考虑不确定性的微电网储能系统容量配置

文章对含有光伏、风电等微网系统的多储能形式的容量进行配置。首先,根据分布式电源及负荷的不确定性,确定微网系统中储电、储热、蓄冷3种储能形式的容量区间;其次,以微网经济运行成本最小为优化目标,以储能容量不越限为约束条件,保证微网向电网功率输出满足要求,求取各个储能形式的容量;最后,通过算例分析,验证最优容量配置与其他不同容量取值的优劣性,确定此方法在保证微电网系统经济运行的同时,有效提高微电网电能上网率。     

吖黄素与钙(Ⅱ)相互作用的荧光光谱性质研究

研究了在pH=1.98,T=293K时,采用荧光和同步荧光研究了吖黄素与Ca2+的相互作用.研究表明,吖黄素与Ca2+的配位作用导致吖黄素荧光猝灭,吖黄素与Ca2+的配位作用的结合常数Ka=1.7 ×103,猝灭常数Kq =2.58×107,结合位数n =0.945 5.     

二聚酸改性环氧高固含量涂料的研制及性能研究

分析了二聚酸改性环氧树脂与传统E-44环氧树脂在物理性能、与固化剂的混容性以及固化漆膜玻璃化温度方面的差异;同时,用二聚酸改性环氧树脂研制高固含量涂料,并与传统的高固含量环氧涂料进行性能对比.结果表明:用二聚酸改性环氧树脂研制的高固含量环氧涂料具有较低的黏度,固化得到的漆膜具有良好的物理机械性能.通过对防腐性能、耐化学品性、耐溶剂性能、与车间底漆的兼容性的测试发现,该高固含量环氧涂料综合性能优异,能够满足重防腐领域的防腐性能要求.     

小波变换在齿轮局部缺陷诊断中的应用

采用连续小波变换对齿轮振动信号进行分析,检测到齿轮出现局部缺陷时,其振动信号中的幅值突变点。通过对试验数据的分析,说明这种方法可以有效地应用于齿轮的局部缺陷诊断中,并且不需要对初始信号进行时域同步平均。     

小波变换在滚动轴承故障诊断中的应用

采用小波包分解和信号重构的方法,提取滚动轴承振动信号中被噪声所掩盖的由滚动表面剥落磨损所引起的冲击成分,并且加以分析。通过对滚动轴承出现内圈剥落、外圈剥落和正常情况下振动信号的分析,说明了这种方法可以有效地用于滚动轴承的故障诊断。     

双馈风电机组的自适应神经网络保性能虚拟同步机控制

近年来，可再生能源的电网渗透率逐年提升，电网对可再生能源参与一次、二次调频的需求也愈加紧迫，虚拟同步机技术（VSG）应运而生.VSG能够赋予新能源机组主动参与电网调频的能力，然而当VSG应用于双馈感应风力发电机（DFIG）时，存在动态过程中转子电流超出转子侧变流器（RSC）容量的风险.本文提出一种应用于DFIG的保性能虚拟同步控制器，通过使用误差映射函数将输出受限的系统转化为等价的不受限系统，并使用李亚普诺夫方法设计保性能控制器，保证转子电流在调频、故障穿越等强动态过程中不超过任意人为设定的限制；此外，利用神经网络自适应策略，对发电机组中的不确定动态特性进行补偿，从而获得理想的控制效果.最后，本文通过大量仿真验证了所提控制策略在调频能力、转子电流控制和应对参数偏差等方面的控制性能.     

免疫细胞联合腺病毒Ad205-IL-15对肝癌细胞的杀伤研究

在已有腺病毒Ad205-IL-15的基础上尝试与过继免疫细胞CIK、NK92等联合开展对肝癌细胞的杀伤性研究。首次通过荧光化学发光的原理构连出携带表达萤光素酶报告基因的肝癌细胞系Huh7-Luc、MHCC97H—Luc来检测细胞的存活率。结果表明：免疫细胞联合Ad205-IL-15对Huh7-Luc、MHCC97H—Luc两株肝癌细胞表现出了较高协同杀伤作用。证明将免疫细胞与腺病毒联合可以相互弥补各自治疗的不足之处,提高了抗肿瘤效果。同时,由于操作方便,荧光素酶报告基因测定法也为检测细胞存活率提供了新的技术手段。     

TGF—β1对肝癌细胞系Hep3B中干性相关基因表达的影响

有研究表明TGF-β1可以诱导诸多上皮来源的癌细胞和正常细胞发生EMT并使其功能发生改变。实验就TGF-β1对肝癌细胞系Hep3B的作用展开研究：通过CCK8检测TGF-β1对Hep3B细胞增殖的影响,RT-PCR实验检测TGF-β1处理后细胞中EMT及干性相关基因的表达变化。结果表明：TGF-β1对Hep3B细胞的增殖无抑制作用;TGF-β1处理Hep3B细胞6d后EMT相关基因的mRNA表达水平并无显著改变,但TGF-β1可上调Hep3B细胞干性基因Oct-4,Klf-4,Nanog,C-myc的表达,并下调分化基因albumin的表达。结果提示TGF-β1一定程度上影响肝癌细胞系的干性基因表达,但并不一定是以发生EMT为前提的。     

氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性

氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题.通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti与GaN之间的反应.研究发现Ti薄层的厚度和退火温度对欧姆接触有重要影响.在Ti薄层厚度为5 nm时,随着退火温度的升高,ITO/Ti/GaN之间的接触逐渐转变为欧姆接触,且接触电阻率随之减小;但当退火温度超过700℃时,欧姆接触变差,这与ITO中的In、Sn和O元素向界面扩散有关;适当提高Ti薄层的厚度可以有效改善ITO/Ti/GaN欧姆电极的热稳定性,但过厚的Ti薄层会对GaN基光电器件的透过率产生影响.     

我国通信科技成果转化机制的现状分析

目前我国在通信技术领域投入了相当一部分人力物力,有效促进了通信科高速发展的同时,通信技术的成果转化成为了目前重要关注的课题。本文将对我国通信科技的投入与成果做出简述,并且说明通信科技成果转化的现状与存在的问题。