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采用了TSMC0.35μm CMOS工艺实现了可用于SONET/SDH2.5Gb/s和3.125Gb/s速率级光纤通信系统的限幅放大器。通过在芯片测试其最小输入动态范围可达8mVp—p,单端输出摆幅为400mVp-p,功耗250mW,含信号丢失检测功能,可以满足商用化光纤通信系统的使用标准。 相似文献
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采用TSMC 1.18 μm标准CMOS工艺实现了一种4:1分频器.测试结果表明,电源电压1.8 V,核心功耗18 mW.该分频器最高工作频率达到16 GHz.当单端输入信号为-10 dBm时,具有5.8 GHz的工作范围.该分频器可以应用于超高速光纤通信以及其它高速数据传输系统. 相似文献
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跨阻放大器S参数与跨阻增益间的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
在等效电路模型基础上,推导了单端输入单端输出和单端输入差分输出情况下跨阻放大器跨阻增益计算公式,探讨了光探测器输出阻抗对跨阻增益的影响,分析了电路S参数与跨阻增益的关系。并且利用ADS仿真工具对理论推导进行了仿真验证,最后通过实验测量单端输入单端输出跨阻放大器的S参数及数据分析,对理论进行了验证。 相似文献
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研制成功一种应用于甚短距离(VSR)光传输系统的40Gb/s 并行光接收前端放大器芯片.该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s.电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题.提出了一种同时采用P 保护环(PGR)、N 保护环(NGR)和深N阱(DNW)的并行放大器隔离结构,有效地抑制了并行放大器之间的串扰,减小了放大器之间的衬底耦合噪声.测试表明,所有信道在3.318Gb/s数据速率、2mVpp输入和2pF的寄生电容下均得到了清晰的眼图.芯片采用1.8V电源供电,单路前端放大器的功耗为85mW,12路总功耗约为1W. 相似文献