垂直电场作用下的钎锌矿相GaN电子输运特性的Monte Carlo研究

在GaN NMOSFET中,沟道电子由于受垂直于其运动方向电场的作用而产生界面散射,从而影响MOSFET特性.研究采用Monte Carlo体模拟方法计算钎锌矿相GaN材料在界面散射下的电子输运特性.模拟中在电子漂移方向加一个水平电场,同时在与其垂直的方向加另外一个电场,在垂直电场作用下,电子发生界面散射.采用基于指数...     

真空微电子器件及其研究进展

由于真空微电子器件具有十分诱人的应用前景,近几年引起了人们的极大兴趣,成为电子器件发展的一个重要分支和前沿。本文叙述真空微电子器件的特点,原理、应用和最新研究成果。     

利用TCP／IP网络编程接口开发异种机互连网络程序

本文介绍了利用ＴＣＰ／ＩＰ网络编程接口实现异种机互连的技术。利用ＴＣＰ／ＩＰ网络编程接口开发的程序实现了三种硬件和操作系统各不相同的机器之间的互连，使得不同机器的进程之间能够实时地交换数据。     

Windows环境下双极晶体管模拟程序设计

介绍了我们设计的工作在Ｗｉｎｄｏｗｓ环境下的双极晶体模拟程序的原理和主要特点，并且给出了使用该程序模拟Ｓｉ－ＳｉＧｅ－Ｓｉ异质结双极晶体管的结果。     

C/S与B/S结合模式教学信息管理系统的规划与设计

分析了广泛应用于教学信息管理系统的客户机／服务器以及浏览器／服务器这两种模式各自的优点和不足，提出了两者相结合的信息管理系统结构模式，介绍了其中数据库的设计及C／S与B／S相结合综合模式的实所采用的技术。     

硅双极晶体管集电结的雪崩倍增及其相关性分析

本文研究了硅双极晶体管中由雪崩倍增效应引起的基极电流方向改变现象,以及雪崩倍增与晶体管的偏置电压、集电区掺杂浓度和环境温度的相关性.     

低温半导体电子学及其发展

本文介绍了半导体器件在低温下的工作特点，低温半导体器件设计和制造的一些特殊考试及其近年来低温半导体电子学的发展动向。     

亚70nm CMOS工艺低漏电流、高噪声容限的低功耗多输入多米诺或门的设计

提出了两种新的电路技术,在降低多输入多米诺"或门"的动态功耗的同时减小了漏电流,并提高了电路的噪声容限.采用新的电路技术设计了八输入多米诺"或门"并基于45nm BSIM4 SPICE 模型对其进行了模拟.模拟结果表明,设计的两种新多米诺电路在同样的噪声容限下有效地降低了动态功耗,减小了总的漏电流,同时提高了工作速度.与双阈值多米诺电路相比,设计的两种电路动态功耗分别降低了8.8%和11.8%,电路速度分别提高了9.5%和13.7%,同时总的漏电流分别降低了80.8%和82.4%.基于模拟结果,也分析了双阈值多米诺电路中求值点的不同逻辑状态对总的漏电流的影响.     

Monte Carlo模拟纤锌矿GaN材料中粒子最终态的确定

介绍了M on te C arlo方法模拟半导体材料和器件特性使用的三种模型,重点介绍用全带M on te C arlo方法模拟纤锌矿相G aN材料所用的两项关键技术即散射几率计算和能带结构数据库应用问题。提出了确定散射后最终态能量和波矢量的计算方法。根据散射机理和粒子能量的不同,确定最终态的方法有4种。对各向异性的极性光学声子散射,采用分析带模型与全带模型相结合,对不同的能量,非抛物面系数取不同的值的方法,提高了确定最终态的准确性,提高了计算速度。