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31.
用单源低能氩离子束辅助沉积(IBAD)法制备了非晶碳薄膜.氩离子能量为400-1500eV.膜面光滑致密,与衬底的结合力较高。用Raman,FTIR,HRTEM,TED,SEM,ERD及RBS研究了薄膜的形貌、结构和组分,测量了膜的电阻率、显微硬度及摩擦系数.薄膜为无定形的类金刚石(DLC).其中含氢约为205at.-%,碳原子与氢原子几乎没有形成C-H键.随着离子束能量及束流的增加,显微硬度、摩擦系数增加,电阻率减小.硬度增加是由于薄膜致密度的增加,而电阻率降低是由于膜中金刚石键(sp~3键)含量减少的缘故. 相似文献
32.
地理编码技术通过将位置信息的文字表述转化为经纬度坐标为地理位置信息相关的科研提供数据支持。在地理编码过程中,地址描述性文字可能存在大量内容不正确、不准确、错别字、同音字等问题,从而导致无法进行准确地址匹配。该文针对以上问题提出了一种地址规范化的方法,通过地名相似度算法将待规范地名与标准地名库记录进行匹配,并结合空间场景相似性对结果进行评价,从而提高地址匹配的准确度。最后通过相关公共卫生数据验证了方法的可行性与准确性。 相似文献
33.
34.
35.
软件动态行为度量是可信计算必须要解决的核心问题之一。解决这个问题有两个关键步骤:第一,对软件动态行为进行行为建模;第二,对建模后的软件动态行为进行行为可信性分析。针对第二步,即建模完成后的行为可信性分析问题进行了研究,提出一种基于无干扰的软件动态行为可信性分析方法,并从理论上给出了行为可信性判定定理。 相似文献
36.
随着芯片集成度的逐渐提高,芯片单位面积所消耗的功耗也越来越大,因此,可靠的电源网络设计和验证已成为芯片设计成败的关键因素之一。在以往。集成电路(IC)设计工程师往往根据经验来设计电源网络,但工艺到0.18um,这往往会引起芯片功能失效。根据这个问题。本文首先介绍电压降(IR-Drop)和电子迁移率(Electro-migration)现象和对芯片性能的影响;其次,提出一种有效的电源网络设计和验证方法,并在芯片的物理设计初期对电源网络作可靠性估计;最后,经过椭圆曲线加密芯片(ECC&RSA)的流片,表明采用该方法设计的芯片,工作情况良好。 相似文献
37.
本文论述20KHZPWM(脉冲宽度调制)型大功率超声波发生器的原理和电路组成。PWM信号是由性能优越的TL494集成电路产生,高频逆变器采用国际先进的磁性材料和IGBT功率器件构成。逆变器将输出的高频电压送入超声波换能器,从而辐射出超声波。该系统具有电路简单,工作可靠,体积小,成本低,输出功率调节方便,效率高,实用性强等特点。 相似文献
38.
大功率激光窗口ZnSe的制备原理及方法 总被引:2,自引:0,他引:2
比较了四种适用于作CO2激光器窗口的材料,Ge、KCl、GaAs和ZnSe,指出ZnSe是大功率激光器最理想的窗口材料,并列举了3种ZnSe的制备原理及方法,阐述了CVD方法制备多晶ZnSe的过程. 相似文献
39.
采用一种新型的等离子体浸没式离子注入技术 (PIII)在渗硼后的 5 0Mn钢试样上制备出了厚度为 0 .15~ 0 .2mm的立方氮化硼 (c BN)表面硬化层。经X射线电子能谱 (XPS)和X射线衍射分析 (XRD) ,发现硬化层中的组织有立方氮化硼 (c BN)、六方氮化硼 (h BN)、B2 O3,FeB和Fe2 B。在表层 60nm的深度范围内 ,c BN的含量较高。采用球盘式无润滑滑动摩擦实验和维氏显微硬度实验分别对渗硼 PIII复合处理以及单独渗硼的 5 0Mn钢试样的性能进行了对比实验。结果表明 :与单独渗硼的试样相比 ,经渗硼 PIII复合处理的试样具有高得多的硬度 (高达HV0 .1N44GPa)和耐磨性 相似文献