不同MgO掺杂比对Mg_xZn_(1-x)O靶材性能的影响

用传统常压固相烧结法,制备掺杂氧化镁的氧化锌陶瓷靶材,研究不同Mg O含量及烧结温度对MgxZn1-xO陶瓷靶材的微观结构、力学性能、致密度和导电性能的影响.通过X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)测定靶材相结构,扫描式电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察靶材的断面形貌,万能实验机测量靶材的抗弯强度,维氏显微硬度仪测量靶材的维氏硬度,阿基米德排水法测量靶材密度,四探针法测量靶材导电性能,对MgxZn1-xO靶材的性能进行了表征,分析了MgxZn1-xO陶瓷靶材的烧结机理.结果表明,MgxZn1-xO靶材的最佳烧结温度随着Mg O含量的增加有所提高.Mg O的掺杂比为x=0.12时,靶材的最佳烧结温度是1 450℃;掺杂比为x=0.20时,靶材的最佳烧结温度约为1 500℃.相同烧结温度下,随着Mg O掺杂比的增加,靶材的致密性增大;靶材抗弯强度先升后降,掺杂比为x=0.12时达到最大值,为94.56 MPa.靶材硬度随着Mg含量的增加渐增,在1 450℃烧结,掺杂比为0时维氏硬度为152.000 N/mm2,掺杂比为x=0.40时维氏硬度为364.045 N/mm2.靶材的导电性随着Mg O掺杂比的增加呈渐减趋势,掺杂比为0时,方块电阻为819.36Ω;掺杂比为x=0.40时,方块电阻增至30.00 MΩ.     

纳米WO3薄膜的制备方法及其研究现状

在简要介绍纳米WO3薄膜材料研究意义的基础上，综述了纳米WO2薄膜的主要制备方法并对其优缺点进行了评价。概述了纳米WO3的研究和应用现状，并对其发展趋势进行了分析。     

光致变色纳米WO3薄膜研究进展

介绍了纳米WO3薄膜的光致变色机理,并对WO3薄膜的各种制备方法进行了分析比较.概述了WO3薄膜的各种表征手段和近年来国内外的研究现状等,并对其未来发展趋势进行展望.     

B位双掺杂类钙钛矿化合物La4BaCu5-x-y-CoxNiyO13+δ的制备

运用改进的柠檬酸络合自燃法合成高纯相的B位双掺杂钙钛矿化合物La4BaCu5-x-yCoxNiyO13+δ,采用DTA-TG,XRD,SEM,BET等基础性测试手段对其物相结构、显微形貌等相关物理化学性质进行了基本的表征分析,利用Treor,Retveld等晶胞精修软件对XRD测试结果进行处理,并得到了一些有意义的结果.     

固溶体Er_(2-x)Ho_x(WO_4)_3的热膨胀性能研究

用固相化学反应法制取了Er2-xHox(WO4)3(x=0.0～0.4,1.2～2.0)系列固溶体,利用XRD实验及Rietveld结构精修分析研究了Er2-xHox(WO4)3系列固溶体的晶体结构和热膨胀性能,结果表明Er2-xHox(WO4)3(x=0.0～0.4,1.2～2.0)系列化合物沿着三个晶向是呈异性负热膨胀性能。