大功率CO2激光熔凝稳定ZrO2

利用大功率ＣＯ２激光熔凝稳定ＺｒＯ２高温快离子导体获得成功．报导了激光熔凝的原理、工艺过程及熔凝后样品的微观分析等研究结果．激光熔凝的ＣＳＺ和ＭＳＺ快离子导体样品在温度为１０００℃时的电导率达到２×１０－２Ω－１ｃｍ－１量级．     

纳米ZrO2负载金属Pd-Ni催化氯苯加氢脱卤性能的研究

采用负载法制备了一系列纳米ZrO2负载金属Ni、Pd等催化剂,通过XRD、TEM、SEM等技术对催化剂进行了表征,并以氯苯的加氢脱氯为探针反应,考察了催化剂的加氢脱氯性能.同时考察了反应温度、反应体系碱性、催化剂的镍含量等因素对催化反应性能的影响.实验表明,适当的反应条件下,在Ni质量分数为6%的Pd-Ni/ZrO2催化剂的作用下氯苯的转化率可达到90%以上.     

载体制备方法对贵金属催化剂Ru/ZrO2催化湿式氧化性能的影响

以蒸煮处理水合氢氧化锆制备了ZrO2-A,将水合氢氧化锆静置过夜制得ZrO2-B,以此2种载体通过初湿浸渍法制得Ru/ZrO2贵金属催化剂.在BET测试中,ZrO2-A载体及其相应催化剂的比表面积远高于ZrO2-B载体及其相应催化剂;TPR表征表明,Ru/ZrO2-A中Ru的分散性更好,金属与载体的相互作用更为紧密.以苯酚和乙酸水溶液为模型废水进行催化剂评价,结果表明Ru/ZrO2-A无论是在反应活性还是稳定性上均优于Ru/ZrO2-B.     

二硼化锆微粉的燃烧合成方法

二硼化锆微粉的燃烧合成方法，它涉及一种二硼化锆微粉材料的合成工艺。本发明的目的是为解决已有技术存在的需要高温高热，耗能大，生产周期长、效率低、纯度不高的问题。本发明将基础原料和稀释剂进行配料，基础原料按质量分数为：二氧化锆31％～58％；硼酐0～25％；镁粉25％～44％；稀释剂为二硼化锆；     

水热法制备纳米二氧化锆粉体

二氧化锆纳米粉体是制造高科技氧化锆系陶瓷的重要原材料。纳米粉体的制备方法有很多种，但由于水热法可以控制微粉的粒径、形态、结晶度和组成，所以水热法是目前生产纳米粉体方法中最具发展潜力的工艺方法之一。国内外对水热法的研究已有相当进展。并正向工业化迈进。对目前国际上出现的应用于制备纳米二氧化锆系粉体的各种水热方法进行了介绍，着重介绍了制备过程中应用的各种新技术。并展望了水热法的发展前景。     

ZrO2粒度对ZrO2-C质耐火材料耐蚀性的影响

利用不同粒度的ZrO2改变耐火材料和保护渣的接触面积，研究其对耐蚀性的影响。     

ZrO2—CeO2固溶体的共沉淀与机械处理

将ZrO2-CeO2固溶体的共沉淀与机械处理相结合，能加快烧结过程，制取ZrO2-CeO2系致密陶瓷材料。     

ZrO2隔热梯度涂层制备技术及其性能研究

应用异种粉末等离子喷涂工艺及单片机控制技术制备ZrO_2·Y_2O_3系隔热梯度涂层,实现了涂层组分沿厚度方向连续分布的要求。文中对总厚度相同,过渡层数不同的两组涂层的性能进行了比较。     

Effects of ZrO2 on the structure and magnetic properties of CoPt thin films

[CoPt 1.5 ml/ZrO2 xnm]10 multilayer films were deposited on glass substrates by magnetron sputtering and then annealed in vacuum at 600℃ for 30 min. Their structures and magnetic properties were investigated as a function of ZrO2 content. The results show that the grain size and coercivity first increase and then decrease with the increase in ZrO2 content. The maximum coercivity and grain size are obtained at 37 vol.% of ZrO2. The content of ZrO2 in the film plays an important role in the separation of CoPt grains and in the reduction of intergrain exchange interaction. On the basis of the studies of angular dependent coercivity, it is found that the magnetization reversal of CoPt films with （111 ） texture is different from either the domain wall motion or the S-W type of rotation mode.