO3晶体边长为30~50μm,宽厚比最高达到25∶1.片状SrTiO3晶体的形成机理是在高温条件下,由于熔盐中TiO2的作用,Sr3Ti2O7晶体中岩盐结构的SrO层被破坏,并以Sr2 、O2-形式溶出,剩余的SrTiO3结构重新叠合联结,产物基本保持原来Sr3Ti2O7片状晶体的外形,溶出的Sr2 、O2-与熔体中的TiO2反应生成SrTiO3. 相似文献
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ZnO纳米线阵列的侧面生长机理 总被引:3,自引:0,他引:3
通过一种简单的无催化剂存在的气相生长工艺制备了侧面长成梳状结构的ZnO纳米线阵列。沿[0001]方向生长的ZnO纳米线按照100~500nm的间隔有规律地排列在梳底一侧。单晶梳底沿着[2110]方向生长到±(0110)和±(0001)面终止。所得均一纳米线的直径和长度分别为40~100nm和0.5~2.0μm。纳米线阵列的侧面生长成为微米梳,是气体分子自组装成纳米线和一步法组装成微米结构的重要例子。本文详细讨论了ZnO纳米线阵列生长成为微米梳的生长机理。 相似文献
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电化学法制备组分调制纳米多层膜的研究现状 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨了应用电化学电沉积法制备具有超晶格结构的纳米组分调制多层膜的原理,对比了恒电流和恒电位两种电化学手段对膜层微观结构的影响,并简述了阳极氧化法制备多层膜陶瓷材料的研究现状;同时介绍了XRD、STM等几种常用于表征纳米多层膜微观结构的现代测试方法,阐述了纳米多层膜的优异性能及应用前景. 相似文献
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采用微波水热的方法在中性水溶液中合成平均长6μm、中间宽4μm的梭子形SrMoO4基体材料,并研究反应物浓度和Eu3+的掺杂量(摩尔分数3.75%~30%)及EG/H2O体积比等条件对合成的SrMoO4粉体形貌的影响。结果表明:随着Eu3+浓度的增加,形貌向片状结构转变。另外,在掺杂7.5%Eu3+时,采用加入乙二醇(EG)的方法,抑制了片状结构的生成。随着EG比例的增加,颗粒分布趋向均匀,粒径逐渐变小。当EG与H2O体积比为4∶1时,得到了分布均匀、长约0.8μm的梭子状SrMoO4∶Eu3+粉体。荧光光谱分析结果表明,梭子状SrMoO4∶Eu3+(7.5%)粉体能够被近紫外(395 nm)或者蓝光(463 nm)有效地激发,从而发射波长为614 nm的红光。 相似文献
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SrTiO3基高压陶瓷电容器材料的组成与性能 总被引:7,自引:0,他引:7
研究了Bi2O3.3TiO2和 PbTiO3的加入量对SrTiO3基高压陶瓷电容器材料性能的影响。实验的结果表明:最佳加入量的摩尔分数分别是Bi2o3.3tIo2为9%,PbTiO3为18%。在1250℃的温度下烧结获得了性能为:εr=3295;Eb=10.2kV/mm;tgδ=6*10^-4;△C/C(-25-+85℃)≤±S 相似文献
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研究了 Bi2 O3 ·3 Ti O2 和 Pb Ti O3 的加入量对 Sr Ti O3 基高压陶瓷电容器材料性能的影响。实验的结果表明:最佳加入量的摩尔分数分别是 Bi2 O3 ·3 Ti O2 为 9% , Pb Ti O3 为 18% 。在 1 250 ℃的温度下烧结获得了性能为:εr = 3 295; Eb = 10.2 k V/m m ;tgδ= 6×10- 4 ;Δ C/ C(- 25~+ 85 ℃)≤ ±12% ;绝缘电阻 R= 7.5×101 2 Ω的高压陶瓷电容器材料。 相似文献
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