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利用栅氧化前在硅衬底内注氮可抑制氧化速率的方法,制得3.4nm厚的SiO2栅介质,并将其应用于MOS电容样品的制备.研究了N 注入后在Si/SiO2中的分布及热退火对该分布的影响;考察了不同注氮剂量对栅氧化速率的影响.对MOS电容样品的I-V特性,恒流应力下的Qbd,SILC及C-V特性进行了测试,分析了不同氧化工艺条件下栅介质的性能.实验结果表明:注氮后的热退火过程会使氮在Si/SiO2界面堆积;硅衬底内注入的氮的剂量越大,对氧化速率的抑制作用越明显;高温栅氧化前进行低温预氧化的注氮样品较不进行该工艺步骤的注氮样品具有更低的低场漏电流和更小的SILC电流密度,但二者恒流应力下的Qbd值及高频C-V特性相近. 相似文献
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提出了三维变换编码克服了以往运动补偿帧差预测和二维变换的局限性,在保证一定质量的前提下,大大提高了压缩比,而块连续性自适应概念的引入,更好地适应了图像序称的整体和局部变化特征,进一步提高了编码效率和图像质量。 相似文献
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在拼接后的斑马鱼胚胎显微图像基础上提出胚胎图像分析算法,以确定斑马鱼胚胎的3个形态特征:长度、头-干夹角以及尾部弯曲度.采用形态学方法将斑马鱼胚胎从背景中分割出来,然后采用二值细化算法提取它的中心线,最后测量上述形态特征.在测量尾部弯曲度时,采用环形Hough变换法去除胚胎头部,再由最小面积法将尾部曲线回归成一条直线,引入表示尾部曲线与回归直线间平均距离的均方根误差来表征尾部的弯曲度.实验结果表明,该自动分析技术处理速度较快,可以获得准确的形态参数值. 相似文献
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以一株分离自药用植物瓦布贝母的内生真菌Fusarium tricinctum WBS020为材料,对其胞外多糖进行研究。首先采用多种有机溶剂对WBS020发酵液进行脱脂除杂,用醇沉法获取粗多糖。随后用大孔吸附树脂法除色素,蛋白酶-Sevag联用法除蛋白质,半透膜法除盐等小分子物质,纤维素DEAE-52和Sephadex G-150柱色谱分离法获取纯化多糖。再用HPGPC-ELSD色谱法分析纯化多糖的均一性和平均相对分子质量,用PMP衍生法结合HPLC-DAD色谱法分析单糖组分,用UV、FT-IR分析多糖的部分理化性质。最后利用DPPH和ABTS自由基清除活性及亚铁离子螯合能力评价多糖的抗氧化活性。结果表明,经过一系列的提取分离纯化,得到一个胞外多糖主成分WBS020EPS1-2,其为含有少量结合蛋白质的纯度在95%以上的均一多糖,平均相对分子质量约为3.137×104,主要由甘露糖,鼠李糖,葡萄糖,半乳糖和阿拉伯糖以摩尔比0.43∶0.13∶10.00∶1.92∶0.11组成,同时,还含有一个未知成分,且单糖成分主要为α-构型链接的吡喃糖;此外,多糖WBS020EPS1-2对DPPH自由基清除活性较弱,而对ABTS自由基清除能力和亚铁离子螯合能力则较强,IC50分别为1.93 mg/mL和4.52 mg/mL。 相似文献
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文章以常见的药食同源的中药材如龙眼肉、枸杞子、肉桂等为主要原料,以干辣椒、郫县豆瓣、食用油、香辛粉等为辅料制作药膳火锅底料。首先通过单因素试验,对影响药膳火锅底料的因素水煮时间、中药材添加量、辣椒、加水量等进行试验探究,根据单因素试验结果选取适当的因素和水平进行正交试验,以此来优化单因素试验结果,从而确定药膳火锅底料的最佳工艺参数。结果显示:在郫县豆瓣16%、盐2%、香辛粉3%、白糖2%、花椒2%、味精1%、酵母抽提物1%、食用油用量40%的基础上,选择水煮时间为60 min,中药材添加量为1倍,辣椒添加量为10%时所制得的药膳火锅底料品质最好。利用电子鼻对产品进行挥发性香气分析,发现炒制后的药膳材料较水煮工艺的香气特征突出。 相似文献
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目的 为实现培养高素质创新型设计人才的目标,作为产品设计专业的核心课程,CMF设计类课程在培养学生设计思维,理解产品设计中色彩、材料与加工工艺的搭配应用,以及产品规划验收等方面发挥了关键作用。方法 基于以成果为导向的教学模式(OBE)理论,结合CMF设计类课程理论与实践并重的特征,从教学内容、教学方式、评价指标和反馈机制进行课程改革,尤其是在智能产品设计教学过程中进行运用,以构建多渠道教学体系。结果 OBE理论指导下的CMF设计课程,结合多种教具的应用与游戏化学习体验,能提高CMF设计教学中学生的主观能动性。结论 通过OBE教学理论在CMF设计课程的运用,确立学生在课堂的主体地位,激发其对智能化、数字化产品CMF设计的学习兴趣,进而提高课堂效率与教学质量。 相似文献
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利用Sentaurus TCAD软件模拟研究了Halo注入工艺参数(注入角度、剂量、能量)对50nm NMOS器件性能的影响。结果表明,Halo注入角度和剂量的增大会使器件的DIBL特性改善,阈值电压提高;而Halo注入能量的增加会引起器件的DIBL特性变差,阈值电压有所降低,并且较注入角度和注入剂量相比,Halo注入能量的工艺窗口要小。Halo注入参数的变化对Ion和Ioff的影响不同,所以器件开关比随Halo注入角度、剂量和能量的增加呈现非单调性改变。器件的结电容则随Halo注入角度增大而下降,随注入剂量增大而上升,随注入能量的增加先上升后下降。对Halo注入各工艺参数影响器件性能的机理进行了分析,并实验制备了纳米尺度的Halo结构NMOS器件。 相似文献