混凝土含水率对碳化深度影响的试验

依据试验资料，分析了混凝土密实性相同条件下，其碳化深度与含水率的关系，结果表明：混凝土含水率为1.9％时碳化深度最大，含水率在0～1.9％时，混凝土碳化深度随着含水率的增大而增大，含水率大于1.9％时混凝土碳化深度随着含水率的增大而减小。运用混凝土碳化机理和结构理论对该结果进行了分析，说明对混凝土碳化程度起决定作用的不是空气的相对湿度，而是混凝土的湿润状态。     

SmDyFeCo磁光薄膜的制备和性能研究

本文采用射频磁控溅射方法制备了ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜。研究了氩气压、溅射功率对ＳｍＤｙＦｅＣｏ薄膜性能的影响。实验表明，反射率随氩气压升高而降低。矫顽力随氩气压升高而逐渐增大，达到一定值时克尔回线反向，随后矫顽力又逐渐减小。高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好，但氩气压进一步升高，磁光克尔回线矩形度变差。本征磁光克尔角随氩气压升高而增大，到达最大值后又逐渐减小。反射率随溅射     

浅谈额敏县农机维修市场的管理

通过对额敏县目前农机修配中存在的主要问题进行分析,提出了规范农机维修市场的措施和建议.     

转炉留渣操作炉渣喷溅临界条件的研究

对转炉留渣操作炉渣喷溅的临界条件进行了热力学和及动力学的研究，得出了炉渣喷溅临界温度的计算公式，利用计算机定量分析了ａ（ＦｅＯ）对安全留渣操作临界温度的影响，从理论上分析了实施留渣操作应采取的工艺措施，为实施具有显著效益的转炉留渣操作提供了可靠的依据。     

利用EGR技术生成薄膜

半导体制造工艺中的薄膜生长,迄今广泛应用的是热CVD法(Chemical VaporDeposition)和等离子CVD法,而这些方法是在高温状态下进行的,因此,对那些衬底耐热性较差或者经高温处理其性能和可靠性要降低的器件来说,利用这些方法有一定的困难。为了提高大规模集成电路、超大规模集成电路的性能、集成度和成品率,迫切需要一种能在低温下形成高质量薄膜的薄膜生长新技术。     

黑钨矿的组成与其可浮性

黑钨矿含Fe、Mn比例不同时,可浮性存在差异,但原因一直不大清楚。本文研究Mn/Fe比不同的黑钨矿的浮选、吸附行为,动电现象以及受活化作用的情况。并用溶液化学平衡计算讨论Mn、Fe离子与药剂作用的差别。捕收剂在黑钨矿上的化学吸附与Mn离子有更为密切的关系,Mn/Fe比较高的黑钨矿吸附捕收剂的能力较大,可浮性较好;Mn~(2+)离子的活化作用比Fe~(2+)离子强。     

芯片规模封装(CSP)的开发动向

芯片规模封装（CSP：ChipSizePackage）尚处于开发阶段，但其发展势头良好。因此，今后的发展方向是获得公认的市场，或者是与裸芯片KGD（KnownGoodDie）技术的发展而相联系的。但是，随着日益发展的IC芯片的高集成化及性能高级化，由于采用CSP容易测定及老化，易于一次回流焊接等安装以及操作简便，可以认为在今后长期间内，CSP会替代常规的封装。另外，也有可能作为COB及混合IC、MCM的裸芯片替代品而得到广泛使用。裸芯片今后的动向是积极进行CSP的改进及降低成本。     

紧耦合网络接口并行性研究

高效的网络接口已成为多机系统中的重要技术之一。文中通过对当前各种接口类型的分析认为，紧耦合应是网络接口的方向；同时，不同类型信息的串行处理是网络接口进一步提高性能的瓶颈。为此，对不同信息间的并行性进行分析后，提出了并行网络接口的概念结构，并对其性能进行了评价。     

芯片规模封装的开发动向

芯片规划规模封装尚处于开发阶段，但其发展势头良好。因此，今后的发展方向是获得公认的市场，或者是与裸芯片技术的发展而相联系的。但是，随着日益发展的ＩＣ芯片的高集成化及性能高级化，由于采用ＣＳＰ容易测定及老化，易于一次回流焊接等安装以及操作简便，可以认为在今后长期间内，ＣＳＰ会替代常规的封装。另外，也有可能作为ＣＯＢ及混合ＩＣ、ＭＣＭ的裸芯片替代品而得到广泛使用。裸芯片今后的动向是积极进行ＳＰ的改进及