ClInPc—（TPD—PVK）光电导体性能的研究

本文以氯化酞菁铟（ＣｌＩｎＰｃ）为载流子发生层（ＣＧＬ），四苯基联苯胺（ＴＰＤ）与聚乙烯咔唑（ＰＶＫ）复合为载流子传输层（ＣＴＬ），形成双层结构的功能分离型有机光电导体（Ｐ／Ｒ），研究了它的静电感光性能。结果表明，ＣｌＩｎＰｃ／ＰＭＭＡ（３０％）与ＴＰＤ／ＰＶＫ（１：１）两者匹配时的Ｐ／Ｒ具有良好的光电导性能，其电荷接受能力Ｖｍａｘ≈８００Ｖ，光电导率△Ｖｔ（ｌｓ）＞７０％，暗衰小（＜５０Ｖ／ｓ）     

铟（Ⅲ）－钼酸铵－罗丹明B显色反应体系的研究及其应用

铟（Ⅲ）与钼酸铵和罗丹明Ｂ在ＰＶＡ存在下的酸性水溶液中形成离子缔合物而产生显色反应，该体系的灵敏度高，摩尔吸光系数ε＝２．４４×１０５Ｌ·ｍｏｌ－１ｃｍ－１，离子缔合物稳定性好，至少稳定４８ｈ。研究了显色体系的光度特性和３０多种共存离子的影响，该法应用于纯锡中痕量铟的测定，结果满意。     

In:Fe:LiNbO_3晶体波导基片光折变性能的研究

采用Czochralski技术生长了掺In摩尔分数分别为1%,2%和3%的In∶Fe∶LiNbO3晶体。测试In∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱发现:3%In∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的3484cm-1位移到3507cm-1。首次以全息法研究了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度。研究表明:晶体波导基片的光折变灵敏度大小顺序为Fe∶LiNbO3>1%In∶Fe∶LiNbO3>2%In∶Fe∶LiNbO3>3%In∶Fe∶LiNbO3。采用锂空位模型讨论了3%In∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位移的机理。讨论了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度减弱和抗光折变能力增强的机理。     

不同Li/Nb摩尔比In:Fe:LiNbO3晶体的生长及其光学性能

在LiNbO3(LN)中掺摩尔分数为1%的In和掺质量分数为0.03%的Fe,用提拉法技术生长具有不同n(Li)/n(Nb)[n(Li)/n(Nb)=0.94,1.05,1.20,1.38]的In:Fe:LN晶体.测试不同n(Li)/n(Nb)的In:Fe:LN晶体的吸收光谱、抗光致散射能力和指数增益系数,并计算晶体的有效载流子浓度.结果表明:晶体样品随着n(Li)/n(Nb)增加,吸收光谱的吸收边发生紫移,抗光致散射能力增加,指数增益系数和有效载流子浓度增大.采用n(Li)/n(Nb)=1.38的In:Fe:LN晶体作记录介质,n(Li)/n(Nb)=1.05的In:Fe:LN晶体作位相共轭镜进行全息关联存储实验.实验表明:存储系统具有实时处理,成像质量好,信噪比高和能反复使用等优点.     

氮化硅基陶瓷连接技术的研究进展

陶瓷连接技术是结构陶瓷实用化的有效手段，焊料成分对连接体的性能具有决定性作用。本文主要从焊料成分选择的角度，总结了氮化硅基陶瓷连接技术的发展现状；并重点讨论了陶瓷／玻璃复合焊料在β-Sialon陶瓷连接中的应用。     

不同Li/Nb摩尔比In∶Fe∶LiNbO_3晶体的生长及其光学性能

在Li NbO3(LN)中掺摩尔分数为1%的In和掺质量分数为0.03%的Fe,用提拉法技术生长具有不同n(Li)/n(Nb)[n(Li)/n(Nb)=0.94,1.05,1.20,1.38]的In∶Fe∶LN晶体。测试不同n(Li)/n(Nb)的In∶Fe∶LN晶体的吸收光谱、抗光致散射能力和指数增益系数,并计算晶体的有效载流子浓度。结果表明晶体样品随着n(Li)/n(Nb)增加,吸收光谱的吸收边发生紫移,抗光致散射能力增加,指数增益系数和有效载流子浓度增大。采用n(Li)/n(Nb)=1.38的In∶Fe∶LN晶体作记录介质,n(Li)/n(Nb)=1.05的In∶Fe∶LN晶体作位相共轭镜进行全息关联存储实验。实验表明存储系统具有实时处理,成像质量好,信噪比高和能反复使用等优点。     

粒径均匀的氧化铟粉末的研制

以金属铟，硫酸，氨水为原料，通过工艺条件的选择，制备出过滤性良好的氢氧化铟沉淀物。该沉淀物经过干燥，煅烧不需将氧化物粉碎就可以得到粉末状氧化铟。最佳工艺条件为：反应液中铟离子初始浓度调节在70g/L以下，碱添加量为铟含量的3－4倍；沉淀反应温度控制在90℃以上。     

真空蒸馏法从铟中脱除Cd、Tl的研究

介绍真空蒸馏法取代传统试剂法从铟中脱除镉和铊。通过实验研究了采用真空蒸馏的方法从铟中脱除铊的最佳工艺条件。实验表明,控制蒸馏温度950℃,恒温时间40m in,即可使残余物中铊的含量为0.0006%,铟的挥发率2.14%。     

有机金属先驱体分解制备铟和氧化铟纳米颗粒

介绍了有机金属先驱体In(η5-C5H5)分解制备铟(In)和氧化铟(In2O3)纳米颗粒的实验方法,并利用透射电子显微镜(TEM)观察制备的In和In2O3纳米颗粒的微观结构.