电流舵型D/A转换器毛刺理论及改进设计

分析了高速电流舵型D/A转换器中毛刺产生的原因,提出开关对的栅信号转换速度不一致是产生毛刺的主要原因。基于这一理论,解释了输出的三个现象,进行了三个方面的改进,大幅减小了毛刺和建立时间,改善了动态参数。改进后的电路,在电流源输出为30μA、负载为70Ω时,输出电流毛刺峰值从-4.570μA减小到-1.633μA,电压毛刺面积从5.6 pV.s降到2.3 pV.s;在相同仿真条件下,D/A转换器的SFDR值上升了10 dB。     

CuO和V_2O_5对MnZn功率铁氧体性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备了分子组成为Mn0.69Zn0.24Fe2.07O4的MnZn功率铁氧体,研究了不同CuO和V2O5含量对MnZn功率铁氧体晶相、显微形貌和磁性能的影响。结果表明,添加CuO和V2O5可促进晶粒生长,增大晶格常数,适量添加可降低气孔率,提高起始磁导率和电阻率,降低损耗;而加入过多的CuO和V2O5会导致晶粒异常长大,气孔率增加,起始磁导率和电阻率降低,损耗增大。当w(V2O5)=2.76×10-2%,w(CuO)=1.2×10-2%时,烧结样品的晶粒最均匀致密,气孔率最低,起始磁导率和电阻率最大,损耗最低。     

基片温度对Ni_(81)Fe_(19)薄膜磁性能的影响

采用电子束蒸发法在Si(111)基片上制备厚度约为100nm的Ni81Fe19薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构及磁性能的影响。结果表明,随着基片温度的升高,Ni81Fe19薄膜(111)衍射峰逐渐锐化,衍射峰强度显著增强,薄膜晶粒逐渐长大;薄膜的饱和磁化强度(Ms)及面内矫顽力(Hc)随基片温度的升高均逐渐增大;随着基片温度的升高,薄膜在9GHz下的共振场(Hr)呈单调降低的趋势,而铁磁共振线宽(ΔH)则先减小后增大最后基本保持不变。当基片温度为100℃时,薄膜铁磁共振线宽具有最小值ΔH=7.44kA/m(9GHz)。     

添加CaO和MoO3对MnZn铁氧体磁导率及阻抗频率特性的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备高磁导率MnZn铁氧体材料,研究了CaO和MoO3添加对材料磁性能的影响。添加CaO可以形成高阻晶界层,增大材料电阻率,明显增大材料的中频阻抗。添加MoO3能促进晶粒长大,提高起始磁导率,但磁导率频率特性变差。当复合添加0.04wt%CaO和0.07wt%MoO3时,材料具有较好的综合性能:μi=11495,μ200kHz/μ10kHz=98%,T25×15×8的环状磁心在50mV、500kHz测试条件下,阻抗Z=2255。     

射频磁控溅射法低温沉积MnZn铁氧体薄膜

采用磁控溅射法在Si(100)、Si(111)和玻璃基片上原位沉积MnZn铁氧体薄膜,用X线衍射(XRD)仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征薄膜的物相结构与微观形貌,用振动样品磁强计(VSM)测试薄膜的磁性能.结果表明,在Si(100)基片上原位沉积的MnZn铁氧体薄膜,在较低的基片加热温度(Ts=50℃)下即可晶化;Ts升高,MnZn铁氧体薄膜的XRD衍射峰强度逐渐增强;当Ts≤150℃时,MnZn铁氧体薄膜X线衍射主峰为(311),但当Ts≥200℃后,MnZn铁氧体薄膜沿{111}晶面生长.在Si(111)和玻璃基片上沉积的MnZn铁氧体薄膜,其XRD衍射主峰分别为(111)和(311).     

采用遗传算法的双频Wilkinson功分器的优化设计

采用遗传算法对双频等分Wilkinson功率分配器进行优化设计．双频等分Wilkinson功率分配器由两节阻抗变换器和两个隔离电阻组成．基于理想传输线模型,采用偶模/奇模分析便可得到功率分配器的参数设计方程．在此基础上,采用遗传算法进行优化设计,加入了最优保持操作、变概率的交叉和变异操作,解决了遗传算法的早熟收敛问题．使用射频仿真软件ADS对优化后的双频等分Wilkinson功率分配器进行仿真分析,结果表明:在两个给定的频率上,所有端口有着良好的匹配,隔离度大于40dB．经优化设计后的功率分配器在两个频率上都具有良好的性能．     

ADSL变压器重要参数分析

针对ADSL变压器的几个重要参数(总谐波失真、插入损耗、反射损耗、平衡度等)进行分析,通过优化磁芯、匝数和变压器的绕线方式来提高变压器的工作性能,确保变压器的高保真信号传输.     

添加Ta2O5对NiCuZn铁氧体显微结构及磁性能的影响

采用固相反应法制备添加Ta₂O₅的NiCuZn铁氧体, 研究了不同Ta₂O₅含量对NiCuZn铁氧体显微结构, 静磁性能和高频损耗的影响。结果表明: Ta₂O₅具有细化NiCuZn铁氧体晶粒的作用, 可降低材料的烧结密度。随着Ta₂O₅含量的增加, 样品的饱和磁感应强度和起始磁导率单调减小, 矫顽力则逐渐增大, 截止频率逐渐升高, 而高频损耗呈先降低后增加的趋势, 其主导因素由剩余损耗逐渐过渡到磁滞损耗。当Ta₂O₅含量为0.12wt%时, 样品在3 MHz、10 mT、100℃下总损耗最小, 为139 mW/cm³, 其中磁滞损耗和剩余损耗分别为93 mW/cm³和46 mW/cm³。     

基于GMR传感器阵列的生物检测研究

利用磁性传感器,特别是GMR传感器,对生物特异性反应进行检测,从而解决传统荧光检测存在的标记易失、可重复性差,对设备和技术人员要求高等缺点.采用超顺磁磁珠作为磁性标记物,将其与被测生物分子充分结合后固定在芯片表面,再通过磁阻传感器的磁阻变化检测磁性标记的存在.采用高灵敏度的GMR传感器和磁性含量高的磁性颗粒,减小标记与传感器之间的距离和尺度差异,能提高阵列生物检测性能.将GMR传感器阵列应用在生物检测上是极具发展前途的研究方向,通过对已有方案的改良或选用新型的材料,最终会实现磁性生物传感器灵敏、快速、便捷的实际应用.     

MnZn功率铁氧体研究进展

简要介绍了MnZn功率铁氧体的研究现状,分析了各种制粉方法,讨论了添加剂和不同烧结方式对MnZn功率铁氧体磁性能的影响.