交流特高压线路高抗补偿度下限的研究

分析了潜供电流限制、空载线路电压控制对高抗补偿度的要求,给出了从潜供电流限制与空载线路电压控制角度确定高抗补偿度下限的方法。结果表明,为达到限制潜供电流的目的,单回线路的高抗补偿容量应大于线路相问电容的无功功率,双回线路的高抗补偿容量则应大于线路相间电容无功功率和以及部分回间电容无功功率之和,故此类下限受到线路参数影响...     

特高压交流系统合闸过电压特点研究

由于特高压交流系统采用高阻抗电源,长距离线路和大功率输电的方式,其合闸过电压出现了一些与其他电压等级合闸过电压不同的特性,在系统研究特高压合闸过电压的基础上,对这些新特点进行了深入研究,研究表明,单回线路的合空线过电压一般高于单相重合闸过电压,但在长距离、大功率输电时,后者可能更为严重,应引起重视;在电源容量较小时,双回线路-回运行情况下另一回线路进行合空线操作时,其过电压往往较高,应重点限制;双回线路的单相重合闸过电压与小电抗的取值密切相关,故小电抗取值应在各种运行方式下进行综合选择.此外,特高压交流系统通常应采用合闸电阻限制合闸过电压,且较长线路宜采用较低阻值,较短线路宜采用较高阻值.     

化工项目竣工环保验收监测检查中的若干要点

根据建设项目竣工环境保护验收规范要求,结合工作实践,总结了化工项目竣工环境保护验收监测检查工作中的若干要点。从验收监测工况的控制、废水监测、废气监测、噪声监测几方面提出现场监测注意事项,并从污染防治设施、企业环境管理、排污口规范化、固废处置、环境敏感目标、公众参与、总量控制等几方面提出环境保护检查应重点关注的问题。     

促进剂种类对EP/PN体系固化反应动力学的影响

在一定比例的环氧树脂(EP)和线型酚醛树脂(PN)固化剂中加入丁酮溶解好的促进剂,制备了EP/PN体系。研究了不同促进剂对于EP/PN体系的固化反应动力学的影响。研究结果表明,2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ)和三苯基膦(TPP)均可加速EP/PN体系的固化。使用外推法确定两体系的凝胶温度、固化温度和后处理温度等特征温度,发现2E4MZ促进的固化体系其凝胶温度较低,而固化温度和后处理温度略高。同时利用Kissinger方程和Ozawa方程计算出2E4MZ促进体系的平均表观活化能为74.92 kJ/mol,TPP促进体系的平均表观活化能为78.59 kJ/mol。     

对水利工程中钢闸门的设计进行分析

本文根据笔者多年的工作经验,分析了平面钢闸门总体布置和闸门的选型,提出了解决解决设计的几个常见问题的措施,阐述了水利水电工程中钢闸门设计中存在的几个问题,确保平面钢闸门的工程质量和运行安全。     

特高压交流单相接地故障过电压计算及限制方法

基于系统电源阻抗特性对单相接地故障过电压的影响规律,提出了综合考虑该过电压的各影响因素后求取单相接地故障过电压最大值的方法,利用该方法可以在较少的仿真计算量下准确地求出单相接地故障过电压最大值。对不同长度线路的单相接地故障过电压的限制问题进行了探讨,并从综合考虑工频过电压和操作过电压的角度提出了沿线高抗补偿容量的最优分配方案,最后对单回线路与双回线路的单相接地故障过电压进行了比较,提出了相应的过电压限制措施。结果表明线路长度小于500 km时,采用线路两端设置高抗和金属氧化物避雷器(MOA)的措施,即可有效限制该过电压;当长度超过600 km时,需在长线路中间进行分段落点,设置MOA及合适的高抗补偿容量来限制该过电压,分段距离宜控制在400 km左右;相同长度下,单回线路的单相接地故障过电压较双回线路严重。     

倾斜煤层综放开采覆岩破坏高度实测研究

在我国水体下采煤过程中,导水裂缝带的发育高度(简称导高)是确定防水煤岩柱尺寸、提高开采上限的一个重要的参数指标,对水体下安全开采、预防矿井水害具有重要的作用.当前厚煤层的开采又大多采用放顶煤开采技术,而传统经验公式仅适用于分层开采,文中利用井下导水裂缝带高度的现场探测方法不仅可以验证公式计算的正确性,同时其所得数据也更为可靠.     

调度与变电站一体化系统远程维护安全防护设计

安全防护是调度与变电站一体化系统的关键技术。针对调变一体化系统中存在的安全隐患,以远程维护为例介绍了调度与变电站一体化的安全防护关键技术,提出了安全远程维护的解决方案,即通过一体化双因子登录技术进行安全登录,通过一体化签名认证技术实现安全通信,通过一体化权限管理技术进行细粒度的权限管理和认证。提高了调变一体化系统远程维护抵御风险的能力,有效保障了调度与变电站系统一体化运行、一体化维护的安全性。     

Si/SiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制

通过理论分析与计算机模拟 ,给出了以提高跨导为目标的 Si/ Si Ge PMOSFET优化设计方法 ,包括栅材料的选择、沟道层中 Ge组分及其分布曲线的确定、栅氧化层及 Si盖帽层厚度的优化和阈值电压的调节 ,基于此已研制出 Si/ Si Ge PMOSFET器件样品 .测试结果表明 ,当沟道长度为 2μm时 ,Si/ Si Ge PMOS器件的跨导为 45 m S/ mm(30 0 K)和 92 m S/ mm (77K) ,而相同结构的全硅器件跨导则为 33m S/ mm (30 0 K)和 39m S/ m m (77K) .     

Si/SiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制

通过理论分析与计算机模拟,给出了以提高跨导为目标的Si/SiGe PMOSFET优化设计方法,包括栅材料的选择、沟道层中Ge组分及其分布曲线的确定、栅氧化层及Si盖帽层厚度的优化和阈值电压的调节,基于此已研制出Si/SiGe PMOSFET器件样品.测试结果表明,当沟道长度为2μm时,Si/SiGe PMOS器件的跨导为45mS/mm(300K)和92mS/mm(77K),而相同结构的全硅器件跨导则为33mS/mm(300K)和39mS/mm(77K).