40mm以上厚度X80级管线钢板的研究与开发

兴澄特钢在前期成功研发33 mm厚度X80级管线钢板的基础上,利用多年的技术积累,通过成分和工艺设计,成功开发出厚度40 mm以上X80级管线钢板,应用于Φ1 219 mm规格管道工程,X80级管线钢板的-10℃全厚度低温落锤撕裂剪切面积率达到85%以上,且钢板沿厚度方向依然具有较均匀的组织和性能,满足客户各项性能要求。     

一种自动化密封检测装置的设计与试验研究

为解决低压密封仪器设备密封性能的室内快速检测问题,基于压降法,给出了低压密封仪器的检测原理、判定方法,并通过实验进行了验证。基于该方法,设计了一款自动化密封检测装置,可实现多通道并行实时检测,便于室内操作,方便可靠。     

干旱风沙区平原型水库防护林带有效宽度研究

为合理确定干旱风沙区水库周边防护林带有效宽度,以金塔县解放村水库为研究对象,用袋式SCC-X多通道风蚀测量仪对防护林带内不同高度及不同林带宽度的输沙量进行监测,分析了不同林带宽度的减蚀率和边际效益。结果表明:干旱风沙区水库防护林带内输沙量随距地面高度的增加而减小,以离地面20 cm以下为主,其占100 cm以下输沙总量的比例为41.49%～62.23%;林带内离地面80 cm以下的输沙量占100 cm以下输沙总量的90%左右,因此应选择低矮、抗旱的灌木树种建植固沙林带,以降低防护林灌溉耗水量和管理费用;沙源前沿防护林为灌木幼林的情况下,当林带宽度在233～365 m之间时减蚀率指标最大,当林带宽度为234 m时阻沙边际效益最大,解放村水库经济合理的灌木防护林带宽度以240 m左右为宜。     

脱硫活性焦水洗再生过程实验研究

对5种活性焦水洗再生前后的脱硫性能进行实验研究，通过比表面积（BET）、X射线光电子能谱（XPS）方法表征水洗再生工艺对活性焦孔隙结构和表面化学性质的影响，揭示影响活性焦水洗再生性能的关键因素。结果表明:活性焦脱硫硫容的大小和水洗再生率的高低没有直接关系；微孔比表面积较大的活性焦脱硫性能较好，中大孔孔容较大的活性焦水洗再生率较高，同时具备较大的微孔比表面积和中大孔孔容结构的活性焦适宜水洗再生工艺；活性焦表面极性含氧官能团含量越高水洗再生效果越好；活性焦AC5经过6次水洗再生循环，微孔中的硫酸经过多次累积后可以被水洗出，稳定再生率保持在45%~50%，最适用于活性焦水洗再生工艺。     

浅析远程抄表数据采集完整率的影响因素

以推动电力行业发展为前提,针对远程抄表数据采集完整率进行了分析,其次阐述了2点影响因素,提出了针对性的解决建议,最后围绕构建自动抄表系统,从制定方案、技术规范优化、通过勘查完善工作方案、组织专业培训、选择质量高的机械设备5个方面展开论述,明确保证远程抄表数据采集完整性的有效方法。     

梁子湖水环境主要污染因子研究

研究了梁子湖水环境主要污染因子。分别采用综合污染指数法和卡尔森综合营养指数法对梁子湖入湖口、中心梁子岛、东梁子湖湖心、出湖口等监测点的水质状况和营养状态进行评价。结果表明,梁子湖的出湖口水质状况最好,入湖口最差;全湖处于中营养状态;总磷、总氮、COD_(Cr)、COD_(Mn)、BOD_5为梁子湖主要污染因子;梁子湖主要污染物的来源主要包括外源污染物的流入、区域内面源污染等。     

攀钢高炉渣提钛技术进展

攀西地区蕴藏着丰富的钒钛磁铁矿，但到目前为止，矿石中所含的钛资源利用率十分低下，从原矿到钛精矿的钛收得率仅为7％左右。原矿中约有50％的钛进入了攀钢特有的高钛型高炉渣中，其TiO2含量为20—26％，已堆存的高炉渣中约有1300多万吨TiO2，且每年新增至少60万吨TiO2。这种高钛型高炉渣作为提钛原料其含钛量太低，如何有效提取或利用其中宝贵的钛资源是一个难度极大且非常重要的课题。本文对过去所做过的提钛技术研究进行了全面回顾，探讨了一些关键问题，以期明确今后提钛研究的方向和工作重点。     

异构分层无线网络中基于逗留时间的动态流量均衡算法研究

为使异构分层无线网络能服务更多的移动用户,提出了一种基于逗留时间的动态流量均衡算法.该算法首先根据用户移动模型计算其在小区内的逗留时间,然后基于小区呼叫到达率和重叠覆盖小区的流量状态来确定一个周期内呼叫转移的数量,最后依据逗留时间门限值将重负载小区中满足条件的呼叫转移到轻负载的重叠覆盖小区中.为降低切换呼叫掉线率,还对异构网间的呼叫切换策略做了改进.仿真实验结果表明,本算法在新呼叫阻塞率和切换呼叫掉线率等性能指标上比传统方法有显著的提高.     

ZnO基薄膜晶体管的研究

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。