新型低介低损耗BaTiSi2O7微波介质陶瓷研究

BaTiSi2O7具有独特的TiO5四方单锥,有利于抑制离子极化弛豫引起的介电损耗。采用传统氧化物混合法制备了BaTiSi2O7陶瓷。X射线衍射和Raman散射光谱分析表明,该陶瓷具有纯BaTiSi2O7相,其结构中含有TiO5四方单锥结构。同时,高频电学分析表明,随着烧结温度的增加,其相对介电常数在0.1kHz～1GHz频率范围内为8～10,介电损耗在10-4左右,有望作为低损耗微波介质材料。     

3d过渡金属掺杂对Bi0.8Ba0.2FeO3陶瓷多铁性能的影响研究

采用传统固相烧结法制备多铁性Bi_(0.8)Ba_(0.2)Fe_(0.9)M_(0.1)O_3(M=Cr,Mn,Ti)陶瓷。X射线衍射图谱(XRD)表明该材料为纯相菱形钙钛矿结构,属于R3c空间点群。铁电测试结果表明,Bi_(0.8)Ba_(0.2)Fe_(0.9)Ti_(0.1)O_3陶瓷具有室温下的最大剩余极化值(2Pr)为0.64μC/cm~2和低频时的最小介电常数值(ε)为140。同时,所有样品的介电常数和介电损耗均随着频率的增加而降低且在高频时趋于稳定。磁性测试结果表明,Bi_(0.8)Ba_(0.2)Fe_(0.9)Mn_(0.1)O_3陶瓷具有室温下的最大剩余磁化值(2Mr)为1.46(A·m~2)/kg。显著的磁极化前后P-E回线变化被观察到,这直接说明了多铁性Bi_(0.8)Ba_(0.2)Fe_(0.9)M_(0.1)O_3(M=Cr,Mn,Ti)陶瓷中存在磁电耦合效应,且Bi_(0.8)Ba_(0.2)Fe_(0.9)Cr_(0.1)O_3样品具有最显著的磁电耦合效应值为5.8 m J/cm~3。     

膨胀型阻燃剂Melabis的合成工艺改进研究

以三氯氧磷、季戊四醇和三聚氰胺为原料,经3步反应合成了膨胀型阻燃剂双(1-氧代-1-磷杂-2,6,7-三氧杂双环[2.2.2]辛烷)磷酸酯三聚氰胺盐(简称Melabis)。讨论了物料配比、加料方式、反应时间等因素对反应产率的影响,改进了合成工艺,产率可达到97.2%,并用元素分析、红外光谱等方法表征了产品的结构。     

电子标签天线基材用环保水性聚氨酯胶粘剂的研究

以聚酯多元醇、甲苯二异氰酸酯(TDI)和二羟甲基丁酸(DMBA)为主要原料制备了一系列环保型水性聚氨酯胶粘剂,研究了合成条件、DMPA用量和加入方式、溶剂、中和度、固含量对合成的水性聚氨酯乳液性能的影响,讨论了不同的固化剂用量对胶粘剂及RFID天线基材性能的影响。     

WO3电致变色薄膜离子传输动力过程及其循环稳定性

电致变色WO₃的离子传输动力学过程对其变色性能和循环稳定性具有重要的影响。离子传输过程涉及到WO₃电极的结构变形、相转变等复杂过程, 导致通过传统的电化学阻抗谱很难进行有效研究。计时电位法是通过施加电流, 测量电极材料响应电位的一种电化学表征方法。与其它电化学表征方法(阻抗谱法和伏安法)相比, 该技术能够直接探测溶液-电极系统中不同状态下的电压分布, 并经常被用于研究电极系统中的物质传输动力学行为, 例如电极表面附近的质子吸附和传输现象。本工作采用计时电位技术研究和调控WO₃薄膜中的离子传输行为, 结果表明: 大的Li⁺离子插入通量可拓宽WO₃/电解质界面处离子的传输通道, 有助于离子传输动力和光响应速度的提升。然而, 反复的离子插入/抽出行为会通过“离子球磨效应”减小WO₃/电解质界面处WO₃晶粒的尺寸, 使得WO₃薄膜的致密性增强, 阻碍离子传输和电解质渗透, 导致插入的Li⁺及反应产生的Li_xWO₃在WO₃结构中不可逆积累, 薄膜的光学调制幅度和电致变色活性明显下降。该工作为电极材料中离子传输动力学分析和离子传输行为控制提供了一种有效的方法。     

SrMnO3阻挡层对La0.8Sr0.2MnO3/Si异质结整流特性的改善

对用磁控溅射方法在硅基上直接沉积La0.8Sr0.2MnO3和引入SrMnO3(SMO)阻挡层后沉积La0.8Sr0.2MnO3进行了比较.对薄膜结构用X射线衍射试验表征,并分析了薄膜取向生长的原因.卢瑟福背散射实验结果表明,SMO阻挡层的引入显著地削弱了LSMO和Si界面层处的元素互扩散.电学测试表明LSMO/SMO/Si结构比LSMO/Si结构具有更好的p-n结整流特性,而且随SMO缓冲层的增厚,整流特性反而削弱.     

衬底负偏压对溅射Ta2O5薄膜晶化温度及介电性能的影响

采用磁控溅射法，在衬底温度为620℃时，通过引入合适的衬底负偏压(100—200V)，获得了结晶良好的Ta2O5薄膜．衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用，加速了其在衬底表面的松弛扩散效应，从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度，改善了其结晶性．同时，G—V测试结果表明：衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能．     

高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征

运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼(c-BN)含量的影响进行了研究.采用傅立叶红外光谱(FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对c-BN薄膜进行了表征和分析.结果表明:300 W的射频功率是制备c-BN薄膜的最佳条件;当气体分压比Ar/N2=5:1时,制备的薄膜中c-BN含量相对最高;立方氮化硼的形成存在偏压阈值(约80 V),低于此偏压c-BN很难形成.拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构.AFM和XPS分析结果表明c-BN薄膜结晶良好,晶粒尺寸细小,具有很好的化学配比,B原子与N原子的含量比为1:l.     

基于无线网络的空调控制系统设计

将无线网络技术、红外遥控技术应用于空调控制系统，完成空调的远程控制，实现真正实时的分散控制、集中管理。本文给出了空调控制系统的整体结构，设计了用于现场测控的无线网络节点，详细介绍了节点系统的软硬件实现。     

无线温湿度传感器网络节点的设计

将无线传感器网络技术应用于温湿度测量,实现远程实时监控,设计了基于无线收发芯片nRF401的现场温湿度测量的无线传感器网络节点,详细介绍了节点系统的软硬件实现。