金融界：极速上市的背后

行事低调的金融界在众多财经类网站中率先实现海外上市,又一次演绎了“意料之外,情理之中”的商业故事     

上海芯动

2004年年末的上海,正在展现出一座芯城的雏形。 继中芯国际立足上海之后,英特尔、台积电等知名芯片厂商在这一年也纷至沓来,在巨人的身影之后,是迅速生长和聚集起来的一群芯片业厂商。随着大量芯片厂和IC设计企业的入驻,在以张江科技园区为核心的浦东地区,正在形成包括研发设计、制造、光掩膜、封装、测试、设备、材料、气体、模具、引线框架、专业人才培训、技术服务等环节在内的近乎完整的产业链,并已经开始产生集群效应.同时,上海的芯片业也已经开始了由低端向高端的迁移和进化。人才、资金、技术,从世界各地向上海汇聚而来,让这座城市的芯片产业一时间蔚成气势。 2000年时张汝京的那个大胆的预测——芯片制造业的下一个中心将在上海——看上去正在一点点地变成现实。 上海已经是国内芯片制造业的第一城市。但在一片迅速成长的嘈杂声中,细心的观察者不难发现。上海芯片业的发展形态并没有最终定型,产业的“身形”也略显单薄,同时,政策指向的游移不定、封装测试等配套产业的远不完善、各类人才的暂时流失,也使得上海芯片工业于迅速发展中屡处险境。 不过,看上去好消息要远多于坏消息:生产最关键、最昂贵的光刻机部件的某制造商有望整体迁移至上海芯片制造工艺已经开始了向高端的实质性迁移;众多IC设计     

中兴通讯步步为营

优秀的公司总是懂得对有限的资源进行优化配置,中兴步步为营 的3G研发策略充分体现出了其战略选择     

专利:强者的武器

华为和思科的诉讼反映了国内科技企业在面对世界级企业竞争时的短板,但除了积极应对,他们别无它法     

充液箱体受弹丸撞击下动态响应的数值模拟

采用大型通用有限元软件MSC.Dytran,对充液箱体被高速弹头击穿的动态响应过程进行有限元数值模拟.分析两种箱体状态,一种是空箱,另一种是盛水箱,水占箱体容积的4/5.建立所分析问题的有限元模型,用欧拉单元模拟水和空气,用拉格朗日单元模拟子弹和箱体.考虑铝合金箱体和钢制子弹材料的弹塑性变形、应变率效应和几何非线性变形.通过求解,得到子弹击穿过程中箱体壁板的动态应力、应变的时间历程和变形.结果表明,对两种状态,壁板上弹孔附近的变形特点不同,流固耦合的作用显著提高了箱体的应力应变水平,增加了结构全面破坏的危险性.     

高强度自承式特种进户线生产工艺浅析

本文介绍的是一种高强度的自承式特种电缆，对其概念、特点、应用以及目前的应用情况作了简单分析，并对它的生产设备的配置，模具的设计，工艺的制作提出了一些分析和建议。     

白鹤滩出线竖井GIL方案

白鹤滩水电站出线竖井内布置了世界上最高垂直敷设的500 kV GIL,设计、施工难度大。对白鹤滩水电站出线竖井内GIL布置和安装检修方案的拟定,以及在方案拟定过程中所考虑的主要因素进行了详细介绍,为白鹤滩水电站500 kV GIL顺利实施提供了技术支撑。     

专访国家标准化管理委员会主任 陈钢

本刊记者:您作为中欧标准化信息平台的创始人之一,建立该平台的初衷是什么?陈钢主任:"搭建平台、服务企业、促进贸易"是我们的初衷。在中欧双边贸易中,我们了解到多数企业,尤其是中小企业对对方的技术法规和标准信息了解甚少,最重要的原因就是双方缺少获取这些信息的有利渠道。因此,我们利用现代的信息技术搭建了双语标准信息平台。中方于2006年正式向欧方     

受限式阵列射流过冷沸腾的可视化实验研究

以43%质量浓度的乙二醇水溶液为工质,针对5 mm×32 mm的加热面,采用孔径1 mm,孔间距和孔径比值为4(孔数为7),射距和孔径比值为5的一维阵列射流结构,对受限式射流过冷沸腾进行了可视化实验研究。结果发现,由于加热面朝下,沸腾气泡由于浮力紧贴壁面,而阵列射流引起的横流冲刷作用也不足以吹跑气泡,因此,在一定的热流密度下,当靠近加热表面的气液界面上的蒸发和受过冷液体冲击的气液界面上的凝结取得动态平衡时,将形成一定大小和分布规律的稳定气泡。随着热流密度的增加,气泡长大、合并,并最终形成覆盖整个壁面的"气垫",导致临界热流密度的发生。射流速度较小时,射流无法对加热面形成有效的直接冲击,气泡首先在整个加热面的中间形成;而在射流速度较大时,由于壁面射流的"对冲效应",气泡在两股射流的中间形成,因为那里的冷却最弱。     

超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究

针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善。实验表明,超薄层高压SOI LVD LDMOS的耐压达到644 V,比导通电阻为24.1 Ω·mm²,击穿时埋氧层电场超过200 V/cm。