晶振子型气敏传感器及其作用的数理分析

利用晶体振荡器内晶振子上沉积物质后会产生频偏的原理,制成镀膜工艺过程中膜厚监控仪的商品已早问世。但作为气敏元件却是目前掘起的较新方法,它已被应用于分析化学和环保监护等领域中。 晶振子型气敏传感器探头结构是在晶振子上涂覆具有吸气特性膜层,一般厚度约为100nm。如果涂覆亲水性膜,则可成为湿敏元件等等。振荡频率为15MHz时,其灵敏度一般可达2600Hz/μg。很明显,它的极限感量为晶体振荡器频率稳定度和检测器的频率分辨力所决定。 晶体振荡器内晶振子上沉积物质后,因质量增加,会产生频偏。其间关系,从机电类比原理导得如下表达式     

用TMS1951IC制作的数字钟

本数字钟的核心是TMS 1951大规模集成电路,它是一种功能较完善的时钟电路,采用PMOS工艺制造,共有40个脚,双列直插塑料封装,专门为各类LED、LDD型数字电子钟、钟控音响及时间程序控制作译码驱动显示。该电路使用方便,性能稳定可靠,电     

SiC基IGBT高铅焊料芯片固晶层的热冲击失效机理

目前大功率SiC IGBT器件常用高熔点的高铅焊料作为固晶材料，为保证功率器件的长期使用，需研究温度冲击条件下高铅焊点的疲劳可靠性，并探究其失效机理。采用Pb92.5Sn5Ag2.5作为SiC芯片和基板的固晶材料，探究温度冲击对固晶结构中互连层疲劳失效的影响。结果表明，温度冲击会促进焊料与SiC芯片背面的Ti/Ni Ag镀层反应生成的块状Ag₃Sn从芯片/焊料层界面往焊料基体内部扩散，而焊料与Cu界面反应生成的扇贝状Cu₃Sn后形成的富Pb层阻止了Cu和Sn的扩散反应，Cu₃Sn没有继续生长。750次温度冲击后，焊料中的Ag与Sn发生反应生成Ag₃Sn网络导致焊点偏析，性质由韧变脆，焊点剪切强度从29.45 MPa降低到22.51 MPa。温度冲击模拟结果表明，芯片/焊料界面边角处集中的塑性应变能和不规则块状Ag₃Sn导致此处易开裂。