提高普通白酒质量的简便措施——薄层串蒸技术应用之一

长期以来人们就感受到固态法白酒酒醅的醇香气味是很浓的,其香味浓于酒。也有人测算过,酒醅中的主要高沸点酸、酯成份能蒸馏进入酒中的仅有千分之几,不少有效成份的利用率是很低的。怎样利用好香醅中的有效成份呢?这是人们一直思考着的问题。利用酒醅酸酯等有效成份的途径很多,较简易而又有效的措施是“薄层串蒸”。这样就可以在不增加设备和费用的条件下,提高酸、酯利用率,多出好酒。最近吉林省轻工所和怀德县酒厂共同开展了利用大曲酒糟“薄层串蒸”,提高一般白酒质量的试验,收到     

钢球自动分选装置的设计

介绍了一种自动检测轴承钢球直径,并按直径分选归类的装置,其采用电感传感器智能测试系统和牵引电磁铁装置,实现了对钢球直径测量和分选工作的自动化,对该装置的机械控制部分和PLC控制系统进行了详细分析。     

Microstructure of YBCO Superconducting Film on Metal Substrate with YSZ Buffer Layer

ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＹＢＣＯＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＦｉｌｍｏｎＭｅｔａｌＳｕｂｓｔｒａｔｅｗｉｔｈＹＳＺＢｕｆｅｒＬａｙｅｒＷａｎｇＪｉｎｇ（王敬），ＬｉｕＡｎｓｈｅｎｇ（刘安生），ＳｈｉＤｏｎｇｑｉ（石东奇），ＷａｎｇＸｉａｏ...     

伊犁盆地沉积岩颜色指数特征、盆地演化与有利勘探层系

本文对伊犁盆地伊宁凹陷中央隆起带的宁3井沉积岩颜色指数特征进行了分析,认为伊犁盆地从二叠纪至第四纪,其沉积环境明显经历了两个氧化—还原环境旋回,与盆地演化相对应;指出二叠系铁木里克组（P₂t）和三叠系小泉沟群(T_2-3xq)至侏罗系西山窑组（J₂x）为两套还原环境中形成的烃源岩层,盆地中存在二叠系和三叠—侏罗系两套有利勘探层系。     

分形拟三重介质致密油藏产能预测模型

致密油藏渗流机理复杂、产能预测难度大。文中引入分形理论,推导出基质、天然微裂缝、人工裂缝的分形孔隙度和分形表观渗透率。建立了考虑启动压力梯度及压敏效应的分形拟三重介质致密油藏数学模型,推导出模型压力解与动态供给边界的变化情况。在此基础上,建立了产能预测模型,结合实例数据完成模型验证,进行供给半径和产能的动态预测,并对非线性渗流参数进行敏感性分析。结果表明:供给半径随时间非线性增加,同一时刻,启动压力梯度及分形系数越大,供给半径越小;分形致密油藏产能受非线性渗流参数的影响,启动压力梯度越低,变形系数越小,分形系数越小,则日产量越高,反之日产量越低。     

激光诱导击穿光谱技术测定土壤中元素Cr和Pb

为了提高激光诱导击穿光谱技术对物质成分的检测水平,在实验中加入了平面反射镜装置约束激光等离子体。用Nd:YAG纳秒脉冲激光激发产生土壤等离子体发射光谱,测量绘制了元素的定标曲线,定量分析了土壤样品中重金属元素Cr和Pb,并与不加入平面反射镜装置条件下的检测结果进行比较。计算表明,实验中加入平面反射镜装置以后,元素Cr和Pb的测量结果的相对标准偏差与无平面反射镜装置时的相比较,分别从5.22%和8.12%降低到了3.43%和3.94%;而元素分析检出限分别由4.13×10-3%和62.54×10-3%降低到2.61×10-3%和44.22×10-3%。可见,利用平面反射镜装置能够明显提高激光诱导击穿光谱技术的测量精度。     

新概念动能武器-电磁炮

电磁炮是现代战争中的一代新概念武器,目前国外的技术发展已达到实用阶段.用物理学中关于电流的磁场、电磁感应和涡流的基本理论对轨道炮、线圈炮、重接炮三种电磁炮的基本原理进行了分析;研究了轨道炮、线圈炮、重接炮的特点、应用前景;探讨了脉冲电源技术、材料技术、发射装置设计等电磁炮关键技术;最后总结了电磁炮的发展现状,展望了未来...     

TD-LTE系统终端邻道泄漏功率比的测试方法

TD-LTE系统在通信行业运用较广,它可以帮助通信企业实现较长时间的通信服务。重视系统终端射频的发展,根据实际应用情况采用合适的方法提高系统测试的准确率是当前通信行业亟待解决的一大课题。     

低缺陷密度和平整表面的硅基砷化镓外延

Device-quality GaAs thin films have been grown on miscut Ge-on-Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition. A method of two-step epitaxy of GaAs is performed to achieve a high-quality top-layer. The initial thin buffer layer at 360 ℃ is critical for the suppression of anti-phase boundaries and threading dislocations. The etch pit density ofGaAs epilayers by KOH etching could reach 2.25 × 10^5 cm^-2 and high-quality GaAs top epilayers are observed by transmission electron microscopy. The band-to-band photoluminescence property of GaAs epilayers on different substrates is also investigated and negative band shifts of several to tens of meVs are found because of tensile strains in the GaAs epilayers. To achieve a smooth surface, a polishing process is performed, followed by a second epitaxy of GaAs. The root-mean-square roughness of the GaAs surface could be less than 1 nm, which is comparable with that of homo-epitaxial GaAs. These low-defect and smooth GaAs epilayers on Si are desirable for GaAs-based devices on silicon substrates.