挖槽循环加工方法研究

对用循环编程和用刀补编程并设定刀补值实现挖槽加工进行了论述,对实际生产有一定的指导意义。     

三维型面造型和数控加工

本文通过对小音箱前面板模具的凸模进行三维造型和数控加工的研究,给出了型面三维造型和数控加工技术相结合在模具制造中的应用步骤。造型设计与数控加工有机的结合,对小型模具加工将是很好的选择。     

槽循环编程加工技术

通过分析手工编程和CAD/CAM自动编程实现槽的编程加工方法,对2种编程方法进行了分析和对比,提出了2种编程方法的适用场合,对数控编程加工有一定的指导意义。     

基于单片机的步进电机控制器设计

步进电机是一种常用的机电执行元件,相应的控制和驱动电路对于其整体性能起着非常重要的作用。采用常见的AT89S51单片机和步进电机驱动芯片L298N实现步进电机的控制和驱动。整个系统具有结构简单、可靠性高、体积小、成本低和实用性强等特点,具有较高的应用推广价值。     

刀尖圆弧半径对球面零件加工精度的影响

分析了数控车削加工中刀具刀尖圆弧半径对球面零件加工精度的影响,并提出相应措施,为正确编制加工程序、选择加工工艺和刀具参数提供了依据,提高了零件加工精度。     

基于白刚玉微粉的6H-SiC单晶基片化学机械抛光材料去除率研究

碳化硅单晶基片已广泛应用于微电子、光电子等领域,如集成电路、半导体照明(LED)等,本文根据前期的研究结果,以白刚玉微粉为磨料,通过大量的实验,研究了抛光液成分(PH值、磨粒粒径与含量、分散剂、氧化剂、活性剂)、抛光盘转速以及载物台转速对SiC单晶片(0001)Si面和C面化学机械抛光(CMP)时对材料去除率的影响。研究结果表明,在SiC晶体基片化学机械抛光时,抛光液在一定的pH值、一定的氧化剂含量、一定的分散剂含量、一定的磨粒含量及尺寸下,能够获得最佳的材料去除率;抛光盘的转速对材料去除率影响较大,材料去除率随抛光压力的增加而增大,C面的材料去除率远大于Si面的材料去除率,但无论是Si面或C面,抛光后表面无划痕,经过2个半小时的抛光,表面粗糙度达到Ra1nm以下。结果表明,氧化铝(Al2O3)磨粒可用于碳化硅单晶基片的化学机械抛光,其研究结果可为进一步研究SiC单晶片的高效低成本化学机械抛光液、抛光工艺参数及化学机械抛光机理提供参考依据。     

等误差法进行非圆曲线轮廓的数据处理

讨论了采用等误差法对数控编程中非圆曲线进行直接逼近和圆近和圆弧逼近的节点坐标计算方法。