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热处理和低温深冷处理改善ZTM陶瓷力学性能的研究 总被引：4，自引：0，他引：4
采用水解-沉淀法制取莫来石粉末,并以包裹法引入增韧剂ZrO_2(Y_2O_3)分散相。本研究制备的ZrO_2(Y_2O_3)-Al_2O_2-SiO_2粉末具有较高的烧结活性,在1450℃温度下热压,其相对密度达99%。经热处理后材料韧性与强度有较大幅度的提高,最大韧性与强度提高率分别达105%和34%。低温深冷技术可提高样品的强度,冷处理时间每次为5s循环5次的样品强度提高率约15%。热与深冷的复合处理对材料力学性质的提高具有明显的叠加正效应,最大强度提高率约48%。 相似文献
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Al2O3—SiO2基陶瓷特定波段红外发射特性的研究 总被引：3，自引：0，他引：3
研究了以Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２为基本组成的红外发射陶瓷、通过加入不同的外加剂探索了几种外加剂对该材料８－１２μｍ波面红外发射率的影响。通过ＸＲＤ的波谱分析，提出了各种外加剂对Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２基陶瓷红外发射率的影响机制。 相似文献
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碳化硅陶瓷的液相烧结及其研究进展 总被引：3，自引：0，他引：3
本文对碳化硅液相烧结添加系统及其烧结机理作了论述。有氧化物参与的碳化硅的液相烧结可以降低碳化硅的烧结温度，促进碳化硅的致密化，提高碳化硅陶瓷的性能。沿晶断裂和穿晶断裂混合断裂机理是液相烧结碳化硅陶瓷强度和韧性提高的原因，表面强化和韧化可以进一步提高碳化硅陶瓷材料的性能。 相似文献
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以CH3CH2OH为溶剂，CuCl和InCl3为反应物，H2S为硫源，用离子层气相反应法制备了CulnS2半导体薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱、扫描电镜和紫外-可见光谱等对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌及光电性能进行了表征。分析了混合前驱体溶液中阳离子浓度比【Cu】／[In】对薄膜化学计量及性能的影响。[Cu]／[In]〉／1、25时，可获得黄铜矿结构的CulnS2薄膜，其单相形成区外【Cu】／叫为1．45-1．65。 相似文献
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凝胶注模成型碳化硅陶瓷的烧结和性能 总被引：2，自引：1，他引：2
研究了用La2O3:Y2O3=4:1作SiC陶瓷的烧结助剂，同时添加Al2O3改变液相的性质，研究发现；该添加剂系统能有效地降低碳化硅陶瓷的烧结温度，Al2O3的引入提高了液相与碳化硅颗粒的反应性，增加了液相对碳化硅颗粒的润湿性，从而对促进碳化硅的烧结十分有利，烧结温度为1850℃，Al2O3:La2O3:Y2O3=4:4.8:1.2(摩尔）时烧结的碳化硅陶瓷具有最佳性能。 相似文献
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p型CuSCN半导体薄膜电沉积特征的研究 总被引：3，自引：1，他引：2
采用电化学沉积法分别用水和乙醇作溶剂在In2O3-SnO2(ITO)透明导电玻璃上制备出了CuSCN薄膜。通过XPS分析表明：2种溶剂中制备的CuSCN薄膜均为SCN化学剂量比过量,具有P型半导体特征。研究了溶剂对CuSCN薄膜结构和光电学特性的影响。结果表明：在乙醇溶剂中能够制备出晶粒更加细化,致密度较高的CuSCN薄膜,电化学沉积制备的CuSCN薄膜具有β-CuSCN结构,属于六方晶系,直接光学带隙为3.7eV,具有较高的透光率。电流-时间或电位-时间的变化曲线表明：利用薄膜的半导体电阻特性,可以影响薄膜的沉积行为。 相似文献
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无机络合溶胶-凝胶法制备多孔ZnO薄膜 总被引：5，自引：0，他引：5
利用无机络合溶胶-凝胶法制备多孔Zn O薄膜,同时利用多种测试手段对薄膜的晶体结构、表面形貌、多孔和光学性能进行了研究.XRD和SEM的测试结果表明,Zn O薄膜的晶体结构为六方纤锌矿,薄膜表面呈多孔状.由孔径分布曲线得出薄膜的孔主要集中在介孔2 .0 2 nm和4 .97nm ;5 0 0℃煅烧得到的Zn O薄膜的比表面积是2 7.5 7m2 /g;在不同温度下煅烧的薄膜在可见光区域透射率均高于85 % ,光学带宽为3.2 5 e V. 相似文献
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Y2O3—Al2O3—SiO2添加剂在低温烧结SiC中的作用 总被引：3，自引：1，他引：2
本文探讨了Ｙ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３添加剂在低温无压烧结ＳｉＣ中的作用以及在Ｙ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３添加剂中引入ＳｉＯ２的作用及机理,从而阐明了通过多项合理、有效复合添加降低ＳｉＣ烧结温度的可能性。 相似文献
