精确的短沟MOSFET电路模型及参数提取

给出一套具有较高精度且同时适用于数字电路和模拟电路ＣＡＤ的短沟ＭＯＳ器件直流模型。该模型精确、高效，可移植到ＨＳＰＩＣＥ等通用线路分析软件中。结合解析和数值两种参数提取方法，文中采用局部优化参数提取法进行ＭＯＳ器件参数提取。优化算法采用单纯形直接搜索法。参数提取过程中考虑了输出电导的精确性。通过对１．２μｍＣＭＯＳ工艺ＮＭＯＳ器件的测试及参数提取，并进行模型计算，结果表明理论和实际值符合很好。     

铁电存储器中Pb(Zr,Ti)O_3集成铁电电容的制备

在铁电不挥发存储器 (FERAM)技术中 ,集成铁电电容的制备是关键工艺之一。文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺 :采用 lift-off技术在衬底样品表面淀积铁电电容 Pt/Ti下电极 ,然后用 Sol-Gel方法制备 PZT薄膜。在 PZT薄膜未析晶前 ,先将它加工成电容图形 ,再高温退火成为 PZT铁电薄膜。最后完成铁电电容 Pt上电极。与传统工艺相比 ,改进后的工艺能保持 PZT铁电薄膜与金属上电极之间良好的接触界面。测试结果表明 ,工艺条件的变动不会影响 PZT铁电薄膜的成膜和结构 ,从而可得到性能优良的铁电电容。     

一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法

采用电荷法,避免使用有效沟道厚度的近似概念,较严格地讨论了MOS场效应管的亚阈值电流、亚阈值摆幅,其结果与实验数据符合较好。     

乡镇企业"网博会"上做营销

福建泉州市举办的"泉州名优特新产品网上博览会"(简称"网博会")已经5届了.实践证明,办会成本低、见效快的"网博会"推动了泉州乡镇企业的发展.     

一种新的铁电电容模型及其在1T/1C FeRAM中的应用

随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用 ,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈。文中提出的非线性双电容铁电电容模型是线性双电容铁电电容模型的改进 ,它不仅与线性双电容模型一样易于用宏模型实现 ,而且比后者具有更高的精度和更简单的控制方式。以 1 T/1 C单元作为基于铁电电容电路设计优化的实例 ,定性分析了位线寄生电容对读出窗口的影响 ,并在 HSPICE中用非线性双电容模型进行了仿真 ,得到位线寄生电容与 1 T/1 C单元铁电电容比例 (CBL/CF E)对读出窗口的最优值 :CBL/CF E=2 .4     

黄酒麦曲的糖化特性研究

按传统黄酒工艺的糖化模型进行糖化特性研究,采用30℃、6h糖化,得出用熟麦曲糖化的醪液,其液化力、糖化力和蛋白质分解力要高于用生麦曲的,糖化产物(总糖、还原糖等)也高于用生麦曲糖化的产物.     

伪随机码在绝对式光电轴角编码器中的应用

介绍了中国光电轴角编码器制造业中新出现的一种绝对式编码器,伪随机码绝对式光电轴角编码器.阐述了伪随机码绝对式光电轴角编码器的编码方法、技术要点及特点.伪随机码绝对式编码器采用M序列伪随机码作为编码方法,采用双狭缝技术进行分时位置读取,并采用ROM元件进行译码输出.伪随机码可以在一条码道上存储多位信息,多位码盘只需要一条码道,极大限度缩小了码盘直径,为国内生产小型化的多位绝对式编码器开辟了新途径.     

硼离子注入退火过程对表面迁移率及薄层电阻的影响

本文利用与退火条件有关的离子注入杂质分布,得到了在硅中硼离子注入退火条件对载流子表面迁移率的影响。还得到了硼离子注入薄层电阻与注入条件及退火情况的关系。在这些关系中,注入剂量对迁移率及薄层电阻有最主要的影响。这些结果可在设计和制造VLSI中用以确定工艺条件。     

超滤膜技术在分离蛋白质溶液中的应用试验

超滤膜技术就是利用膜质材料使溶液中的溶剂滤过,而将期望得到的溶质留下来。这一技术正在食品工业中推广应用。本文叙述了超滤膜技术的一些机理,以及用来分离大豆粉萃取液中的蛋白质溶液的试验情况。超滤膜技术在我国食品工业中的应用将得到迅速进展。