不同焊接温度梯度下球墨铸铁的组织结构和力学性能研究

球墨铸铁因其优异的抗拉伸性能得到了广泛的应用,其在管材、汽车零组件、齿轮、轴杆、农业用具、铁路用品、齿盘、棍轮,刹车盘等领域有很大的应用需求。本文从球铁焊接时呈现出的焊接性能特点入手,对球铁热焊接、半热焊接以及冷焊接的焊接工艺进行了分析,对焊接温度参数变化时球铁组织结构变化情况进行了研究,最后对不同烘烤温度下球铁组织结构和力学性能进行了研究。     

草甘膦生产废水处理集成技术应用研究

针对草甘膦废水的污染成分复杂,污染负荷大,对环境影响大的状况,采用微电解-Fenton氧化-絮凝沉淀-厌氧-两级生化好氧处理集成技术工艺对草甘膦废水进行处理,经过调试与运行分析,除总P外,其他指标达到了《污水综合排放标准》(GB8978—1996)一级标准。     

精准加氯降低消毒副产物改善自来水口感

消毒工艺是制水工程中重要的环节,合理选择消毒工艺,在确保微生物指标合格的情况下尽可能降低消毒副产物是供水部门一直研究的内容。介绍了上海供水如何选择合理消毒工艺,控制消毒副产物,精准加氯,改善自来水口感的方法。     

同轴度对千斤顶测得值的影响分析

为探究同轴度对千斤顶测得值的影响,采用重锤法测量千斤顶轴线与标准测力仪主轴线间的同轴度。根据测得值计算了不同同轴度下千斤顶力值绝对误差、相对误差和内插误差间差。实验结果表明,千斤顶力值绝对误差和相对误差都随着同轴度的增大而增大;当同轴度一定时,力值绝对误差随着压力值增大而增大,压力值越大,增大效果越明显。但是,力值相对误差并没有随着压力值的增大而增大,而是在±0. 5%区间范围内变化,同轴度对千斤顶测量力值的影响量不大于0. 5%,在扩展不确定度评定时应当引入同轴度对千斤顶测量力值的不确定度这一分量。此外,内插误差间差并未随着同轴度的增大而增大,而是在±0. 1%区间范围内变化,同轴度对千斤顶内插误差的影响量不大于0. 1%。     

iMakeup:特定领域的大规模长视频数据集——用于细粒度视频语义内容描述

实际生活中,大多数视频均含有若干动作或物体,简单的单句描述难以展现视频中的全部信息,而各类长视频中,教学视频步骤清晰、逻辑明确,容易从中提取特征并使用深度学习相关算法进行实验验证,从长视频中提取复杂信息成为研究人员日益关注的问题之一.为此,文中收集整理了一个命名为iMakeup的大规模的美妆类教学视频数据集,其包含总时长256 h的热门50类2 000个长视频,以及12 823个短视频片段,每个片段均根据视频的逻辑步骤顺序进行划分,并标注起止时间和自然语句描述.文中主要通过视频网站下载收集原始视频,并请志愿者对视频的详细内容进行人工标注;同时统计分析了此数据集的规模大小和文本内容,并与其他类似研究领域的若干数据集进行对比;最后,展示了在此数据集上进行视频语义内容描述的基线实验效果,验证了此数据集在视频语义内容描述任务中的可行性. iMakeup数据集在收集整理时注重内容多样性和类别完整性,包含丰富的视觉、听觉甚至统计信息.除了基本的视频语义内容描述任务之外,该数据集还可用于视频分割、物体检测、时尚智能化推荐等多个前沿领域.     

基于差示扫描量热法测定硬聚氯乙烯管材微晶熔融焓的研究

利用差示扫描量热法(DSC)研究硬聚氯乙烯(PVC-U)管材的微晶熔融焓。将PVC-U管材的熔融过程在DSC仪器软件上再现,次级微晶和初级微晶的熔融吸收峰分别为A峰和B峰,在A峰起始点和B峰起始点之间划一直线,直线下方的阴影面积即为微晶熔融焓;由于PVC-U管材中添加剂的存在而导致假峰时,需要拟合假峰面积,将其扣除; PVC-U管材试样与样品盘的接触充分,有利于得到规则且平滑的DSC结果曲线;在实际测试中,宜从管壁芯层取样,综合考虑0°、90°、180°和270°4个方位的结果值。     

新工科人才培养模式下的工程训练教学改革

针对新工科建设的提出与初步实施对我国高校工程训练课程改革带来的影响,以广东海洋大学训练中心的工程训练课程改革优化为例子,对其最近两年的教学改革情况与全国大学生机械创新大赛获得成绩进行分析总结。实践表明,此次工程训练教学改革优化与实践效果显著。     

发动机活塞失效分析与应对措施

活塞是发动机的重要部件,对发动机的性能起决定性作用,活塞失效将导致整个发动机的失效。文章结合实际案例,主要针对活塞不同部位出现的典型失效及如何采取措施避免该失效的产生进行分析,为活塞设计、制造及发动机修理提供参考。     

C8 BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究

以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。