密集异构网络中D2D通信的多对多资源共享

为解决高接入量、高数据速率需求下的频谱资源短缺问题,将D2D通信技术引入蜂窝网络,研究密集异构网络中D2D通信的多对多资源分配与功率控制问题.多对多频谱共享将显著提高频谱效率,但在密集场景下会产生干扰累积问题.针对干扰累积问题,提出基于集合划分的多对多资源共享方案,提高D2D用户接入率以及最大化系统吞吐量;设计基于连续凸逼近的功率优化算法,降低主次用户间的干扰,提高D2D用户的稳定性.将仿真结果与其它算法进行比较,验证了该算法可有效控制干扰,显著提高系统吞吐量和D2D用户接入率.     

改进暂态混沌神经网络在信道分配中的应用

研究信道分配优化问题,由于传统迭代过程中存在收敛率低,易于陷入局部最优解等缺点。为改善算法收敛速率和信道分配效果,采用改进的暂态混沌神经网络(MTCNN)。在混沌神经网络的动态特性中采用时变增益,在退火过程中采取分段的退火机制,使得混沌搜索阶段保持较长时间的混沌态,利于进行全局搜索,稳定收敛阶段能够迅速收敛于最优解,提高收敛率。仿真结果表明,改进后的算法能很好地解决信道分配问题。和暂态混沌神经网络及仅分段的暂态神经网络相比,最优解率得到很大的提高,网络收敛速度提高了12%以上。最后,给出了模型参数对网络性能影响的一些结论。     

基于小波和NSCT的图像自适应阈值去噪方法

提出了一种基于小波和非下采样Contourlet变换(NSCT)相结合的图像自适应阈值去噪方法.先用小波估计噪声图像的噪声强弱,再根据噪声的强弱以及NSCT的分解特点及系数所在邻域的特性,给出不同尺度不同方向的自适应阈值.仿真实验结果表明,与小波硬阈值、Contoudet硬阈值和基于非下采样Contourlet硬阈值去...     

基于Fisher的加权马尔可夫的话务预测

基于话务量数据的特性,提出基于加权马尔可夫的移动话务量预测模型。该模型具有要求的样本数量少,运算速度快,预测精度高,可检验等的特点。根据该模型的缺陷,应用模糊Fisher准则的有序聚类方法,可以对话务序列进行分类并建立分类标准,该方法克服了聚类有效性对样本空间分布的依赖并同时提高了算法的效率。仿真结果表明,在移动通信话务量预测中,该算法与其他方法相比较,运算速度快,准确度高。     

基于NSCT域的自适应阈值遥感图像去噪方法

提出一种新的基于非下采样Contourlet变换(NSCT)的图像自适应阈值去噪方法.根据NSCT系数所在领域区域的特性,给出不同尺度不同方向的自适应咧值.仿真实验结果表明,通过本文提出的方法能够有效去除遥感图像的高斯噪声,较完整的保持图像的边缘等细节信息.与小波硬阈值、Contourlet硬阈值和基于非下采样Cont...     

基于VMPSO-RBF神经网络的话务量预测

为了更快速、准确地预测话务量,提出了速度变异的粒子群算法（VMPSO）,并与RBF算法相结合,形成速度变异的粒子群—RBF（VMPSO-RBF）神经网络算法,并且来训练神经网络,从而优化了神经网络的参数,最后对移动话务量进行预测。与RBF神经网络方法和PSO-RBF神经网络方法相比较,该文提出的方法预测精度更高,收敛速...     

基于微正则退火与改进型FCM结合的遥感图像分割算法

本文提出一种基于微正则退火与加入空间邻域信息的FCM相结合的遥感图像分割算法,该方法在分割图像时将每幅图像划分成多个3x3邻域窗口,将图像的空间邻域信息和灰度值信息结合的约束项引入FCM算法的目标函数中,目的是为了降低算法对噪声的敏感性和更好的保持图像边缘信息;利用微正则退火算法优秀的全局收敛性对改进的FCM算法进行优...     

蛙跳结合模糊C-均值的图像分割算法

实现了基于混合蛙跳与模糊C-均值结合的图像分割算法。克服了由于FCM算法易受初始聚类中心和隶属度矩阵的影响而使图像分割效果不理想的缺陷。蛙跳算法（SFLA）是一种全新的后启发式群体优化算法,具有高效的计算性能和优良的全局搜索能力。实验表明：该方法与FPSO结合既提高了图像分割的效率又能得到更好的图像分割效果。     

一种多孔硅生物免疫传感器的研究

对多孔硅样品进行热氧化和硅烷化处理,通过共价结合的方法将HYSA生物抗体固定到多孔硅的孔洞中;测量了加入BSA发生抗原抗体反应前后的荧光光谱和反射谱.实验结果表明加入生物分子后多孔硅发光峰消失,抗原抗体反应后发光强度增强,反射谱红移.该项研究为开发免标记的多孔硅光学生物免疫传感器奠定了基础.     

Ar^＋注入多孔硅与Ar^＋注入硅多孔结构的光致发光研究

研究了中等能量(30 key)Ar+注入多孔硅和中等能量(30 key)Ar+先注入单晶硅后再进行电化学腐蚀成的多孔结构的光致发光特性.研究结果表明:中等能量(30 key)Ar+注入多孔硅后,多孔硅原有的发光峰消失,主要是Ar+对多孔硅表面氧的剥离作用.使得与氧相关发光的结构消失,多孔硅不再发光;中等能量(30 kev)Ar+先注入单晶硅后冉电化学腐蚀成的多孔结构中,通常多孔硅原有的580 nIn附近发光峰强度随注入Ar+剂量的增加而增强,并有红移;同时在谱峰处于470 nm附近的微弱发光峰不因注入Ar+而明显变化.