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扫频法精确测量高速光调制器频率响应 总被引：1，自引：0，他引：1
同微波网络一样,可以用S参数来精确描述光电子器件的性能.根据微波网络的S参数,详细推导了光电子器件的S参数.搭建了40 GHz高速测试系统,利用矢量网络分析仪(带宽40 GHz)和作为参考的标准高速光探测器(带宽45 GHz),测量了宽带光强度调制器(实测带宽35 GHz)的频率响应.理论上,通过S参数和T参数的互相转换,扣除了微波放大器对测试结果的影响.在120 MHz～35 GHz范围内,测得的结果与出厂数据取得了很好的一致性.文中通过合理的简化,得到了光调制器频率响应的简明表达式,从而降低了数据处理的复杂度. 相似文献
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阐述了邦加球法测量偏振模色散(PMD)的原理,介绍了基于改进的邦加球法开发的PMD测量系统和测量实验。该测量系统利用可旋转偏振控制器和光谱仪同时测量单模光纤中各个波长的输出偏振态,从而测量出PMD群时延差(DGD)。和传统方法相比,该系统实现了计算机控制自动测量,显著地节省了测量时间,降低了PMD随时间变化而引起的测量误差,提高了测量精度。 相似文献
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重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生能带变窄效应(BGN)。对于因重掺杂NPN突变A1GaAs／GaAs HBT,而引起BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于Jain—Roulston禁带收缩模型及热场发射——扩散载流子输运机制,对考虑自热效应下的重掺杂AlGaAs／GaAs HBT电流特性进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出：为了更好描述电流传输,利用Jain—Roulston的BGN模型,考虑导带、价带突变量的改变依赖于实际掺杂浓度值是必要的。 相似文献
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提出一种结合双低温缓冲层和应变超晶格优势的高质量InP-on-GaAs复合衬底制备技术．研究发现LT-InP/LT-GaAs的双低温缓冲层比单一低温InP缓冲层的聚集应变的效果更为显著．并且,双低温缓冲层中的低温GaAs层存在一个最优生长厚度．当低温InP生长厚度一定,低温GaAs层的生长厚度达到优化生长厚度时,LT-InP/LT-GaAs双低温缓冲层能达到调节应变的最佳状态．最后,通过插入InGaP/lnP应变超晶格,并且优化其在外延层中的插入位置．得到了高质量的InP-on-GaAs的复合衬底,2μm厚的lnP外延层XRD-ω/2θ扫描的半高宽小于200． 相似文献
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