一种基于数字灰度的微显OLEDos的片上电路设计

介绍了高分辨率硅基微显OLED的特性和时间子场的数字灰度技术,基于单晶硅CMOS成熟技术,给出了一种片上电路设计方案,方案采用2管的数字像素电路,集成了行扫描电路及列数据驱动电路,经模拟仿真满足设计要求。     

新型减反屏蔽膜系的模拟设计

为解决航空条件下复杂外界环境对液晶显示器的各种干扰,本文设计了一种新型减反屏蔽膜系结构,将ITO透明导电膜层作为减反膜系中的一层,使膜系在达到减反效果的同时还具有屏蔽功能,大大降低了ITO作为屏蔽膜层单独使用时在可见光部分的剩余反射率。通过TFCalc光学膜系设计软件进行模拟．结果表明该膜系结构在可见光部分的剩余反射率明显下降,其中最优膜系的平均剩余反射率为0．43％,面电阻率达到11．8Ω／□,使得液晶显示器在航空环境条件下的工作性能有了显著提高。     

一种真三维显示数据生成的方法

固态体积式真三维显示技术是目前最新的体数据显示技术.针对该技术存在的实时显示问题提出一种真三维显示数据生成的方法.该方法以Visual Studio.NET为平台通过基于OpenGL格式的三维模型为例进行实验,对三维图像数据进行读取、压缩编码以及快速绘制进行了研究.程序已在VC++.NET环境下编译、调试通过,优化代码后,图像显示的刷新速度为24帧/s,在计算机上初步实现了实时显示.     

安全性评估方法在通用飞机航电系统中的应用

目前国内通用飞机产业发展进入加速期,对于国内飞机厂商及供应商而言,如何研制出满足适航安全性要求的产品以取得适航许可成为最为迫切的问题之一。以自行研制的多发涡轮通用飞机航电系统为例,给出了一种在系统架构设计中运用安全性评估并利用评估结果对系统架构提出改进措施的方法。对灾难级失效状态的分析结果表明,合理利用安全性评估方法能够有效地找出设计过程中存在的缺陷和风险以满足适航安全性要求。     

多注耦合腔慢波结构冷测特性研究

对多注耦合腔慢波结构的色散和耦合阻抗特性参数的计算分析方法进行了讨论,特别是边注耦合阻抗的模拟算法.利用准周期边界条件计算了Ku波段五注耦合腔慢波结构色散特性,直接通过定义式得到了-1次谐波纵向电场分布和5个电子注的耦合阻抗曲线.比较了垂直于电子注传播方向截面上x、y坐标轴上电场Ez的分布,以及各电子注耦合阻抗的差别与变化趋势,分析讨论了多注电子耦合阻抗的特点,对实际多注耦合腔行波管设计有一定指导意义.     

Al掺杂对甲醇醇解法合成ZnO纳米粉体的影响

采用醇解法,在130℃的甲醇溶液中分别合成纯的和Al掺杂纳米氧化锌(ZnO)晶体.使用X射线衍射仪,透射电子显微镜,Fourier红外光谱和偏振稳态荧光光谱对其晶体结构和光学性能进行了表征.结果表明:在甲醇溶液中,在较低的温度(130℃)下,成功制备出纳米ZnO晶体.Fourier红外吸收光谱表明醇解法合成的ZnO纳米晶体含有较少的有机物杂质.荧光光谱结果可以看出,纯ZnO和Al掺杂的ZnO纳米晶体在可见光范围(400nm～700nm)内有一个高的蓝光发光带(峰位为440nm)和一个绿光发光带(纯的和Al掺杂的峰位分别为520nm和530nm).通过对比发现掺杂Al可以有效的改变ZnO纳米粉体的可见光发光特性.     

热处理温度对溶胶凝胶法制备ZnO∶Sn薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备掺锡氧化锌(ZnO∶Sn)透明导电薄膜,研究了干燥温度和退火温度对薄膜结晶度、微观结构、光电特性的影响.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针法等分析方法对ZnO∶Sn薄膜进行分析表征,结果表明:在300℃温度下干燥10min后,在700℃空气中退火1h制备出的ZnO∶Sn薄膜表面平整,具有c轴择优取向,平均透过率达到92％以上,电阻率仅为13.6Ω· cm.     

溶胶-凝胶法制备Li掺杂ZnO纳米薄膜及其表征

采用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备了ZnO∶ Li薄膜.研究了薄膜厚度对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明:所有薄膜均由具有c轴优先生长取向的六角纤锌矿结构的ZnO晶体构成,晶体的粒径随厚度的增加先增大而后减小;薄膜的方阻随厚度的增加先减小后增大,当薄膜厚度为6层时,可获得最低方阻;所有薄膜均是透明的,在可见光区的平均透光率＞80％;薄膜具有较强的紫外、绿光发光特性以及微弱的蓝光发光特性,随着薄膜厚度的增加,三种发光峰逐渐增强.     

磁控溅射制备氢掺杂氧化锌薄膜的掺杂性能研究

主要研究了氢掺杂氧化锌(ZnO∶H)薄膜的性能,发现随着H2流量比的变化,其主要表现为浅施主掺杂、钝化空位缺陷以及刻蚀等作用。当H2流量比较小时(R≤0.02),样品沿(002)择优向生长,这时H原子主要作为浅施主掺杂,钝化氧空位和取代锌离子,使晶胞体积变小,提高ZnO薄膜的结晶性,同时使得ZnO带尾变窄,带隙变宽;SEM图观察到薄膜表面粗糙,晶粒变大、且分布均匀;薄膜电阻率下降,主要是薄膜结晶质量提高增加了电子迁移率及浅施主掺杂提高了电子浓度。当H2流量比较大时(R≥0.04),样品XRD(002)衍射峰淬灭,晶胞体积变大,薄膜结晶度降低。从红外吸收谱可以看出,在3400～3900cm-1范围,出现一个较宽的吸收带,这属于典型的O—H键区域振动模式(LVM)吸收带。由于极性分子团羟基造成电荷不平衡,产生氧空位,提高电子浓度,使薄膜电阻率降低。同时,由于刻蚀作用使得缺陷浓度增加,带尾变宽,使得薄膜带隙变窄。     

主变压器风冷系统控制装置

基于MSP430F149单片机的主变压器风冷系统控制装置,采用2个完全独立的控制部分将主变压器风冷系统的2路电源和6组风扇分开独立控制.该装置通过采用优化的交流采集算法以及若干抗干扰措施,克服了传统继电式控制方式自动化程度低、功能不完善等缺点,实现了变压器通风回路的自动控制,有效解决了恶劣环境稳定运行的难题,对提高变电所综合自动化水平及推动变电所无人值班工作的实施具有重要意义.