Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15玻璃包覆非晶丝巨磁阻抗效应研究

本文研究了直流焦耳处理对Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15玻璃包覆非晶丝巨磁阻抗效应的影响.随着处理电流的增大,阻抗最大变化率随之增加,直到最佳处理条件为70mA,阻抗最大变化率为282%.处理电流值进一步提高,阻抗最大变化率下降.本文还研究了偏置电流对经过70mA直流焦耳处理的C021.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15玻璃包覆非晶丝巨磁阻抗效应的影响.随着偏置电流的增加,非对称性逐渐增强,直到偏置电流为2mA;当偏置电流继续增大时,非对称性逐渐减弱.     

Fe－Zr－B纳米晶合金的热膨胀和磁性研究

将非晶态Ｆｅ－Ｚｒ－Ｂ合金经不同温度退火制备成纳米晶合金，测量了它们的热膨胀曲线和饱和磁化强度．初步结果表明，纳米晶的形成导致Ｃｕｒｉｅ温度（ＴＣ）以下的热膨胀系数和７７Ｋ下的饱和磁矩急剧增加，而ＴＣ以上的热膨胀系数几乎不随退火温度变化，用因瓦效应解释了实验结果．     

非晶态磁性材料热电阻及居里温度的测量

介绍了用四端法和霍普金森效应分别测量非晶态磁性材料的热电阻和居里温度的原理和装置，并给出了用它们测量Fe78Si9B13合金非晶薄带的实验结果。这两种装置操作简单，快速准确，自动化程度高，经济实用。     

水雾化Fe69Ni5Al4Sn2P10C2B4Si4非晶合金粉末及其磁粉芯的性能

 Fe69Ni5Al4Sn2P10C2B4Si4合金具有强的非晶形成能力，可以通过水雾化方法获得粒度小于75 μm的非晶态合金粉末。用粒度45~75 μm的水雾化粉末制备的磁粉芯具有优异的磁性能，磁导率大于60，良好的频率特性、高的品质因数和低的损耗。该磁粉芯与磁导率相等的韩国MPP磁粉芯产品相比，其综合性能更优越。     

衬底温度对CuI薄膜微结构与性能的影响

采用喷射沉积技术，探讨不同的衬底温度对CuI薄膜的微结构与性能的影响。通过x射线衍射谱，场发射扫描电子显微镜，霍尔测试仪和紫外．可见光分光光度计等测试了CuI薄膜的微结构、表面形貌和光电性能。研究结果表明，衬底温度为120℃时CuI薄膜的结晶性较好，薄膜表面相对均匀致密。可见光透过率随着衬底温度升高先增大后减小，在衬底温度为120℃时最高，近76％，适合作Al：ZnO／p-CuI／n-CIS薄膜太阳能电池的缓冲层。     

Fe-36%Ni软磁合金电沉积条件的研究

采用电沉积法制备Fe-36%Ni软磁合金薄膜,通过正交实验方法研究了Fe2 /Ni2 摩尔比、镀液pH值、电流密度、镀液温度与合金中铁含量的关系,用极差法分析了各工艺参数对Fe-Ni合金薄膜成分影响的显著性,并确定了最佳工艺条件.优化验证实验结果表明,所得合金薄膜光亮、致密、外观平整,合金薄膜中Fe含量为64.99%(质量分数),Ni含量为35.01%(质量分数),其饱和磁通密度(Bs)0.84T,剩余磁通密度(Br)0.27T,矫顽力(Hc)65A/m.     

Fe74Al4Sn2P10Si484C2合金的堆焊层组织和性能

Fe74Al4Sn2P10Si4B4C2合金具有良好的非晶形成能力.研究了Fe74Al4Sn2P10Si4B4C2母合金棒堆焊层的组织和性能.结果表明在非晶纳米晶基体上分布着α-Fe固熔体以及析出的Fe3P、Fe2B、Fe3B、Fe3C相,堆焊层具有很高的硬度.     

Cu7In3ǰ��Ĥ�Ʊ�(112)����ȡ��CuInS2��Ĥ

 为考察具有Cu7In3相结构的Cu In前驱膜对CuInS2薄膜微结构的影响,采用电沉积法制备了Cu In薄膜,并对制备态Cu In薄膜在380 ℃进行真空退火处理制备Cu7In3前驱膜。采用硫化法对制备态Cu In薄膜和Cu7In3薄膜进行硫化处理制备了CIS薄膜。结果表明,两种前驱膜经硫化处理均在表面生成CuxS偏析相,经KCN刻蚀处理发现以Cu7In3为前驱膜制备的CuInS2薄膜高质量结晶,具有(112)择优取向,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。     

Characterization of CuInS2 thin films prepared by sulfurization of Cu-In precursor

CuInS2 thin films were prepared by sulfurization of Cu-In precursors. The influences of the deposition sequence of Cu and In layers, such as Cu/In, Cu/In/In, and In/Cu/In, on structure, topography, and optical properties of CuInS2 thin films were investigated. X-ray diffraction results show that the deposition sequence of Cu and In layers affects the crystalline quality of CuInS2 films. Atomic force microstructure images reveal that the grain size and surface roughness are related to the deposition sequence used. When the deposition sequence of precursor is In/Cu/In, the CuInS2 thin films show a single-phase chalcopyrite structure with （112） preferred orientation. The surface morphology of CIS films is uniform and compacted. The absorption coefficient is larger than 10^4 cm^-1 with optical band gap Egclose to 1.4 eV.     

Co69.9Fe5Si12.5B9Cr3.5 Mo0.1非晶丝的磁致伸缩特性研究

采用小角转动法(SAMR)测量了Co69.9Fe5Si12.5B9Cr3.5Mo0.1非晶合金丝的磁致伸缩系数,研究了等温退火处理对非晶合金丝磁致伸缩系数的影响.实验结果表明:淬态非晶丝表现出正的磁致伸缩系数λs=1×10-7,在晶化温度以下进行等温退火,其磁致伸缩系数随退火温度的升高先增加后减小,存在一个最大值λs=3×10-7.采用结构弛豫理论解释了磁致伸缩系数随退火温度的变化.