纯氧高气压溅射PZT铁电薄膜

用Pb(Zn0.55Ti0.45)O3烧结陶瓷作为靶材,在纯氧、高气压溅射条件下成功地原位沉积了锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)铁电薄膜。为了弥补靶材在烧结过程中Pb的挥发及溅射成膜过程中发生Pb的损失,以PbO计,加入了质量分数为5．0％的过量Pb3O4。实验发现：当最佳靶-基片距离一定时,n(Pb)／n(Zr Ti)成份偏析的比例随最佳靶-基片距离偏差的增加而降低。PZT铁电薄膜的X射线衍射分析表明,PZT铁电薄膜中存在PbO和钛锆固溶型氧化物,但无焦绿石相。PZT铁电薄膜的铁电性测量表明:剩余极化Px达到14．1μc／cm^2,矫顽电场Ec较小,Ec与Pb(Zr0.55Ti0.45)O2烧结陶瓷靶材的值相当,其电滞回线具有很好的对称性。     

Si基微绝热结构PLZT厚膜红外探测器阵列

介绍了一种制备非致冷红外探测器阵列的新方法,此方法避免了使用传统的微电子机械系统(MEMS)工艺来加工微桥.研究了如何在Si基片表面形成ZnO膜层网格状结构的方法.ZnO纳米粉末和PLZT厚膜采用改进的溶胶-凝胶法制备.表征了ZnO纳米粉末的表面形貌和PLZT厚膜的相组成,测量了 PLZT-8/53/47厚膜的铁电性和热释电性.结果表明,ZnO纳米粉末的粒径为40～70 nm,PLZT-8/53/47厚膜为纯钙钛矿相,其主结晶方向与底电极一致.PLZT-8/53/47厚膜具有优良的热释电性能,其热释电系数p为8.21×10-8C/(cm2·℃),而矫顽场较小,25℃时 Ec为32.0 kV/cm,40℃时 Ec仅为27.8 kV/cm.     

用改进的Sol-Gel方法制备PZT铁电薄膜的化学反应历程

通过傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、1H和13C核磁共振波谱(NMR)对制备PZT铁电薄膜的Sol-Gel化学反应过程进行了分析.结果表明,采用硝酸氧锆(ZrO(NO3)2·2H2O)为锆源并使用单一溶剂制备PZT铁电薄膜,溶胶-凝胶化过程中化学反应相对简单,多组分系统稳定性较高,工艺条件易于控制,所制备的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀.     

热释电红外自动测温系统研究

本文介绍了红外测温的意义、原理,并详细论述了热释电红外自动测温系统的探测器、电子线路,以及MCS-51单片机在该系统中的应用。     

铁电薄膜的制备及应用技术研究

研究出具有特色的制备铁电薄膜的 sol-gel技术;制备出高质量、高可靠的 PLT、PZT、PYZT、BST”l、PbTiO3、BaTiO3、Bi4Ti3O12多晶铁电薄膜,PLT、PZT和伽里O3异质外延生长铁电薄膜;研制出铁电薄膜热释电单元红外传感器,8元、9元、1O元线列和8X8元阵列;研制出热释电火情探测器和热释电非接触式温度测试仪。     

VO2薄膜的研究和应用进展

综述了VO2薄膜的制备工艺,着重探讨了热处理工艺和条件对其性能的影响,并介绍了它的最新应用情况.     

铁电薄膜材料及其制备技术的发展

综述了铁电薄膜材料及铁电薄膜制备技术的发展概况。阐述了几种典型铁电薄膜材料及主要制备技术的特点。     

溶胶－凝胶方法制备PZT铁电薄膜材料的研究

本文介绍了用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备ＰＺＴ铁电薄膜的工艺，并指出采用快速热处理工艺能有效地防止薄膜开裂。比较了用３种不同锆盐原料制备的ＰＺＴ薄膜的性能。实验结果表明，用无机盐硝酸锆制备的ＰＺＴ铁电薄膜的性能最好。     

溶胶一凝胶工艺对PZT铁电薄膜结构的影响

本文阐述了用溶胶一凝胶法制备锆钛酸铅（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺参数对薄膜结构的影响。实验表明，采用合适的工艺参数能制备出具有钙钛矿型结构的ＰＺＴ铁电薄膜。     

Nb_2O_5对Ba_(1-x)Pb_xTiO_3系PTCR陶瓷的影响

本文讨论了Nb_2O_5在(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3系PTCR陶瓷中的作用。试验与分析表明,用Nb_2O_5作半导化剂,不但陶瓷半导化效果明显,而且还能有效地防止Pb挥发,防止晶粒长大,得到性能优良的半导体陶瓷材料。