TMS320C6455 PCI协处理卡WDM驱动程序设计

在高速数据传输系统中基于PCI总线的PCI设备得到广泛应用。针对基于TI公司的高端DSP芯片TMS320C6455的PCI协处理卡,详细介绍了板卡的PCI接口特点,给出了在Windows XP系统下使用DriverWorks工具开发WDM驱动程序的方法,并进一步设计了该协处理卡的驱动程序。该方法简单灵活,开发周期短。通过在对规划空间和实时性有着要求较高要求的航迹规划系统的实验表明,实现了上位机与板卡之间的数据高速传输,从而进一步验证了所设计驱动程序的实用性和稳定性。     

多媒体技术在CCTV办公自动化系统中的应用

一、概述 办公自动化(OA)系统引入多媒体技术,使系统适于处理语音、图形、图像(静止和活动)。因而办公自动化系统中能包含多样化的信息,使信息处理更为丰富、生动,同时也将提高办公自动化信息处理的应用范围和价值。 中央电视台(CCTV)办公自动化系统是考虑到电视台事务管理的特殊性及重要性,结合电视台内传输的所有信息要求高度准确、安全,并且需要传输大量图像信息的特点,覆盖了电视台办公业务的各个方面的需求,建立起来的适合电     

扩招背景下高职“双师”队伍发展路径研究

政府工作报告宣布高职扩招百万的国家战略引发了学界的高度关注,高等职业教育面临前所未有的机遇和 挑战。生源规模和类型的变化,对高职教师提出了更高的要求。应以激发高职教师内在驱动力和建立一支 稳定的专兼职教师队伍为目标,采取强化高职教师立德树人思想引领、建立高职教师“双师”专业化的顶 层设计、发挥教师发展中心职能强化校企双向交流集聚职教集团（联盟）力量等措施,打造符合时代要求 的“双师”队伍,真正实现高职扩招的社会价值。     

氧化镓衬底基片化学机械抛光的研究

针对氧化镓衬底基片的化学机械抛光(CMP)进行了研究。介绍了氧化镓衬底基片的化学机械抛光工艺,讨论了影响抛光结果的因素:p H值、温度、压力、磨粒。通过大量的实验,最终确定了优化方案。提出先以粗抛光去除研磨后产生的划痕、凹坑等表面缺陷,再以精抛光降低表面粗糙度并获得高光洁衬底基片的方案。研究结果表明:在27℃抛光温度,9.0≤p H≤11的条件下,使用粒径为40nm,低分散度的Si O2溶胶磨粒,并加入适量添加剂,配合合理的工艺参数,可以获得具有良好表面质量的氧化镓衬底基片及较高的抛光去除率。     

多功能热泵冷热水机组研究及在医院设计中的应用探索

由于医院需要具有24 h热水供应能力,如何在满足使用需求的情况下节能减排,通过项目实际设计过程,提出了热泵冷凝热回收加热生活热水的解决方案,介绍了多功能热泵冷热水机组空调系统方案设计思路与国外运行案例数据的分析。     

一种汽车电瓶固定框架

随着我国经济的快速发展,汽车电瓶的使用也越来越频繁,但电瓶在高温情况下使用存在严重的安全隐患,易产生爆炸等危险;高温也会导致电瓶的寿命大大降低。因此,针对以上问题,提出一种汽车电瓶固定框架,电瓶安装框内安装有隔热棉,能防止发动机舱内的热量传递到电瓶内,防止了电瓶因长期在高温下工作而寿命降低。     

产品的人性化设计

一、人性化设计的意义设计与我们的升华息息相关,产品设计不是为了设计产品而设计,而是为了满足人们的各种需求,随着人类的发展社会的进步,人们有了跟高层次的精神物质需求和感情交流,逐渐开始注重产品的附加价值—情感价值、美学价值、个性化价值     

中央电视台办公自动化系统方案

中国中央电视台是中国最大和最具影响力的电视传媒。中央电视台办公自动化(OA)系统是建立在CCTV网络系统之上的计算机应用管理系统。该系统的建成将为中央电视台的办公管理提供现代化的处理手段,使过去由人工进行的繁琐的事务处理,通过计算机管理后变得准确高效、科学有序。同时也能提高办公人员的决策质量,为决策人员提供更多、更准确可靠的信息,使中央电视台办公事务处理成为真正意义上的智能化管理。 CCTV建设办公自动化系统的宗旨是:利用计算机技术资源帮助办公人员产生、输入、处理、保存和分发信息。重视管理功能,以行政事物处理为主,使公文管理标准化、规范化。因为中央电视台办公自动化系统具有明显的媒体特点,既要处理通常办公系统所涉及的全部内容,又要包括电视台所特有的节目审看功能,以及与节目制作、播出有关的办公事物管理,所以CCTV办公自动化系统建设以先进、     

偏压应力下SiC/SiO2界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变

SiC栅氧近界面碳缺陷是SiC MOSFET器件在偏压应力下可靠性劣化的主要根源。间隙碳缺陷Si2-C=O(Ci1)和O-C=C-O(Ci2)被认为是构成SiC/SiO₂界面缺陷能级的重要源头之一。基于第一性原理密度泛函理论,研究了不同外部电场对SiC/SiO₂界面处间隙碳缺陷的结构和电学性质的影响。结构键长键角计算结果表明,电场对缺陷Ci1和Ci2的结构影响较小,但施加电场后两种缺陷的形成能均减小,说明偏压应力更有助于这两种缺陷的形成。电荷态密度计算结果表明,不同大小和方向的偏压应力(电场)会改变Ci1和Ci2的缺陷能级位置。上述作用诠释了界面缺陷产生偏压应力不稳定问题的物理机制。