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退火处理后的 CsI:Pb晶体在 10~ 30K温度范围内观察到两类发光 :当激发波长为 410nm, 主要发光带在 464nm附近 ;而当激发波长为 360nm或 300nm,主发射带为 422nm。这两种发光带 的相对强度与退火时间的长短密切相关。讨论了 CsI:Pb晶体中不同的 Pb2+基聚集相的形成机制 和发光机理。 相似文献
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钨酸铅(PbWO4)闪烁晶体研究进展 总被引:2,自引:1,他引:1
钨酸铅(PbWO4)闪烁晶体是拟使用于西欧大型强子对撞机(LHC)中精密电磁量能器量有希望的候选者,本文概要介绍了近年来国际上对于钨酸铅晶体的研究进展。包括它的闪烁性能、发光机制、辐照硬度和杂质效应等。本文最后列出了欧洲核子研究中心(CERN)的CCC组最近对75根大尺寸PWO晶体综合测试的统计结果。这有助于建立批量生产PWO晶体的质量监控方法。 相似文献
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XPS(X 光电子能谱)测量结果表明:YBaCuO 陶瓷的 Ba 3d 谱线由两种不同结合能的 Ba 3d 谱线组成,它们的相对强度随烧结温度不同而有明显差异,其临界温度 T_c 也不同。它们可能对应于不同相的 YBaCuO化合物,其相对含量因烧结条件而异。本文还研究了 Ar~ 离子轰击对 YBa_2Cu_3O_(7-x)超导陶瓷的影响,离子轰击后,呈单一的 Ba 3d 谱线,Cu 2p 谱线则还原为较低的价态,其效果与真空退火处理十分相似。 相似文献
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生长了六种掺杂锗酸铋(简称 BGO)晶体(分别掺 Fe、Cr、Mn、W、Pb 和 Ce)。在合适的测试条件下,测量了它们的光吸收系数、光电导参数和暗电导率,并与未掺杂样品进行了比较。计算出了样品的特征参量μφτ,为上述材料光折变性质的研究提供了必不可少的数据。在此基础上,对 BG0∶Cr、BGO∶Fe 和BGO∶Mn 晶体的光折变机制进行了简略的讨论,认为 BGO∶Cr 中的光折变中心可能是:Cr~(3+)作为施主,Cr~(4+)作为电子陷阱;或 Cr~(4+)作为受主,Cr~(3+)为空穴陷阱。 相似文献
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随着半导体二极管激光泵浦技术的发展,掺钕锗酸铋(Bi4Ge3O(12))晶体重新成为一种引人注目的激光材料.本文给出Nd:BGQ在800nm附近的光吸收和激发谱,以及106μm波段的受激发射性能.并首次测得它在1.06μm处室温Verdet常数为0.033’/cm·Gs.比FR-4磁光玻璃高27%,这意味着,Nd:BGO已成为目前唯一的激光/磁光复合功能材料.本文讨论了Nd:BGO中各类缺陷的形成机制及消除办法,通过改进工艺参数,生长出光学性质优良、Nd2O3掺入量达到1.5Wt%的晶体.利用其自身的磁光效应,研制成二极管激光泵浦、自调QNd:BGO激光器,获得100ns的稳定脉冲输出. 相似文献