ARINC608A标准的ATE

该文在简要介绍ARINC608A标准的基础上,对成都华太研制的ATES 6系列ATE如何满足ARINC608A标准SMART软件体系,ATE硬件接口,仪器控制总线结构等的要求作了介绍.     

连续偏序集的下收敛结构

通过引入下收敛与下平收敛的概念，揭示了连续偏序集在Ｓｃｏｔｔ拓扑与Ｌａｗｓｏｎ拓扑下的收敛网的结构，建立了完整的连续偏序集的下收敛理论。     

从金泥中湿法提取金银的新工艺

金矿山所得浮选金精矿经氰化物溶液浸出、再用锌粉置换得到富含金银及几种有色金属(锌、铜、铅等)的金泥。金泥通常用火法冶炼得到合质金(含金和银),并进一步用两步电解法加工得纯金、纯银。这种传统工艺,流程复杂,金、银无名损失大、直接回收率和总回收率低。特别是用火法熔炼,金在坩埚及炉渣中损失大,并难以回收,能耗及成本高,电解过程滞留金量大、辅助工艺繁杂,操作不能连续化,劳动条件差,等等。为克服这些缺点,我们研究发展了一种全湿法新工艺。其特点是选择性浸出金和银,用萃取法提纯金及用氢(或水合肼)还原银。 试验用干金泥组成(％)为:Au 14.285,Ag 2.05,Zn 45.2,Cu 16.2,Pb 10.0,S 4.95。 浸金以前先用硫酸、硝酸铵溶液浸出铜和锌。浸出液中金含量很低,为<0.5毫克/升。常规湿法流程则先用硝酸浸铜、银、锌后用王水浸金。在硝酸浸出时浸液中含金13.5—27.5毫克/升,这样分散的金难以回收,造成金的分散损失。因此在硫酸介质中金分散损失少得多。 金的浸出用硫酸—氯化钠—氯酸钠作浸出剂,能完全浸出金,且比常规浸出剂(如王水、盐酸—氯气、盐酸—氯化钠—     

装饰龙骨钢架螺栓连接工艺

文章介绍将装饰龙骨钢架的连接形式改为螺栓连接,结合BIM技术,在装饰施工前进行结构受力分析并进行外挂材料的排版,可以有效地缩短施工工期并保障施工质量.     

低功耗UHF RFID标签基带处理器的ASIC实现

设计并实现了一种新颖的超高频RFID标签的基带处理器.该标签以ISO/IEC 18000-6C协议为基础,但在反向链路通信方面,在原协议FM0编码/Miller调制副载波的基础上增加了扩频编码的实现,目的是提高反向链路的通信信噪比.该设计支持协议要求的所有11条强制命令的读写操作,概率/分槽防冲突算法,以及对存储器的读写操作.设计中采用了低功耗技术,显著降低了芯片的平均功耗和峰值功耗.芯片采用0.18 μm6层金属CMOS工艺进行流片,面积为0.5mm2.测试结果表明,芯片消耗功耗约为16μW,最低工作电压为1.04 V.     

特高压输电线分裂导线表面电场及起晕分析

输电导线起晕的重要判别条件是导线表面电场强度是否达到临界值。为研究分裂导线表面电晕分布情况,根据单相八分裂导线起晕电压试验值,先运用模拟电荷法计算了1 000 kV特高压八分裂子导线表面每个匹配点的电场强度值,然后与用经验公式计算出的临界场强对比,找出子导线表面的电晕分布区域,并计算出了该域内的起晕点个数、起晕角度、占导线表面比等数据以及子导线半径、导线高度对起晕分布的影响。分析计算表明:每根子导线在表面有限范围内起晕,且占整个导线表面积的30%～40%;对地高度越高子导线表面起晕范围越大,子导线半径对起晕范围也有一定影响。通过研究工作,期望对分析导线的电晕损耗等问题提供有力的帮助。     

具有高可调增益范围的CMOS宽带中频调制器

利用TSMC 0 .2 5 μmCMOS混合工艺 ,针对超外差结构的无线宽带收发器 ,实现了一个能够工作在 5 0～6 0 0MHz的中频调制器 ,并对该调制器进行了仿真和测试。由于该调制器在输出端采用了一个具有高可调增益范围而且鲁棒性能好的可变增益放大器 (VGA) ,从而使得该调制器具有超过 70dB的增益可调范围。测试结果表明 ,该调制器能够工作在 5 0～ 6 0 0MHz的频率上 ,输出功率为 - 81～ - 10dBm ,最小增益的输出噪声为 - 130dBm/ Hz,最大增益的输出P1dB点为 - 4 .3dBm ,在 3V的电源电压下 ,电流功耗为 32mA。     

负相协下递归密度估计的强收敛速度

在一定条件下给出了一种递归核估计的强收敛速度,同时给出了失效率函数的强收敛速度。     

一种900MHz RFID读卡器中的高性能CMOS频率综合器

实现了一个应用于RFID系统的低功耗、低噪声的锁相环频率综合器.该频率综合器采用UMC 0.18μm CMOS工艺实现,输入时钟为13MHz,经测试验证输出频率为718～915MHz,相位噪声为-124dBc/1MHz,-101.13dBc/100kHz,频率分辨率为200kHz,功耗为54mW.     

超高频RFID读写器调制解调模块的设计

分析了超高频RFID读写器的系统结构,设计了用于读写器射频收发机中调制和解调的模块,并在0.18μm CMOS工艺下进行了流片验证.测试结果表明,调制器输入ldB压缩点可达14dBm,插入损耗为l.17dB,关断时隔离为33dB,输入输出端皆匹配在50Ω;解调器输入ldB压缩点可达5dBm,噪声系数仅9dB,而且具有4.9dB的电压增益,克服了传统结构没有正增益的缺点;两者均无直流功耗.