一种采用电压补偿技术的DC/DC开关电源软启动电路

提出了一种采用BiCMOS工艺和电压补偿技术实现的软启动控制电路。该电路消除了浪涌电流现象，避免了开关电源重启动。HSPICE模拟表明，对于一个输入电压为10V、输出电压为3.3V的降压型开关电源系统，负载电流为3.3A的条件下，利用该软启动电路，电感电流和输出电压近似分别以3.3mA/μs和2.5mV/μs速度平稳上升，表明该软启动电路的控制能力很强。此控制思想和结构适合各种DC/DC开关电源的软启动电路设计。     

提高KZL4-13型锅炉发热量减少热损失

对老式KZL4-13型锅炉的辅机和内拱结构进行改造，提高了锅炉热效率，加强对供热系统管理，增加了企业效益。     

具有模糊时态的广义可能性线性时序逻辑的模型检测

本文首先定义了具有模糊时态的广义可能性线性时序逻辑GPoFLTL（Generalized Possibilistic Fuzzy Linear Tempora Logic）的语构以及基于路径和基于语言的两种语义解释,证明了GPoFLTL在模糊时态方面对GPoLTL（Generalized Possibilistic Linear Tempora Logic）进行了扩张,并通过实例说明了GPoFLTL比GPoLTL具有更强的表达能力;其次在广义可能性测度下通过模糊矩阵运算讨论了"不久","几乎总是"等几类模糊时态性质的模型检测问题;最后研究了模糊时态性质的必要性阈值模型检测问题,给出了基于自动机的GPoFLTL的阈值模型检测算法及算法的复杂度.     

2.4GHz零中频接收机中正交相位的自校准设计

提出了实现在一个2.4GHz零中频接收机中的一种正交相位自校准方法.这种方法基于一个采用提出的正交相位检测器的延迟锁定环路来大大减小正交相位误差.该接收机采用0.18μm CMOS工艺实现.测试结果显示正交相位误差可以被校准到1°以内,满足了系统的要求.     

连续偏序集的下收敛结构

通过引入下收敛与下平收敛的概念，揭示了连续偏序集在Ｓｃｏｔｔ拓扑与Ｌａｗｓｏｎ拓扑下的收敛网的结构，建立了完整的连续偏序集的下收敛理论。     

从金泥中湿法提取金银的新工艺

金矿山所得浮选金精矿经氰化物溶液浸出、再用锌粉置换得到富含金银及几种有色金属(锌、铜、铅等)的金泥。金泥通常用火法冶炼得到合质金(含金和银),并进一步用两步电解法加工得纯金、纯银。这种传统工艺,流程复杂,金、银无名损失大、直接回收率和总回收率低。特别是用火法熔炼,金在坩埚及炉渣中损失大,并难以回收,能耗及成本高,电解过程滞留金量大、辅助工艺繁杂,操作不能连续化,劳动条件差,等等。为克服这些缺点,我们研究发展了一种全湿法新工艺。其特点是选择性浸出金和银,用萃取法提纯金及用氢(或水合肼)还原银。 试验用干金泥组成(％)为:Au 14.285,Ag 2.05,Zn 45.2,Cu 16.2,Pb 10.0,S 4.95。 浸金以前先用硫酸、硝酸铵溶液浸出铜和锌。浸出液中金含量很低,为<0.5毫克/升。常规湿法流程则先用硝酸浸铜、银、锌后用王水浸金。在硝酸浸出时浸液中含金13.5—27.5毫克/升,这样分散的金难以回收,造成金的分散损失。因此在硫酸介质中金分散损失少得多。 金的浸出用硫酸—氯化钠—氯酸钠作浸出剂,能完全浸出金,且比常规浸出剂(如王水、盐酸—氯气、盐酸—氯化钠—     

金泥全湿法处理新工艺

金矿山所得浮选金精矿经氰化物溶液浸出,锌粉置换得到金泥,这种金泥富含金银及几种有色金属(锌、铜和铅等).矿山通常用火法冶炼得到初级产品合质金(为金与银之合金)交售.对合质金中的金和银的进一步分离和纯化则是用两步电解法在纯化工厂进行.这种传统工艺虽有成熟可靠的长处,但也存在缺点:(1)在金矿山不能直接得到纯金和纯银产品,处理周期长、贵金属无名损失大;(2)工艺流程复杂,贵金属直接回收率和总回收率低,特别是用火法熔炼,金在坩埚及炉渣中损失量大,并难以再回收,(3)电解过程滞留金量大,辅助工艺繁杂,操作不易实现连续化;(4)能耗及成本高;(5)劳动条件较差等.显然,若能简化流程、革新工艺,由金矿山直接加工得到纯金     

访问控制列表在校园网中的应用

本文主要介绍了访问控制列表基本原理以及其在校园网络中的应用.     

一种4 MHz复数滤波器及其自动调谐系统的设计

介绍了一种基于蛙跳式低通滤波器原型综合而成的复数滤波器。该电路具有较低的灵敏度,从而提高了稳定性。滤波器的自动调谐系统具有设计简单、精度易控制等特点,并可在调谐完成后关闭,减少了功耗以及与滤波器的互扰。电路采用0.18μm CMOS工艺设计,滤波器的中心频率为4 MHz,带宽为2 MHz,增益约为0 dB,可达到约53 dB的镜像抑制比,调谐精度可以控制在3%左右,功耗为7.5 mW。     

多根贯通导线对屏蔽体内电路电磁干扰影响的仿真研究

仿真研究了两根贯通导线对屏蔽体内印制电路板终端负载的影响。研究表明,贯通导线与屏蔽体外的电磁脉冲波耦合,可使传入屏蔽体内印制电路板终端负载上的电压增大很多;当双线连接时,不仅存在着空间辐射干扰波通过导线吸收传导进入电路而产生的干扰电压,而且还存在着两线间串扰电压。实验结果可知,随着频率的增加,线间串扰增大,在终端负载产生的总干扰电压,比只有通过线吸收传导进入电路产生的电压要大。这些工作对电子系统的设计和安装具有指导意义。