无功补偿电容器串联电抗器的选择

主要从某110kV变电所串联电抗器烧坏事故入手,通过对事故产生原因的定量计算和定性分析,对成套配置的电容器和电抗器问容量配比作了简要的阐述,并提出了电抗率的选择方法.     

微机灰色预测分析系统开发

从多方面较详细地介绍了微机灰色预测分析系统的特点,着重介绍了理论应用及系统开发的一些特点,并给出了一个应用实例．     

1553B总线网络技术及其研究

机载网络是机载系统通信的核心,用于实现机载电子设备中信息的传输与控制[1].在机载网络技术发展的过程中,1553B总线网络因其低成本、可靠性等优势被广泛应用于三代机的航电和机电系统.但随着应用场景的不断复杂,原有1553B的1Mbps通信速率显然成为了提升飞机整体作战性能的瓶颈.基于此,针对原有1553B网络的改进成为...     

喷射旋流复合排液工具结构参数优化及现场试验

为了降低生产流体在井筒中产生的压降、充分利用积液气井自身能量进行低成本排水采气，研制了喷射旋流复合排液工具。在设计喷射旋流复合排液工具结构的基础上，研制了其性能测试试验系统，测试了不同气体流量下放置不同结构参数该工具时的模拟井筒压降，开展了结构参数的单因素分析和正交试验分析，得到了不同条件下喷射旋流复合排液工具最优的结构参数。研究结果表明，喷射旋流复合排液工具的主要结构参数均会影响流体在井筒中产生的压降；要使井筒中的压降最小，不同产量的气井对应不同结构参数的工具。结构参数优化后的喷射旋流复合排液工具在西南地区M气田A井进行了现场试验，在相同生产周期内，累计产气量平均增加20.95%，累计产水量平均增加21.59%，验证了该工具的排液增产效果。研究和现场试验表明，喷射旋流复合排液工具为积液气井低成本排水采气提供了一种新的技术手段。     

基于表面曲线光栅的高功率窄线宽半导体激光器

随着智能感知技术的快速发展，高功率、窄线宽的半导体激光光源成为研究热点。通过在边发射半导体激光器件表面引入高阶曲线光栅，设计了一种独特的非稳谐振腔结构，可实现高功率和窄线宽。采用紫外光刻和电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术，制备了周期为6.09μm、占空比为0.66、刻蚀深度为500 nm的曲线光栅。在室温条件下，测得腔长为2 mm的器件的阈值电流为220 mA，连续输出功率为1.48 W，斜率效率为0.63 W/A。比较了法布里-珀罗激光器、直线光栅分布式反馈（DFB）激光器和曲线光栅DFB激光器的光谱，结果表明，曲线光栅对半导体激光器的模式选择起到了关键作用，有利于实现高功率DFB激光器的窄线宽单模输出。该器件具有制作工艺相对简单、性能优异、可靠性高等特点，具有广阔的应用前景。     

组合光栅对半导体激光器的侧向模式调控作用

设计并制作了一种新型含有组合光栅结构的分布式布拉格反射(CDBR)半导体激光器。通过引入组合光栅结构，对分布式布拉格反射(DBR)激光器的高阶侧向模式进行调控，提升了高阶侧向模式的损耗，最终优化了远场光斑图案。实验制得的器件腔长为2 mm，脊波导宽度为40μm，高阶光栅周期为7μm，占空比为0.6。当注入电流为1.0 A时，组合光栅起到明显作用，远场光斑图案从DBR-激光二极管(LD)的多瓣优化到CDBR-LD的单瓣。CDBR-LD在电流为1.25 A时的饱和输出功率约为433 mW，斜率效率为0.337 W·A^-1，注入电流为0.95 A时的光谱半峰全宽(FWHM)约为0.61 nm。     

双线圈式磁流变阻尼器优化设计及减振特性试验研究

采用整体磁通路径规划与部件设计相结合的设计方法，得出一种基于挤压工作模式的双线圈磁流变阻尼器。阻尼器在设计形成闭合磁回路基础上，综合考虑磁场性质、磁路性质、阻尼器结构特征以及三者之间的相互作用和对磁回路的反馈作用，得出初始结构参数；采用模拟退火算法对关键参数进行多目标优化，使阻尼器综合性能达到最优，总结得出磁流变阻尼器的设计方法。通过多维度磁场测量实验台对油膜工作面处磁场进行测量，验证了不同激励电流下双线圈磁流变阻尼器的测量值与仿真值吻合性良好。最后，将优化后的双线圈磁流变阻尼器引入到转子系统中，搭建了磁流变阻尼器支承下转子实验台，进行磁流变阻尼器支承下转子系统不平衡响应试验，发现适合的电流作用下，磁流变阻尼器可为转子系统提供有效的阻尼，大幅抑制转子系统在临界转速附近的振动幅值；在过大的电流作用下，磁流变阻尼器的刚度效应起主要作用，其会限制磁流变阻尼器间隙中的油膜挤压作用，进而削弱磁流变阻尼器的阻尼效应。该研究为磁流变阻尼器的设计提供了一定的指导，并具有潜在的应用价值。