基于经验知识的覆盖件成形过程数值模拟与参数优化

对奥拓轿车翼子板成形过程进行了数值模拟与参数优化。基于经验知识,采用相似学理论,确定了覆盖件结构要素,建立了事例检索库。通过事例检索,设定了工艺补充面形状、拉延筋排布位置以及冲压方向等工艺参数;通过数值模拟方法动态显示了板料成形过程的网格变形、应力及应变分布、厚度变化及其与FLD的比较;通过参数优化,确定了压边力大小与拉深筋的形状;设计加工出了试验模具,完成了奥拓轿车翼子板成形试验。试验结果表明:基于经验知识的覆盖件成形过程数值模拟与参数优化能够用于指导实际生产。研究工作缩短了生产周期,节省了原材料消耗。     

Na掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响

研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变小是压敏电压急剧升高和介电常数减小的主要原因。对Na2CO3掺杂量的增加引起ZnO晶粒减小的原因进行了解释。     

基于总成本分析的电厂维修优化模型

分析并建立了一种基于总成本分析的维修优化模型。推导了风险函数及故障频率的求法与量化，给出了分析模型的建立过程。最后给出了电厂风机系统的分析例子。该模型可以推广到其它各种系统，对维修工作的实施具有普遍的指导意义。     

Ag掺杂对新型SnO2压敏材料的电学性质的影响

烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.     

钨掺杂对二氧化钛压敏电阻瓷电性能的影响

通过对样品的伏案性质、介电常数以及晶界势垒的测量和分析,研究了WO3对TiO2压敏电阻瓷电性能的影响。研究发现掺入x(WO3)为0.25%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为42.5V/mm,非线性系数α达到9.6,以及较高的相对介电常数(εr=7.41×104),是一种具有较好潜力的电容-压敏电阻器。通过不同烧结温度的实验,发现1 350℃是最佳烧结温度。类比ZnO压敏材料的晶界势垒模型,提出了适合TiO2压敏材料的肖特基势垒模型。     

Sr引起的(Co,Ta)掺杂SnO2压敏陶瓷的晶粒尺寸效应

研究了SrCO3对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏陶瓷的微观结构和电学性质的影响。当x(SrCO3)从0增加到2.5%,该SnO2压敏陶瓷的压敏临界电场强度从318V/mm猛增到3624V/mm,而相对介电常数从1509大幅降至69。当x(SrCO3)为2.0%时,样品的压敏电场和非线性系数分别为2204V/mm和24;添加x(SrCO3)为2.5%的样品的压敏电场和非线性系数分别为3624V/mm和22。     

联氨还原法制备镍纳米粒子

在表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮（PVP）的保护下，采用水合肼于水体系中还原镍盐而得到镍纳米粒子。该粒子具有fcc相；表面价态为零价，说明制备过程中没有被氧化；粒子粒径在40nm左右，近似圆球形，在正己烷中分散效果较好。     

基于RS485接口的LED驱动模块设计

大型监控系统常用LED显示屏来描述整个系统的运行状态 ,介绍了一种这类显示屏的驱动模块 ,具有RS485接口 ,使用简单、灵活。经在大型铁路运行状态模拟显示屏中使用 ,效果良好     

Cr2O3对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏电阻电学特性的影响

研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响.当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V/mm增加到493V/mm;1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498;晶界势垒高度分析表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因.对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释.掺杂0.15mol% Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24,击穿电压达498V/mm,在高压保护领域有很好的应用前景.