稀土锆酸盐的制备和热膨胀性能

采用固相反应法制备了稀土锆酸盐材料.通过XRD图谱和SEM对材料的显微结构进行分析,并测试了不同温度下材料的热膨胀系数.结果表明稀土锆酸盐材料的热膨胀系数大约为11×10-6/℃,其值随着温度的升高而升高,升高的速率逐渐减小.随着原子序数的增大,热膨胀系数是逐渐减小的,这说明稀土锆酸盐材料的热稳定性是随着原子序数的增大逐渐增强的.     

化学液相法制备BiFeO3薄膜

以硝酸铋、硝酸铁以及柠檬酸为原料通过化学液相法在普通载玻片、(100)Si片和(100)ITO玻璃上分别制备了不同厚度的BiFeO3薄膜,研究了热处理温度对BiFeO3的形成以及微观形貌的影响.Si片上的薄膜由于与衬底之间的反应,得到纯BiFeO3相热处理温度需低于650℃,而在普通载玻片和ITO玻璃衬底上,525℃到650℃均可以得到结晶良好的纯BiFeO3薄膜.550℃热处理得到的BiFeO3薄膜中的晶粒尺寸大约在7080 nm之间,650℃热处理得到的晶粒尺寸约有140 nm.磁性能测试证明薄膜有弱铁磁性,饱和磁化强度约在7000～9000 A/m.     

镉掺杂Bi2VO5.5的结构、相变、电导性能的研究

通过X射线衍射,DSC和交流阻抗等测试方法研究了镉掺杂Bi2VO5.5的结构,相变和电性能.由于Cd2+的半径与V5+和Bi3+的半径都比较接近,所以在合成BICDVOX体系时假设了两种模型:Bi2V1-xCdxO5.5-3/2x(x=0.05,0.075,0.10,0.125,0.15)和Bi2-xVCdxO5.5-1/2x (x=0.10,0.20).XRD和DSC分析表明了这两种模型可能同时存在.根据交流阻抗谱的结果,当x=0.10时,具有较高的电导率,这归因于此成分使高电导的四方相可以稳定到室温.     

Sm2O3和Nd2O3共同掺杂CeO2基电解质材料的研究

采用柠檬酸-硝酸盐法合成出单一相、均匀的Ce0.8SmxNd0．2-xO19粉体，XRD结果表明该粉体为单相萤石结构，粒径约在11．7nm～20．1nm之间。将粉体干压成型，在1400℃下无压烧结5h可得到高致密度陶瓷。SEM照片显示陶瓷微观结构均匀，晶粒尺寸在2μm～4μm。经直流四端电极法测试得到该样品在500℃时电导率约在0．012 S／cm。该结果说明与单项掺杂相比，两相共掺杂会进一步提高材料的电导率。     

板料多道次拉深成形规律和性能的研究

在物理模拟的基础上，研究了板料拉深成形过程中，材料的性能参数和工艺参数对板料成形性能的影响，着重分析了对多道次拉深成形的影响。结果表明，无论是材料性能参数还是材料的工艺参数都对再拉深的影响比对单道次拉深的影响林大得多，但两种参数对多道次拉深的影响过程前后是一致的。同时可以看出，多道次拉深之间是相互影响的，不能割裂开来考虑。     

工艺条件对Zn0.88Ni0.02Li0.10O薄膜取向、形貌和磁性的影响

采用旋转涂覆法在普通玻璃上制备了Zn0.88Ni0.02Li0.10O薄膜,以X射线和扫描电镜作为表征手段,讨论了不同工艺参数对该薄膜取向和形貌的影响.结果表明:热处理温度和旋涂速度较高时取向增强,形貌较好.VSM磁性测量表明:在玻璃基底和硅基底旋涂的薄膜都没有出现明显的磁滞现象.     

电沉积法制备Ni-Ti3SiC2复合镀层

以自制纯度超过98%(体积分数,下同)的Ti3SiC2陶瓷粉体为原料,加入分散剂和表面改性剂,制成稳定悬浮液,并加入Watts镀镍电镀液,利用磁力搅拌分散均匀,在阴极电流密度2 A/dm2～5 A/dm2下,在低碳钢基体表面成功得到Ni-Ti3SiC2减摩复合镀层.SEM观察表明,表面改性剂的加入有效地改变了粉体表面电导性质,得到致密平整的复合镀层结构.XRD及EDS分析表明:镀层中Ti3SiC2微粒含量为5%～14%(体积分数,下同).当制备过程中以间歇式搅拌代替连续搅拌时,可得到Ti3SiC2相含量超过30%的复合镀层.复合镀层的显微硬度随微粒含量的升高而增大.     

反向工程中测量点云配准的新方法

在光学非接触三维测量中，复杂对象的重构需要多组测量数据的配准。为了获得好的配准结果，提出一种新的配准方法——直接误差分析配准方法。该方法基于一种新型的双目CCD光栅投影测量系统进行测量和分析。实验结果表明该测量方法的配准误差大约0．2mm左右．从而证实该方法的可行性。     

基于拆分冒泡排序法的模块化多电平换流器电容电压均衡策略

针对模块化多电平换流器（MMC）传统电容电压排序效率低的问题,提出了一种基于冒泡原理的拆分冒泡电压均衡控制策略,并为降低子模块的开关频率,采用了保持因子的电容电压均衡方法。在MATLAB/Simulink平台搭建模型进行仿真,结果表明该方法在提高电容均压效率的同时有效地降低了开关频率。