MOCVD掺A_s的S_nO_2透明导电膜

本文采用有机金属化合物气相沉积(MOCVD)技术制备了可见光透过率>90％(厚度为10~2-10~4)、薄层方块电阻值为38-56Ω/□的SO_2·A,多晶透明导电薄膜,并简要报道了利用X射线衍射、电子衍射、扫描电子显微镜以及紫外可见吸收光谱等方法对膜层结构及性能的研究结果。     

二氧化锡膜气敏传感器最新研究成果

在论述二氧化锡气敏机理的基础上，介绍了通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物等方法制备二氧化锡膜气敏传感器的研究成果以及二氧化锡传感器阵列电鼻子的研究现状，并对其发展趋势进行了展望。     

SnO2超细粉末制备中粉体团聚的形成及防止

本文对ＳｎＯ２超细粉末制备中粉体团聚的形成机理进行了初步讨论．采用非均相共沸蒸馏工艺，有效地对水合ＳｎＯ２胶体进行了脱水，防止了粉体团聚的形成，成功地制备出了ＳｎＯ２超细粉末     

氮氧化物（NOx）厚膜SnO2敏感元件的特性研究

ＳｎＯ２由于城市大气中氮氧化物的含量急剧增加，对人们的健康带来很大危害。对澡的ＮＯｘ浓度进行监测、报警、用ＳｎＯ２为基体材料，采用厚膜工艺，研制成ＮＯｘ气体敏感元件，对ＮＯｘ的选择性、灵敏性和响应特性均较好，颇实用价值。     

纳米ATO粉体制备及其悬浮液的分散稳定性

采用化学共沉淀法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米微粉,研究了反应温度、滴定终点pH值、掺锑量及煅烧温度对粉体平均粒径的影响.并用透射电镜(TEM)、X-射线衍射分析(XRD)对粉体形貌及晶形进行了表征.讨论了pH值、分散剂种类、添加量等对ATO水浆分散稳定性的影响,通过粒径分析及Zeta电位的测定,对各种影响因素进行优化筛选,最终制得分散性、稳定性均较好的纳米ATO水浆.     

纳米粒径RGTO SnO2薄膜的制备及气敏特性研究

针对RGTO SnO2薄膜颗粒粒径较大的问题，通过控制直流磁控溅射时的溅射气压，制备出了纳米粒径RGTO SnO2薄膜，用SEM表征了其形貌及粒径分布，研究了溅射气压对其形核及生长过程的影响，测试了薄膜对乙醇的气敏特性。研究结果表明，改变溅射气压能够有效控制RGTO SnO2薄膜的粒径，这种控制作用主要发生在形核阶段，是通过溅射气压对沉积速率的影响产生的；气敏测试结果证实了该纳米粒径敏感膜具有较高的灵敏度和较快的响应恢复特性。     

SnO_2对锂铌钛系微波介电陶瓷性能的影响

用SnO2作为掺杂剂对LiNb0.6Ti0.5–xSnxO3陶瓷进行改性,研究了SnO2添加量对LiNb0.6Ti0.5O3锂铌钛体系陶瓷的烧结性能,显微结构和微波介电性能的影响。结果表明:随着SnO2添加量的增加,陶瓷体密度和介电常数基本保持不变;而Q·f值随SnO2的加入有所提高,而后随SnO2含量继续增加而快速下降;在1100℃的烧结温度下,当x为0.01时,获得微波介电性能优良的微波陶瓷,其εr为67.8,τf为+4×10–6/℃,Q·f为6780GHz。     

机械化学法合成二氧化锡纳米晶

采用机械化学法,以SnCl2、Na2CO3为反应物,以NaCl为稀释剂合成SnO2纳米晶,采用TEM、XRD等方法对制备的SnO2纳米晶进行表征,并分析了球磨时间、稀释剂的用量及热处理温度对SnO2纳米晶晶粒尺寸的影响．研究结果表明增加球磨时间和稀释剂的用量可以有效降低SnO2纳米晶的晶粒尺寸,利用该法制备的SnO2纳米晶粒径均匀,较优条件下晶粒尺寸可达7 nm．     

古代磨镜药窥视

至少在宋代之前,社会上即兴起了磨镜行业。"磨镜"一词最晚在唐代已出现。唐代诗人贾岛《黎阳寄姚合》诗日:"去日绿杨垂紫陌,归时白草映黄河。新诗不觉千回咏,古镜曾经儿番磨。"由此可知,唐时已有磨镜。这种磨镜,是与制镜的开光处理镜面是两回事的。经过玄锡作表面处理     

一种制备锑掺杂二氧化锡纳米粉体的方法

一种制备锑掺杂二氧化锡纳米粉体的方法，先将锑白溶解于酒石酸氢钠饱和溶液中，得到酒石酸锑钠溶液，同时配制一定浓度的锡酸钠溶液；根据ATO纳米粉末的锑掺杂量，将酒石酸锑钠溶液和锡酸钠溶液混合并加入酒石酸氢钠作为配合剂，同时加入双氧水作为氧化剂，用硫酸调节混合溶液的酸度；上述混合溶液在高压釜中反应一定时间，