一种高线性度AB类CMOS功率放大器的设计与实现

率放大器作为发射机中最核心的模块之一,如何同时提高其效率和线性度一直是人们研究的热点。文章主要分析了AB类功率放大器中的主要非线性源—栅源电容对电路性能的影响,并且使用了一个PMOS管并联的技术来补偿这种影响,最后利用这种技术,采用JAZZ0.25um RF CMOS工艺实现了一个可应用于2.45GHz WLAN的高效率高线性度的AB类功率放大器,三阶交调(IM3)项为-12dBm,输出功率为26dBm,功率附加效率(PAE)为44%。     

集成运算放大器的虚短虚断概念及在线性运算中的应用

建立理想集成运算放大器的等效模型，讨论集成运算放大器的虚断、虚短、虚地的概念，并运用它们分析集成运放的比例运算。     

基于双相锁相放大器的微弱信号矢量测量

噪声存在于任何一个系统中,当所要检测的信号比较微弱且淹没在强噪声背景中时,用传统的检测方法检测信号非常困难,因此如何把淹没于强噪声中的有用信号提取出来的问题越来越引起人们的关注。该文采用时域检测方法,利用移相技术得到相互正交的参考方波信号,通过互相关算法,完成了正交矢量型LIA相关器的实现,利用该方法实现了对微弱信号幅值和相位的检测,有效地抑制了干扰,提高了系统的性能。     

SDM2000半导体个人剂量仪探测器实验及测量电路研制

介绍了SDM2000个人剂量仪探测器实验及其测量电路的研制。从探测器的物理特性、工作电压、工艺等方面,对PIN光敏二极管和化合物半导体探测器进行了对比,得出了PIN光敏二极管的特点适合于个人剂量仪的结论,并进一步对PIN光敏二极管测量电路各部分包括电荷灵敏放大器、两级主放大器、脉冲幅度甄别器及DC DC电源电路的电路设计原理、使用的集成运算放大器、电路板工艺设计、主要性能指标等方面分别做了较为详细的阐述。结合SDM2000个人剂量仪使用的PIN光敏二极管探测器和其实用测量电路,通过测量和实验,给出了SDM2000个人剂量仪主要物理特性和主要性能指标。     

高性能隔离分配放大器研制与测量

文中论述现代精密时频系统对隔离发配放大器的技术要求及其重要作用。介绍为改进守时系统标准频率分配了系统而研制的一个高性能隔能分配放大器。对于５ＭＨｚ信号,该分配放大器的反向隔离度和路间隔离度均优于１１５ｄＢ（５ＭＨｚ）;相位噪声在１Ｈｚ达到－１３５ｄＢｃ／Ｈｚ．噪声本底为１５０ｄＢｃ／Ｈｚ;插入秒稳损失达到１０＾－１３量级。在１３ｄＢｍ输出情况下,谐波小于－４０ｄＢｃ。对该分配放大器主要性能测试涉及     

高温持久试验机控制系统

介绍了高温持久试验机微机集散式控制系统的基本构成，简述了其控制原理及控制算法，采用Borland C 语言编制了控制程序软件。经试验，该系统运行可靠，满足GB／T2039—1997((金属拉伸蠕变及持久试验方法》中对炉温的要求。     

太赫兹自由电子激光放大器研究

太赫兹自由电子激光(FEL)是获得高功率太赫兹辐射的重要途径,目前运行的太赫兹FEL装置基本上都采用振荡器结构,若采用FEL放大器模式,则可产生具有更高峰值功率的太赫兹辐射。本文以北京大学超导电子直线加速器的束流参数为基础,通过模拟分析确定了太赫兹FEL放大器对太赫兹种子源、电子束流及波荡器等的要求。模拟结果显示,太赫兹种子的峰值功率在10 W以上即可实现太赫兹FEL放大;在较易实现的参数条件下,可获得峰值功率数兆瓦的太赫兹辐射。     

2.5Gb/s光外调制器及驱动器

文章对光外调制作了原理及实验上的分析,着重研究作为驱动器的大功率宽带放大器。对２．５Ｇｂ／ｓＮＲＺ伪随机码对放大器的低端截止频率和高端截止频率的要求进行了理论分析。提出并实验了几种放大器高频补偿技术,取得了好的效果。为满足输入输出阻抗为５０Ω的要求采用了共面波导计算方法,以确定印刷电路板导线尺寸。最后对光外调制器输出波形进行了测试。     

基于逻辑器件的可编程增益放大器设计

本文介绍了可编程增益放大器设计的方法。它主要由控制电路、放大电路、显示电路三大模块组成。该系统性能好、成本低、工作可靠,具有一定的工程应用价值,经测试表明,该设计基本上达到了设计的要求。     

空间激光通信系统精跟踪单元PZT驱动电源的设计

压电陶瓷驱动电源是压电陶瓷微位移器应用中的关键部件。PA85是一种高电压、高功率MOSFET的带宽运算放大器,采用双电源供电,输出电流高达200mA,输出电压更可高达±215V。该文详细介绍了基于PA85的一种电源复合放大器的设计及仿真,通过对各项性能指标的仿真表明,该驱动电源具有精度高、分辨率高、稳定性好、纹波小和电路结构简单等优点。