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SiCp/Al—Si复合材料中SiC/Al的晶体学位向关系 总被引:4,自引:0,他引:4
采用TEM研究了离心铸造和挤压铸造的SiCp/ZL109复合材料中SiC/Al的晶体学位向关系。对12个SiC/Al位向关系的测量结果表明,虽然SiC与Al之间的无固定的晶体学位向关系,但出现了如下优先位向关系:(1103)sic〃(111)A1,「1120」sic〃「110」Al.(0001)sic〃{111}Al不是优先出现的位向关系,讨论了生成(或生不成)有关位向关系的原因。 相似文献
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介绍了WLZ84-Ⅰ离心铸管机及其生产工艺,并采用PC程控器对该机进行实时控制。实践表明,除可靠性大为提高外,控制系统还具有操作简单、功能完善和容易维修等特点。 相似文献
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经过对离心铸管工艺及影响因素的讨论,确定了影响铁水在离心铸造中作轴向运动的主要参数并建立了数学模型,引入了微机对WLZ84-双管卧式离心铸管机进行实时控制,本文对微机控制系统的方案、模型及控制电路进行了讨论,设计并完成了控制电路及控制程序,通过模拟实验及生产仿真证明,本控制系统具有控制准确,操作简单,功能完善及精度高等优点。 相似文献
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用TEM研究了离心铸造的SiCp/ZL109复合材料中15R SiC/Si界面。SiC/Si界面结合紧密,无孔洞,无过渡层。15R SiC与其周围的Si保持以下位向关系:(11^-05)SiC//(1^-11^-)Si,[112^-O]SiC//[1^-12]Si。 相似文献
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用TEM研究的离心铸和扩压铸造的SiCp/ZL109复合材料,发现Si优先在SiC表面上形核,长大,并形成大量“界面Si”及SiC/Si界面,SiC与Si之间不存在固定的晶体学位向关系,但存在(1101)sic//(111)si,[1120]sic//[112]Si优先出现的位向关系,而(001)sic//(111)Si不是优先出现的位向关系。 相似文献
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以高纯氧化铝膜管为基体,以金属锌粉为原料,在高温下,用热CVD法在基体表面沉积形成了良好抑茵性能的氧化锌膜.反应温度和时间会影响表面氧化锌晶粒的生长,在1000℃的合适CVD温度下,反应时间为5min时,在氧化铝多孔膜管的内表面形成了一层膜厚约20~30μm的氧化锌膜层,氧化锌晶粒沿着与基体表面垂直的方向规则地生长.实验发现负载氧化锌膜的高纯氧化铝膜管有良好的抑制细菌繁殖的作用. 相似文献