折叠反馈补偿技术的铂电阻温漂修正方法

由于铂电阻自身存在的非线性会给测量带来误差.采用折线形式的反馈电路,将铂电阻以4线制的方法接入到测试电路中.设计的温度传感器可以大幅提高测量精度.经实验测试,在0~100℃范围内,其非线性误差在0.04%以内,最大输出电压误差在0.002 V以内.此类温度传感器具有高可靠、高精度、低成本等特点,非常适用于对温度测量有着苛刻要求的工业环境中.     

TiO2-SiO2双组分膜结构与光催化性能的研究

采用溶胶-凝胶法制备了不同Si／Ti比的TiO2-SiO2双组分膜．用紫外光照射亚甲基蓝的分解实验比较薄膜的光催化性能．通过XRD、FTIR、HRTEM、FE—SEM、AFM以及UV—VS—NIR分光光度计等分析手段对薄膜的结构和光学性能进行了表征．结果表明：适量SiO2的引入，显著提高了TiO2薄膜的光催化活性，Si／Ti比为0．2时薄膜的光催化活性为最佳．SiO2引入TiO2薄膜后，生成了Ti—O—Si玻璃相和无定形SiO2，这两种物相聚集在TiO2晶界周围，有效地阻止了TiO2的晶粒长大，提高了锐钛矿相向金红石相的转变温度，使复合薄膜经过500℃热处理后，只有锐钛矿相存在，有利于薄膜的光催化活性的提高．     

溶胶-凝胶法制备ZrO2缓冲膜的研究

本文用溶胶－凝胶技术,以无机盐氧氯化锆为前驱体,在不锈钢表面上制备了含ＳｉＯ２相的ＺｒＯ２缓冲膜,并用真空蒸镀法在其上沉积一层厚度为１５０ｎｍ的金膜。通过ＸＲＤ,ＦＴＩＲ,ＳＥＭ及ＡＥＳ等测试手段对ＺｒＯ２缓冲膜的性能及其热处理过程中的物理化学变化进行了表征。结果表明,不锈钢箔基体上的四方ＺｒＯ２膜在（２００）晶面上有择优取向的特点,缓冲膜与基体之间存在着一定程度的互扩散作用。同时,法向热发射率的     

液相沉积法制备TiO2薄膜及其亲水性能研究

本文采用液相沉积法（ＬＰＤ）制备了透明ＴｉＯ２薄膜,并研究了其紫外一可见吸收性能手紫外光照射下薄膜亲水性能的变化。发现热处理前后的薄膜具有相似的紫外吸收性能,在上光照射下亲水性能都有提高,热处理后的薄膜在紫外光照射下可与水完全润湿。和Ｘ光电子能谱对薄膜表面的分析表明,热处理前后的薄膜亲水性能的差异是由于薄膜表面的Ｔｉ－Ｏ键合及ＴｉＯ２成分增多,在紫外光照射下,Ｔｉ＾４＋变为Ｔｉ＾３＋并有利于水的吸     

南水北调双王城水库截渗技术方案分析

通过对双王城水库勘察,查明库区水文地质条件,重点查明坝基相对不透水层壤土的分布厚度、水文地质特征,并针对壤土分布较薄区段,综合考虑截渗手段。根据对渗漏条件的分析,通过对垂直截渗和水平防渗两种坝基防渗方案的比对,优选出最理想的防渗方案。     

用“一单四表”管理网络维护维修工作的探析

我国的CATV事业经过十余年的发展,现已进入一个新的发展阶段。网络规模越来越大,网络技术含量越来越高,网络功能也越来越丰富。一个集多种功能于一身的广电航母即将形成。数字化、信息化、智能化、宽带化已成为新时期CATV发展的特点。B平台     

利用广电光纤网络实现局域网互联的规划与设计

主要讨论了在有线电视现有HFC光纤网络上进行计算机网络互联的一种方案，并且详细叙述了在网络设计过程中网络拓扑结构的建立、IP地址的划分、3层交换机以及光纤收发器的安装与配置。实践证明，在现有HFC网络上利用光缆备份纤进行计算机网络的互联是有线电视网络多功能开发业务的一种发展方向。     

Ag/TiO2薄膜结构和光催化性能研究

采用溶胶-凝胶技术制备了Ag掺杂的TiO2薄膜.用XRD、氮吸附法、UV-VIS-NIR分光光度计以及XPS对Ag掺杂后TiO2薄膜结构的变化进行了分析;用分光光学法通过在紫外光照下分解亚甲基蓝的实验比较了TiO2薄膜与Ag/TiO2薄膜的光催化性能.结果发现,掺杂适量的Ag有助于TiO2薄膜光催化氧化性能的提高,原因在于:（1）Ag通过引入耗尽层提高了TiO2的电荷分离能力,并吸引空穴向薄膜表面移动,结果使薄膜表面空穴的浓度提高,薄膜光催化效率提高;（2）Ag减小了TiO2粒子的粒径,使TiO2禁带宽度增大,薄膜光催化氧化的能力提高;（3）Ag掺杂后,TiO2薄膜表面对-OH基和水的吸附增加,使光照后TiO2薄膜表面活性自由基·OH的浓度增加,空穴向薄膜所吸附物质的转移能力提高.     

非水解溶胶–凝胶法制备钛酸铝薄膜及其抗熔盐腐蚀性能

采用非水解溶胶–凝胶工艺,以无水三氯化铝和四氯化钛为前驱体,乙醇为氧供体,环保型高沸点二元酸酯混合物AGSE为溶剂,四丁基溴化铵为稳定剂,在碳化硅基片上制备出均匀、致密的钛酸铝薄膜。借助差热–热重、X射线衍射、场发射扫描电镜和扫描电镜等研究了钛酸铝干凝胶热处理过程中的相变化、钛酸铝薄膜的晶相组成、显微结构及其抗硝酸钠熔体腐蚀性能。结果表明:在750℃低温制备的钛酸铝薄膜晶粒约为10nm,薄膜具有良好的抗硝酸钠熔体腐蚀性能;热处理温度提高到1350℃后,钛酸铝薄膜的晶粒增大至120nm左右,晶界面积急剧减小,无定形相消失,钛酸铝薄膜的抗硝酸钠熔体侵蚀性能大大提高。     

铜基底预处理对CVD法生长石墨烯薄膜的影响

化学气相沉积法是制备大尺寸、高质量石墨烯的有效方法, 其中金属催化剂的性能直接关系到所制备的石墨烯材料的品质, 因此需对金属催化剂进行表面预处理。本文研究了不同的预处理工艺对常用的铜基底催化剂表面状态的影响, 提出了钝化膏酸洗和电化学抛光协同处理的有效方法, 并对电化学抛光工艺参数(抛光电压、时间)以及铜基底退火工艺(退火温度、时间)等进行了系统研究。研究表明: 电化学抛光电压过高、抛光时间过长容易导致过度抛光, 合适的抛光电压和抛光时间分别为8 V和8 min。退火温度和时间对铜催化剂表面晶粒形态影响较大, 经1000 ℃退火处理30 min后, 铜箔表面晶粒尺寸更大, 分布更均匀。此外, 对CVD法生长制备的石墨烯样品进行表征, 电镜图片和拉曼光谱显示, 获得的石墨烯薄膜的层数较少, 且结构缺陷较少。