基于修正Xu-White模型的碳酸盐岩横波速度估算方法

在许多实际地球物理资料中往往缺失横波速度信息,这给叠前地震属性分析和叠前地震反演均带来不利影响。如今针对碎屑岩地区的横波速度预测方法已日趋成熟,而针对碳酸盐岩地区的研究相对较少。本文基于经典Xu-White模型,从岩石物理角度构建出一种适用于碳酸盐岩的修正Xu-White模型;然后类比于Pick-ett、Castagna等建立的碳酸盐岩纵横波速度经验公式,建立了更适用于碳酸盐岩地区的经验公式;将该经验公式和修正Xu-White模型应用于实际碳酸盐岩地区的横波速度预测,对预测结果进行的对比分析证实,修正Xu-White模型具有更高的横波速度预测精度。     

时域布里渊散射技术在高压下立方相晶体的弹性性质研究中的应用

时域布里渊散射技术(time-domain Brillouin scattering, TDBS)是近些年发展起来的一种超快泵浦探测技术。利用本实验室新近搭建的TDBS实验平台,结合金刚石压砧(diamond anvil cell, DAC),介绍了一种全新的原位测量高压加载下立方相透明晶体的单晶弹性常数的方法。以单晶MgO为研究对象,测量了常压及高压下MgO的[100]与[111]晶向的纵波声速,分析了其声速各向异性。再结合已知的状态方程,获得了MgO的完整弹性常数。实验结果表明,MgO在常压下呈现较强的声速各向异性,但随着压强的升高,其声速各向异性逐渐减弱,并在压强为约18 GPa时趋于各向同性。实验结果与文献中的实验数据十分吻合,证明了该实验方法的可靠性和高精确性。     

温度对碳化硅器件封装用有机硅弹性体陷阱特性的影响

有机硅弹性体作为一种高分子聚合物，因具有良好的耐高温性能、绝缘强度以及与芯片的相容性，已在碳化硅功率器件中得到应用。目前国内外针对有机硅弹性体在高温下的绝缘特性研究较少，而介质的陷阱特性与其绝缘性能密切相关，研究有机硅弹性体的陷阱特性及其受温度的影响，对于该种灌封材料在碳化硅器件封装中的应用具有重要意义。为此，采用表面电位衰减法(surfacepotentialdecay,SPD)测量了有机硅弹性体在温度20～250℃范围内的表面电位衰减曲线，提取了不同温度下有机硅弹性体的陷阱电荷能级密度分布和迁移率等微观参数，建立了有机硅弹性体迁移时间、迁移率、电位衰减时间常数随温度变化的拟合表达式，分析了温度对有机硅弹性体陷阱特性的影响机制，确定了有机硅弹性体陷阱捕获电荷数量最大时的温度阈值。此外，结合有机硅弹性体陷阱特性，从载流子输运的角度解释了该材料电导率、迁移率以及深浅陷阱的电位衰减时间常数之差随温度变化的规律，并通过分析有机硅弹性体的微观结构特征，解释了该材料陷阱特性的极性效应。相关结果可以为不同温度下有机硅弹性体绝缘特性的认知提供支撑。