陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池工艺

为了大幅度降低成本,真正实现太阳能电池的大规模应用,设计出一种新颖的薄膜电池,即在廉价的陶瓷衬底上沉积多晶硅薄膜制作的太阳电池.介绍了制作这一电池的完整工艺流程,摸索出合适的工艺参数,解决了在异质衬底上生长大晶粒多晶硅薄膜和表面电极引出的问题,实验取得了令人满意的结果.     

多晶硅生产DCS控制系统专用功能模块的开发

本文介绍以设备集成化控制策略为依据开发的专用功能模块Transout_50,以实现对多晶硅生产DCS控制系统原料车间液氯储罐的出料控制。     

磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响

采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1%时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55μm,晶化率为96.82%,且晶粒的均匀性最佳。     

硅基单结太阳能电池的制备技术、缺陷及其性能的研究

首先综述了硅基单结太阳能电池的分类、制备方法及进展,介绍了化学气相沉积法、液相外延法(LPPE)、金属诱导结晶法(MIC)、磁控溅射法以及分子束外延法等各种硅基太阳能电池的制备方法,阐述了各种制备工艺的优缺点。其次,总结了单晶硅、多晶硅以及非晶硅太阳能电池在组织结构、缺陷方面的研究现状。最后,对硅基太阳能电池的机械、电学、光学以及光电性能等方面的研究进展做了论述。     

利用金属辅助化学腐蚀法在硅表面获得纳米绒面结构以提升多晶硅太阳电池效率

在硅片表面制备绒面结构能够有效降低太阳光在硅片表面的反射损失,是提高太阳能电池转换效率的一条重要途径。通过真空热蒸发法在多晶硅片上沉积纳米银颗粒,利用金属辅助化学腐蚀(MACE)法,制备了不同腐蚀时间下的纳米绒面结构,其中,腐蚀时间为60s的纳米绒面的平均反射率低至4.66%(300~1100nm)。同时,对腐蚀时间为60s的纳米绒面用KOH溶液进行优化处理,将KOH处理前后的多晶硅片采用常规电池工艺进行电池制备研究。对比发现,经过KOH处理后的电池效率比未经KOH处理的电池效率提高了0.43%。     

非晶硅薄膜晶化方法

多晶硅薄膜由于具有较高的载流子迁移率和良好的光电性能,广泛应用于集成电路及光电器件中,尤其在太阳电池领域引起了广泛关注。多晶材料晶界处会发生载流子的复合,降低载流子寿命。结晶度与晶粒尺寸是多晶硅薄膜取得良好性能的关键因素,直接制备的多晶硅薄膜一般晶粒尺寸较小、晶界较多,所以常采用非晶硅晶化法制备出晶粒尺寸较大的多晶硅薄膜。介绍了几种常见的非晶硅薄膜晶化方法,总结了各种晶化方法的机理和制备的薄膜的物理性质。     

关于太阳能电池的分析

在能源需求增加与工业迅速发展的影响下,传统意义上的化石能源已经远远不能够实现人们对资源的需要,而太阳能的应用潜力是非常大的,因此探究有关的太阳能材料就显得十分关键。本文论述了两种非常典型的太阳能电池,即染料敏化太阳能电池和多晶硅薄膜太阳能电池。     

耐高温多晶硅应变计

介绍了一种适用于特殊环境进行高温测量的多晶硅应变计的原理、设计、制作工艺及粘贴方法。它的特点是耐高温 (可用在温度达 2 5 0℃的环境中 )、体积小、安装方便。该种应变计已用于检测电站锅炉焊缝的牢固程度 ,在实际应用中性能较好     

典型分解炉中硅烷分解沉积速率的研究

研究在典型硅烷分解炉中硅烷分解沉积多晶硅的沉积速率。硅烷分解沉积多晶硅实验在硅棒表面温度790～900℃、炉内气压5×10^4Pa条件下,探讨硅棒温度、硅烷流速与沉积速率的关系。结果显示：沉积反应活化能53．4kJ／mol。并与真空条件下沉积硅的过程进行对比,提出在典型硅烷分解炉中提高多晶硅沉积速率的可能途径。     

Zn还原法制多晶硅副产物ZnCl_2的电解回收

Zn还原法制多晶硅会产生大量的ZnCl2副产物,在不添加其他辅助电解质情况下,成功利用ZnCl2熔盐制备出了Zn,纯度可达70.74%,验收了工艺的可行性。结果表明,在400～550℃范围内,随着电解温度的升高,熔盐电导率逐渐升高,有利于电解反应。但是继续升高温度至700℃时,ZnCl2蒸气压迅速上升到63.204kPa,挥发造成损失十分严重,且易堵塞出气管,反应温度控制在550℃左右较合适。另外,此工艺由于受ZnCl2本身属性的约束,离产业化还有一定距离。